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IGBT门极驱动电路的研究 被引量：7
1
作者 魏克新 周秋茜 王丽娟 《电气传动》 北大核心 1997年第1期53-57,共5页
IGBT模块的开关性能取决于门极驱动电路的特性和外部直流回路的电感。本文讨论了这些参数对开关损耗、二极管恢复、瞬态开关电压、短路运行及dv/dt的感应电流的影响。这将有助于研究人员正确地使用IGBT。
关键词 门极驱动电路 IGBT模块 半导体器件
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机电一体化在煤矿机械中的应用 被引量：1
2
作者 牧仁 《大观周刊》 2011年第16期160-161,共2页
文章在概述了机电一体化技术的基础上，详细阐释了机电一体化技术在煤矿机械中的应用实践．并分析了其应用意义。煤矿机械中的机电一体化技术是将电力电子、计算机控制、信息、通信等先进技术融合在煤矿机械中的一门前沿技术。
关键词 机电一体化 煤矿机械 应用
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恩智浦推出业界首款采用LFPAK56(Power SO-8)封装的双极性晶体管
3
作者 季建平 《半导体信息》 2014年第2期10-11,共2页
恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)日前推出首款采用5mm×6mm×1mm超薄LFPAK56(SOT669)SMD电源塑封的双极性晶体管。新组合由6个60V和100V低饱和晶体管构成,集极电流最高为3A(IC),峰值集极电流(ICM)最高为8A。新型晶体管... 恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)日前推出首款采用5mm×6mm×1mm超薄LFPAK56(SOT669)SMD电源塑封的双极性晶体管。新组合由6个60V和100V低饱和晶体管构成,集极电流最高为3A(IC),峰值集极电流(ICM)最高为8A。新型晶体管的功耗为3W(Ptot),VCEsat值也很低——其散热和电气性能不亚于采用大得多的电源封装(如DPAK)的双极性晶体管,其占用面积也减少了一半。 展开更多
关键词 双极性晶体管 封装 半导体晶体管 新组合 新型晶体管 电气性能 电源管理 低饱和 推出 高功率密度
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10GHz硅双极振荡晶体管研究
4
作者 蔡克理 《半导体情报》 1992年第5期22-25,共4页
采用全离子注入、全干法腐蚀技术研制出了10GHz下振荡输出10mW的硅双极晶体管。较好的器件在10GHz下,振荡输出20mW。由S参数测量外推得到的f_T和f_(max)分别为19和13GHz。
关键词 硅 双极晶体管 晶体管
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氢气浸泡辐照加速方法在3DG111器件上的应用及辐射损伤机理分析 被引量：5
5
作者 赵金宇 杨剑群 +1 位作者 董磊 李兴冀 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期231-237,共7页
本文以^(60)Co为辐照源,针对3DG111型晶体管,利用半导体参数分析仪和深能级缺陷瞬态谱仪,研究高/低剂量率和有/无氢气浸泡条件下,电性能和深能级缺陷的演化规律.试验结果表明,与高剂量率辐照相比,低剂量率辐照条件下,3DG111型晶体管的... 本文以^(60)Co为辐照源,针对3DG111型晶体管,利用半导体参数分析仪和深能级缺陷瞬态谱仪,研究高/低剂量率和有/无氢气浸泡条件下,电性能和深能级缺陷的演化规律.试验结果表明,与高剂量率辐照相比,低剂量率辐照条件下,3DG111型晶体管的电流增益退化更加严重,这说明该器件出现了明显的低剂量率增强效应;无论是高剂量率还是低剂量率辐照条件下,3DG111晶体管的辐射损伤缺陷均是氧化物正电荷和界面态陷阱,并且低剂量率条件下,缺陷能级较深;氢气浸泡后在高剂量率辐照条件下,与未进行氢气处理的器件相比,辐射损伤程度明显加剧,且与低剂量率辐照条件下器件的损伤程度相同,缺陷数量、种类及能级也相同.因此,氢气浸泡处理可以作为低剂量率辐射损伤增强效应加速评估方法的有效手段. 展开更多
关键词 双极型晶体管 氢气 电离辐射 低剂量率辐射损伤增强效应
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了解这些 就可以搞懂IGBT
6
作者 DigiKey Barley Li 《世界电子元器件》 2023年第12期8-11,共4页
绝缘栅双极晶体管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种三端功率半导体器件,主要用作电子开关,在较新的器件中以结合高效和快速开关而闻名。IGBT通过在单个器件中组合用于控制输入的隔离栅极FET和作为开关的双极功率晶体管,... 绝缘栅双极晶体管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种三端功率半导体器件,主要用作电子开关,在较新的器件中以结合高效和快速开关而闻名。IGBT通过在单个器件中组合用于控制输入的隔离栅极FET和作为开关的双极功率晶体管,将MOSFET的简单栅极驱动特性与双极晶体管的高电流和低饱和电压能力相结合。IGBT用于中到大功率应用,如开关电源、牵引电机控制和感应加热。 展开更多
关键词 绝缘栅双极晶体管 功率半导体器件 功率晶体管 饱和电压 栅极驱动 开关电源 电子开关 三端
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电力电子功率器件(IGBT)的发展 被引量：1
7
作者 陶建海 《广西轻工业》 2007年第11期51-51,共1页
功率器件的发展是电力电子技术的基础,本文简单回顾了电力电子技术及电力电子器件的发展过程,介绍了IGBT等电力电子功率器件的现状和发展动态。
关键词 电力电子技术 电力电子功率器件 发展
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100A/1200V 方片 GTR 的研制 被引量：1
8
作者 王正鸣 李建华 +1 位作者 王彩琳 刘东莉 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1997年第4期92-95,共4页
通过计算机数值计算求解半导体器件方程组，对方片达林顿ＧＴＲ体内的关键参数———轻掺杂集电区宽度进行了临界设计，最大限度地协调了击穿电压与饱和压降、电流增益、开关时间之间的矛盾。在典型的电力半导体器件工艺条件下，开发出... 通过计算机数值计算求解半导体器件方程组，对方片达林顿ＧＴＲ体内的关键参数———轻掺杂集电区宽度进行了临界设计，最大限度地协调了击穿电压与饱和压降、电流增益、开关时间之间的矛盾。在典型的电力半导体器件工艺条件下，开发出了一种类台面方片高压隔离终端，提高了生产成品率，形成了国产化的低成本ＧＴＲ方片制造技术。 展开更多
关键词 晶体管 电力晶体管 结终端 方片工艺 制造
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国内电压最高IGBT芯片研制成功
9
作者 李伟锋 《军民两用技术与产品》 2014年第1期29-29,共1页
由株洲南车时代电气股份有限公司自主研发的6500V高压绝缘栅双极型晶体管芯片（IGBT）及模块在湖南省株洲市通过省级鉴定。
关键词 IGBT 高压绝缘栅双极型晶体管 芯片 电压 国内 自主研发 株洲市 湖南省
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高压IGBT模块驱动应用分析
10
作者 吴仰兴 《电器工业》 2015年第9期67-70,共4页
文中阐述了Eupec的IGBT及2ED300C17-ST驱区动保护电路在GGYAj型电除尘用高频高压硅整流设备中的应用试验情况,证明采用IGBT及驱动保护电路能完全替代原设备中的IPM智能功率模块,IGBT与驱动保护电路应用成功不但可降低设备生产成本,而且... 文中阐述了Eupec的IGBT及2ED300C17-ST驱区动保护电路在GGYAj型电除尘用高频高压硅整流设备中的应用试验情况,证明采用IGBT及驱动保护电路能完全替代原设备中的IPM智能功率模块,IGBT与驱动保护电路应用成功不但可降低设备生产成本,而且为更大功率谐振变换器开发打下基础。 展开更多
关键词 IGBT 驱动保护 谐振变换器
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压接型IGBT功率模块加速老化试验方法 被引量：3
11
作者 李标俊 褚海洋 +1 位作者 庄志发 文军 《中国电力》 CSCD 北大核心 2022年第10期87-91,177,共6页
针对目前对压接型绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)可靠性评估测试工作的不足,从器件应用角度提出了可用于柔直功率模块的老化循环试验方法。结合不同试验工况下的理想试验波形及热阻模型得到了适用于不同... 针对目前对压接型绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)可靠性评估测试工作的不足,从器件应用角度提出了可用于柔直功率模块的老化循环试验方法。结合不同试验工况下的理想试验波形及热阻模型得到了适用于不同试验的结温波动公式。通过实验验测得到了压接型IGBT在老化试验下的结温波动波形,对所提方法进行了验证。 展开更多
关键词 压接型IGBT 结温 循环老化 热阻抗
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双极晶体管发射极电阻的提取方法及应用研究
12
作者 邱盛 王文捷 +1 位作者 王健安 张培健 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第2期164-167,共4页
以双多晶自对准互补双极器件中NPN双极晶体管为例,阐述了发射极电阻提取的基本原理和数学方法。在大电流情况下,NPN管的基极电流偏离理想电流是发射极串联电阻效应引起的。该提取方法综合考虑了辐照过程中NPN管的电流增益退化特性,分析... 以双多晶自对准互补双极器件中NPN双极晶体管为例,阐述了发射极电阻提取的基本原理和数学方法。在大电流情况下,NPN管的基极电流偏离理想电流是发射极串联电阻效应引起的。该提取方法综合考虑了辐照过程中NPN管的电流增益退化特性,分析了总剂量辐照效应对NPN管的损伤机理和模式。该提取方法适用于多晶硅发射极器件,也适用于SiGe HBT器件。 展开更多
关键词 多晶硅发射极 发射极电阻 总剂量辐照 电流增益退化
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用p埋层CMOS工艺制造横向磁敏晶体管
13
作者 邵传芬 《微电子学》 CAS CSCD 1992年第4期66-69,共4页
本文介绍了一种用P埋层CMOS工艺制造的横向磁敏晶体管(LMT)。器件结构是双基极、双集电极npn晶体管。它具有抑制侧向注入效应,即将注入集中于发射区的中部,在中性基区的少数载流子受到双重偏转作用,消除了横向无功电流。在CMOS工艺的基... 本文介绍了一种用P埋层CMOS工艺制造的横向磁敏晶体管(LMT)。器件结构是双基极、双集电极npn晶体管。它具有抑制侧向注入效应,即将注入集中于发射区的中部,在中性基区的少数载流子受到双重偏转作用,消除了横向无功电流。在CMOS工艺的基础上加了P埋层,消除了纵向无功电流。器件对磁场有良好的线性响应。 展开更多
关键词 LMT 线性响应 磁敏晶体管 CMOS工艺
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DCB 板的原材料对其性能的影响 被引量：1
14
作者 张晓辉 钟力生 徐传骧 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1997年第4期99-102,共4页
从原材料的角度，研究了制作ＤＣＢ板所使用的铜箔和陶瓷材料对其性能的影响。
关键词 电力半导体器件 陶瓷键合技术 半导体模块
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IGBT原理及应用 被引量：2
15
作者 欧阳志红 《科技信息》 2012年第33期I0109-I0109,共1页
IGBT是一种新型的电力电子器件,它综合了GTR和MOSFET的优点,控制方便、开关速度快、工作频率高、安全工作区大。随着电压、电流等级的不断提高,IGBT成为了大功率开关电源、变频调速和有源滤波器等装置的理想功率开关器件,在电力电子装... IGBT是一种新型的电力电子器件,它综合了GTR和MOSFET的优点,控制方便、开关速度快、工作频率高、安全工作区大。随着电压、电流等级的不断提高,IGBT成为了大功率开关电源、变频调速和有源滤波器等装置的理想功率开关器件,在电力电子装置中得到非常广泛的应用,已逐步取代晶闸管或GTO,本文将重点介绍IGBT原理及实际应用。 展开更多
关键词 IGBT 原理 应用
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InGaP/GaAsHBT费米统计律下的数值模拟计算
16
作者 彭鹏 李爱珍 陈建新 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2001年第4期379-383,共5页
用费米分布函数对HBT结构中载流子的分布进行了计算,与常用的玻尔兹曼统计律得到的载流子分布进行了比较分析。同时在热场发射-扩散模型的基础上,用两种方法得到的载流子分布分别对InGaP/GaAsHBT进行了数值模拟计算和分析。
关键词 费米统计律 载流子分布 异质结双极型晶体管 数值模拟
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应用于大容量高能量密度工况的IGBT并联均流技术综述 被引量：2
17
作者 张晓谞 谭大力 +1 位作者 王擎宇 腾腾 《电子测试》 2020年第5期101-103,90,共4页
本文对应用于电磁发射系统大容量高能量密度工况的开关器件并联均流技术进行了分析和总结。首先,概述了目前绝缘栅双极性晶体管(IGBT)的发展趋势与应用领域。其次,针对电磁发射系统的大容量高能量密度工况特点,总结分析了影响IGBT并联... 本文对应用于电磁发射系统大容量高能量密度工况的开关器件并联均流技术进行了分析和总结。首先,概述了目前绝缘栅双极性晶体管(IGBT)的发展趋势与应用领域。其次,针对电磁发射系统的大容量高能量密度工况特点,总结分析了影响IGBT并联均流的关键影响因素。接着,对比分析了目前改善均流效果的被动方法和主动方法的优势与不足。最后,对未来IGBT模块并联应用的发展提出了展望。 展开更多
关键词 并联IGBT 电磁发射系统 大容量高能量密度 改善均流方法
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为什么逆导型IGBT可以用于大功率CCM模式PFC电路
18
作者 Jaeeul Yeon 《世界电子元器件》 2022年第9期25-27,共3页
对于功率因数校正(PFC),通常使用升压转换器Boost拓扑结构。它可以最大限度地减少输入电流的谐波。同时IGBT是大功率PFC应用的最佳选择,如空调、加热、通风和空调(HVAC)以及热泵。理论上,在连续导通模式(CCM)下,通过IGBT反向续流永远不... 对于功率因数校正(PFC),通常使用升压转换器Boost拓扑结构。它可以最大限度地减少输入电流的谐波。同时IGBT是大功率PFC应用的最佳选择,如空调、加热、通风和空调(HVAC)以及热泵。理论上,在连续导通模式(CCM)下,通过IGBT反向续流永远不会发生。然而,在轻负载或瞬态条件下,由于升压电感Lboost和IGBT的输出电容Coss之间的共振,会有反向电流流过。 展开更多
关键词 CCM模式 轻负载 IGBT 升压转换器 反向电流 输出电容 逆导型 PFC电路
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由pnp双极型晶体管和PMOS构成的CMOS负阻单元
19
作者 陈乃金 郭维廉 +3 位作者 陈燕 王伟 张世林 毛陆虹 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期158-161,198,共5页
使用pnp双极型晶体管和pMOS,按照正反馈产生负阻I-V特性的原理,采用CMOS工艺,设计研制成功CMOS负阻单元,并对它进行了实际的测试与验证,效果良好,而且可以用它作为基础性器件,构成与CMOS工艺相兼容的负阻型逻辑电路,比常规CMOS电路节省... 使用pnp双极型晶体管和pMOS,按照正反馈产生负阻I-V特性的原理,采用CMOS工艺,设计研制成功CMOS负阻单元,并对它进行了实际的测试与验证,效果良好,而且可以用它作为基础性器件,构成与CMOS工艺相兼容的负阻型逻辑电路,比常规CMOS电路节省大量器件。 展开更多
关键词 负阻单元 互补型金属氧化物半导体 逻辑电路 双极晶体管 金属氧化物半导体场效应晶体管
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IGBT的驱动模块HR065
20
作者 樊秀丽 《煤炭技术》 CAS 2001年第11期16-18,共3页
介绍了HR0 6 5的工作原理。
关键词 HR065 引脚 电气特性 外围电路 IBGT 工作原理 电力电子器件
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