期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
He^+注入诱生微孔对金吸除作用的研究
1
作者 李恒 唐有青 游志朴 《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期86-89,共4页
高注量的氦注入硅中并经热处理所形成的微孔,对金属原子的吸除作用已为大量的研究所证实.作者报道了该技术应用于平面二极管中对金杂质吸除的研究.其结果表明,在粗糙研磨表面上形成的氦诱生微孔,同样具有良好的吸除效果.
关键词 He^+注入诱生微孔 金 吸除作用 反向漏电流 微孔吸杂技术 氦 硅 金属杂质 平面二极管
下载PDF
有场限环和横向变掺杂的平面结二极管电场分布的二维数值分析
2
作者 曾军 李肇基 陈星弼 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第5期18-24,共7页
本文提出了在模拟有浮空场限环(FFLR's)和横向变掺杂(VLD)结构的表面电场分布中所采用的一种新技术和新的环区边界条件,即低场点(LFP)边界条件。利用该技术在求解Poisson方程时,便能方便迅速正确地对具有上述结终端结构的平面结二... 本文提出了在模拟有浮空场限环(FFLR's)和横向变掺杂(VLD)结构的表面电场分布中所采用的一种新技术和新的环区边界条件,即低场点(LFP)边界条件。利用该技术在求解Poisson方程时,便能方便迅速正确地对具有上述结终端结构的平面结二极管的反向击穿特性进行二维数值模拟;同时,为进一步克服由于高反偏压导致的低求算效率,本文引入一套与外加偏压相关的归一化参数对Poisson方程进行归一化,并给出归一化参数随外加偏压变化的经验公式。利用上述技术,分别对平面结二极管以及具有双FFLR's的结构和由五段Gauss掺杂分布形成的VLD的结构的平面结二极管的表面电场进行二维数值分析,得到了满意的结果。 展开更多
关键词 平面结 二极管 数值分析 有场限环
下载PDF
采用离子注入工艺制造平面型LED 被引量：1
3
作者 刘洪楷 《光机电信息》 2000年第4期21-22,共2页
美国“注入科学公司(Implant ScienceCorp.)的研究人员展示了一种氮化镓(GaN)发光二极管(LED).这种LED是采用离子注入形成掺杂半导体层区的一种新工艺来制造的.采用这种工艺可以制造发蓝光的LEDs,进而还可用来制造激光二极管.这种器件... 美国“注入科学公司(Implant ScienceCorp.)的研究人员展示了一种氮化镓(GaN)发光二极管(LED).这种LED是采用离子注入形成掺杂半导体层区的一种新工艺来制造的.采用这种工艺可以制造发蓝光的LEDs,进而还可用来制造激光二极管.这种器件整体上具有平面型的结构,很适合于倒装式的凸点连接技术,可提高器件的可靠性和总体产额,即增加光输出. 展开更多
关键词 发光二极管 离子注入 平面型LED
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部