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28nm HKMG技术中镍硅化物异常生长引发的失效
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作者 方精训 姜兰 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第9期838-843,共6页
针对28nm高介电常数金属栅(HKMG)技术研发初期出现的镍硅化物异常导致的失效进行了深入探究。发现第二道镍硅化物激光退火工艺对产品良率有重要影响。对裸晶内失效位置进行透射电子显微镜(TEM)检测,结果表明失效区域均为PMOS器件的SiGe... 针对28nm高介电常数金属栅(HKMG)技术研发初期出现的镍硅化物异常导致的失效进行了深入探究。发现第二道镍硅化物激光退火工艺对产品良率有重要影响。对裸晶内失效位置进行透射电子显微镜(TEM)检测,结果表明失效区域均为PMOS器件的SiGe区域。这意味着在相同的热预算条件下,PMOS的工艺窗口相较于NMOS会更狭窄。结合激光退火工艺特性,在首次扫描过程中,受降温阶段的影响,晶圆特定区域会累积额外热量,使得该区域热预算异常升高,镍硅化物产生异常,导致产品良率损失;当激光退火温度降低40℃,镍硅化物缺陷问题得以成功解决,产品良率也得到明显提升。 展开更多
关键词 镍硅化物 良率 激光退火 热预算 高介电常数金属栅(HKMG)
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