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亚微米BiCMOS工艺技术
1
作者 何小乐 洛斯 《上海微电子技术和应用》 1995年第2期54-56,62,共4页
ＢｉＣＭＯＳ是双极速度和驱动能力与ＣＭＯＳ的高密度和低功耗的结合。考虑到功耗原因，ＢｉＣＭＯＳ器件主要以ＣＭＯＳ为主，因此，双极器件通常并入ＣＭＯＳ核心工艺流程。当器件尺寸减小时，双极和ＣＭＯＳ的技术显得愈发相似。本... ＢｉＣＭＯＳ是双极速度和驱动能力与ＣＭＯＳ的高密度和低功耗的结合。考虑到功耗原因，ＢｉＣＭＯＳ器件主要以ＣＭＯＳ为主，因此，双极器件通常并入ＣＭＯＳ核心工艺流程。当器件尺寸减小时，双极和ＣＭＯＳ的技术显得愈发相似。本文列举了０．８μｍ和０．５μｍ的技术论点。ＢｉＣＯＳ电路与ＣＭＯＳ相比，成本稍高但其性能提高一倍。 展开更多
关键词 亚微米 铋 CMOS 工艺技术 双极晶体管
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静电屏蔽晶体管GAT的结构研究
2
作者 郑海东 《微电子学》 CAS CSCD 1995年第3期23-26,共4页
本文介绍了静电屏蔽晶体管（ＧＡＴ）的结构与器件性能，该器件具有高耐压，高速和低饱和压降等优良特性。本文对该器件的结构作了较为详细的分析研究。
关键词 功率器件 静电屏蔽晶体管 双极晶体管 结构
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AlInAs／GaINAsHBTIC技术
3
作者 东熠 《半导体情报》 1995年第2期6-12,共7页
本文描述了用与ＩｎＰ衬底晶格匹配的ＡｌＩｎＡｓ／ＧａＩｎＡｓ异质结双极晶体管制作的集成电路。ＨＢＴ的发射极尺寸为２μｍ×５μｍ，截止频率ｆ＿Ｔ和最高振荡频率ｆ＿ｍａｘ分别为９０ＧＨｚ和７０ＧＨｚ。用电流型逻辑（Ｃ... 本文描述了用与ＩｎＰ衬底晶格匹配的ＡｌＩｎＡｓ／ＧａＩｎＡｓ异质结双极晶体管制作的集成电路。ＨＢＴ的发射极尺寸为２μｍ×５μｍ，截止频率ｆ＿Ｔ和最高振荡频率ｆ＿ｍａｘ分别为９０ＧＨｚ和７０ＧＨｚ。用电流型逻辑（ＣＭＬ）制作了环形振荡器、触发器分频电路和双模前置换算器。其环形振荡器每门延迟时间为１５．８ｐｓ，ＣＭＬ触发器分频电路反转速率为２４．８ＧＨｚ。而４／５和８／９双模前置换算器分别由１０６和１２４只晶体管组成，可在高达９ＧＨｚ的时钟速率下工作。这两种双模前置换算器电路是ＩｎＰ基Ｈ８Ｔ制作的最大规模电路。 展开更多
关键词 异质结 双极晶体管 HBT 集成电路 铝 铟 砷 镓
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InP基异质结双极晶体管的性能及电路应用
4
作者 宋东波 《半导体情报》 1995年第2期19-22,共4页
本文论述了在ＩｎＰ衬底上用ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ和／或ＩｎＡｌＡｓ构成的异质结双极晶体管的现状及展望。着重强调了超高电子速度的重要性。阐述了自对准制造技术，提出了适于微波功率应用的宽禁带集电区器件和适于数字应用的低开启... 本文论述了在ＩｎＰ衬底上用ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ和／或ＩｎＡｌＡｓ构成的异质结双极晶体管的现状及展望。着重强调了超高电子速度的重要性。阐述了自对准制造技术，提出了适于微波功率应用的宽禁带集电区器件和适于数字应用的低开启电压Ｖ＿ｂｅ器件。用这些器件构成的分频器可工作到１７ＧＨｚ。 展开更多
关键词 铟 磷 异质结 双极晶体管 HBT
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EXB841 驱动模块的扩展用法 被引量：6
5
作者 张国安 朱忠尼 郑峰 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1997年第3期97-98,共2页
ＥＸＢ８４１驱动模块的扩展用法ＥｘｐａｎｄｅｄＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｏｆｔｈｅＤｒｉｖｅＭｏｄｕｌｅＥＸＢ８４１武汉空军雷达学院张国安朱忠尼郑峰（武汉４３００１０）１前言ＩＧＢＴ的常用驱动模块有许多种，其中ＥＸＢ系列... ＥＸＢ８４１驱动模块的扩展用法ＥｘｐａｎｄｅｄＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｏｆｔｈｅＤｒｉｖｅＭｏｄｕｌｅＥＸＢ８４１武汉空军雷达学院张国安朱忠尼郑峰（武汉４３００１０）１前言ＩＧＢＴ的常用驱动模块有许多种，其中ＥＸＢ系列应用最广。ＥＸＢ系列的优点是电路参... 展开更多
关键词 晶体管 双极性晶体管 驱动模块 EXB841模块
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提高雪崩击穿电压新技术──深阱终端结构 被引量：1
6
作者 周蓉 胡思福 张庆中 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期259-261,共3页
研究了深阱终端结构提高击穿电压的原理，模拟分析了阱中介质、阱深、阱宽及阱表面场板对击穿电压的影响。结果表明，带有场极的深阱终端结构可以提高击穿电压到平行平面结的９０％。同时，深阱终端结构在不减小散热面积的情况下，还大... 研究了深阱终端结构提高击穿电压的原理，模拟分析了阱中介质、阱深、阱宽及阱表面场板对击穿电压的影响。结果表明，带有场极的深阱终端结构可以提高击穿电压到平行平面结的９０％。同时，深阱终端结构在不减小散热面积的情况下，还大大减小了结面积，减小了漏电流，有助于改善器件的频率特性，提高器件的稳定性。 展开更多
关键词 深阱终端 雪崩击穿电压 介质 场板 结构
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四元系AlGaInP为发射极异质结双极晶体管研究 被引量：2
7
作者 程知群 孙晓玮 +3 位作者 束伟民 张兴宏 顾伟东 夏冠群 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期425-428,共4页
本文对ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）进行了研究．设计并制备了ＡｌＧａＩｎＰ为发射极的叉指结构ＨＢＴ器件．研究结果表明，ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓＨＢＴ具有较高的电流增益和较好的温度特性．同时，由于对... 本文对ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）进行了研究．设计并制备了ＡｌＧａＩｎＰ为发射极的叉指结构ＨＢＴ器件．研究结果表明，ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓＨＢＴ具有较高的电流增益和较好的温度特性．同时，由于对ＡｌＧａＩｎＰ和ＧａＡｓ腐蚀选择性大，因而工艺简单、重复性好． 展开更多
关键词 HBT 双极晶体管 异质结 发射极
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气态源分子束外延InGaP／GaAs结构及其在异质结双极晶体管中的应用
8
作者 齐鸣 李爱珍 +3 位作者 任尧成 陈建新 张永刚 李存才 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1995年第2X期65-65,共1页
本文研究了ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结构的气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）生长，所得样品晶格失配率△α／α＜８．９５×１０￣（－５），本底载流子浓度为１０￣（１５）ｃｍ￣（－３）数量级，掺硅ｎ型样品的载流子浓度控制范... 本文研究了ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结构的气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）生长，所得样品晶格失配率△α／α＜８．９５×１０￣（－５），本底载流子浓度为１０￣（１５）ｃｍ￣（－３）数量级，掺硅ｎ型样品的载流子浓度控制范围可达２×１０￣（１５）～４×１０￣（１８）ｃｍ￣（－３）。研究了Ｐ＿２和Ａｓ＿２气氛的切换条件对ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结构界面特性的影响，并成功地生长了ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）结构材料，用此材料在国内首次制成的ＨＢＴ器件ｆｒ＝２５ＧＨｚ，ｆ＿（ｍａｘ）＝４６ＧＨｚ，电流增益β＝４０，最高可达β＝１５０。 展开更多
关键词 异质结构 双极晶体管 GSMBE 外延
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