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He^+注入诱生微孔对金吸除作用的研究
1
作者
李恒
唐有青
游志朴
《四川大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期86-89,共4页
高注量的氦注入硅中并经热处理所形成的微孔,对金属原子的吸除作用已为大量的研究所证实.作者报道了该技术应用于平面二极管中对金杂质吸除的研究.其结果表明,在粗糙研磨表面上形成的氦诱生微孔,同样具有良好的吸除效果.
关键词
He^+注入诱生微孔
金
吸除作用
反向漏电流
微孔吸杂技术
氦
硅
金属杂质
平面二极管
下载PDF
职称材料
题名
He^+注入诱生微孔对金吸除作用的研究
1
作者
李恒
唐有青
游志朴
机构
四川大学物理系
出处
《四川大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期86-89,共4页
文摘
高注量的氦注入硅中并经热处理所形成的微孔,对金属原子的吸除作用已为大量的研究所证实.作者报道了该技术应用于平面二极管中对金杂质吸除的研究.其结果表明,在粗糙研磨表面上形成的氦诱生微孔,同样具有良好的吸除效果.
关键词
He^+注入诱生微孔
金
吸除作用
反向漏电流
微孔吸杂技术
氦
硅
金属杂质
平面二极管
Keywords
void
Au
gettering
leakage current
分类号
TN314.205 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
He^+注入诱生微孔对金吸除作用的研究
李恒
唐有青
游志朴
《四川大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2003
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