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400nm高性能紫光LED的制作与表征(英文)
1
作者
王东盛
郭文平
+8 位作者
张克雄
梁红伟
宋世巍
杨德超
申人升
柳阳
夏晓川
骆英民
杜国同
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期225-229,共5页
利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底表面制备了带有p-AlGaN电子阻挡层的400 nm高性能紫光InGaN多量子阱发光二极管。制作了3种紫光LED,分别带有不同p-AlGaN电子阻挡层结构:Al摩尔分数为9%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为11%...
利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底表面制备了带有p-AlGaN电子阻挡层的400 nm高性能紫光InGaN多量子阱发光二极管。制作了3种紫光LED,分别带有不同p-AlGaN电子阻挡层结构:Al摩尔分数为9%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为11%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为20%的10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层。带有高浓度Al电子阻挡层的紫光LED的光输出功率高于低浓度Al电子阻挡层的紫光LED。带有10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层的紫光LED的光输出功率获得了极大的提高,在20 mA注入电流时测试得到的光输出功率为21 mW。此外,该LED同时显示了在高注入电流下接近线性的I-L特性曲线和在LED芯片表面均匀的发光强度分布。
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关键词
金属有机物化学气相沉积
紫光发光二极管
GAN发光二极管
电子阻挡层
超晶格
下载PDF
职称材料
紫光LED验钞器套件的使用
2
作者
张军
《无线电》
2013年第3期86-86,共1页
熟悉紫光发光二极管的使用;了解验钞原理;在专用印制板上练习焊接技术;练习设计外壳(适合于通用技术教学)。
关键词
紫光LED
验钞器
套件
焊接技术
发光二极管
印制板
练习
原文传递
题名
400nm高性能紫光LED的制作与表征(英文)
1
作者
王东盛
郭文平
张克雄
梁红伟
宋世巍
杨德超
申人升
柳阳
夏晓川
骆英民
杜国同
机构
大连理工大学物理与光电学院
江苏新广联科技股份有限公司
中国科学院上海微系统与信息研究所信息功能材料国家重点实验室
吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期225-229,共5页
文摘
利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底表面制备了带有p-AlGaN电子阻挡层的400 nm高性能紫光InGaN多量子阱发光二极管。制作了3种紫光LED,分别带有不同p-AlGaN电子阻挡层结构:Al摩尔分数为9%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为11%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为20%的10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层。带有高浓度Al电子阻挡层的紫光LED的光输出功率高于低浓度Al电子阻挡层的紫光LED。带有10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层的紫光LED的光输出功率获得了极大的提高,在20 mA注入电流时测试得到的光输出功率为21 mW。此外,该LED同时显示了在高注入电流下接近线性的I-L特性曲线和在LED芯片表面均匀的发光强度分布。
关键词
金属有机物化学气相沉积
紫光发光二极管
GAN发光二极管
电子阻挡层
超晶格
Keywords
metal organic chemical vapor deposition
violet light emitting diodes
GaN light emitting diodes
electron blocking layer
super lattice
分类号
TN312.08 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
紫光LED验钞器套件的使用
2
作者
张军
出处
《无线电》
2013年第3期86-86,共1页
文摘
熟悉紫光发光二极管的使用;了解验钞原理;在专用印制板上练习焊接技术;练习设计外壳(适合于通用技术教学)。
关键词
紫光LED
验钞器
套件
焊接技术
发光二极管
印制板
练习
分类号
TN312.08 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
400nm高性能紫光LED的制作与表征(英文)
王东盛
郭文平
张克雄
梁红伟
宋世巍
杨德超
申人升
柳阳
夏晓川
骆英民
杜国同
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
下载PDF
职称材料
2
紫光LED验钞器套件的使用
张军
《无线电》
2013
0
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引用分析
参考文献
引证文献
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