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基于静电键合过程模型的工艺仿真
1
作者 陈伟平 张丹 +1 位作者 刘晓为 揣荣岩 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期270-271,共2页
介绍了静电键合工艺仿真模型及其过程仿真,对平板电极、单点电极、多点电极的键合电流和键合进程进行了建模,采用动态工艺数据库方法完成了三种静电键合工艺下的可视化编程,实现了静电键合过程的可视化仿真与工艺CAD.
关键词 CAD 静电键合 工艺仿真 工艺数据库
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EBAS-1型电子注分析仪数据采集及控制系统
2
作者 张今朝 张福安 《微细加工技术》 EI 2000年第2期8-12,共5页
简要介绍了电子注分析仪数据采集及控制系统的重要性和基本结构 ,然后着重介绍了该系统的软、硬件设置及其工作原理。
关键词 电子注分析仪 数据采集 系统
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一种针对MCM互连的10 Gbit·s^(-1)自适应收发器
3
作者 戈勇 莫巍 +1 位作者 宁永成 王增福 《电子科技》 2013年第8期42-45,共4页
均衡和预加重方法是实现MCM高性能收发器的关键。文中采用MCM互连的四端口S参数传输线模型获得了信号衰减分布规律。在此基础上,采用0.13μm CMOS工艺,设计了一种基于MCM互连的高速收发器:发送端采用二阶预加重技术提高了信号高频分量... 均衡和预加重方法是实现MCM高性能收发器的关键。文中采用MCM互连的四端口S参数传输线模型获得了信号衰减分布规律。在此基础上,采用0.13μm CMOS工艺,设计了一种基于MCM互连的高速收发器:发送端采用二阶预加重技术提高了信号高频分量的增益,并通过高速CML驱动电路发送数据;接收端采用连续时间线性均衡器和基于LMS算法的自适应均衡器。仿真结果表明,该结构的MCM收发器完成了对10 Gbit.s-1随机信号的收发,补偿了高达-30 dB的互连损耗,并消除了码间干扰(ISI),总功耗仅为23.3 mW。 展开更多
关键词 MCM 适应 均衡 CML
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碳酸钡纳米棒的合成与表征 被引量：2
4
作者 朱仁志 张欢 +3 位作者 王淞 王帅 刘汉鼎 裴立宅 《材料研究与应用》 CAS 2014年第2期108-111,共4页
以乙酸钡和碳酸钠为原料,添加5%的乙二胺,采用水热法制备了碳酸钡纳米棒.X射线衍射（XRD）分析结果表明,该纳米棒由斜方结构的BaCO3晶相构成;扫描电子显微镜（SEM）结果显示,所得的纳米棒长度小于1μm,直径约50~150nm.乙二胺的浓度、水... 以乙酸钡和碳酸钠为原料,添加5%的乙二胺,采用水热法制备了碳酸钡纳米棒.X射线衍射（XRD）分析结果表明,该纳米棒由斜方结构的BaCO3晶相构成;扫描电子显微镜（SEM）结果显示,所得的纳米棒长度小于1μm,直径约50~150nm.乙二胺的浓度、水热温度和保温时间对碳酸钡纳米棒的形成有重要的影响.当乙二胺的添加量为5%时,在180℃下保温24h,所得的碳酸钡主要由纳米结构构成. 展开更多
关键词 碳酸钡纳米棒 生长条件 影响 扫描电子显微镜
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超声波清洗在IC电镀设备中的应用研究 被引量：1
5
作者 陈庆伟 李习周 +1 位作者 聂燕 邵荣昌 《电子工业专用设备》 2015年第8期30-32,41,共4页
介绍了超声波清洗的原理,通过研究超声波清洗的特性和对产品表面的损伤,结合IC电镀中的实际问题,总结出超声波清洗的使用条件和实际使用中所具备的优势,为电镀设备的设计和实际使用提供参考。
关键词 超声波清洗 原理 电镀设备
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超微细加工及设备
6
《中国光学》 EI CAS 1998年第4期90-91,共2页
TN305.7 98042731同步辐射x射线光刻实验研究=Experimental re-search on synchronous radiation X—ray pho-tolithography[刊,中]/谢常青,陈梦真,赵玲莉,孙宝银,韩敬东(中科院微电子中心.北京(100010)),朱樟震,张菊芳(中科院高能所.北... TN305.7 98042731同步辐射x射线光刻实验研究=Experimental re-search on synchronous radiation X—ray pho-tolithography[刊,中]/谢常青,陈梦真,赵玲莉,孙宝银,韩敬东(中科院微电子中心.北京(100010)),朱樟震,张菊芳(中科院高能所.北京(100039))∥半导体技术.—1997,(6). 展开更多
关键词 同步辐射装置 半导体技术 电子中心 中科院 工艺技术 深亚微米栅 实验研究 光刻系统 超微细加工 射线
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喷雾式涂胶的新应用
7
作者 C.Brubaker M.Wimplinger +1 位作者 P.Keener S.Pargfrieder 《电子工业专用设备》 2005年第F03期31-34,共4页
讨论喷雾式涂胶(Spray oating)的多种新应用。在表面形貌起伏很大的表面均匀的涂布光刻胶是一项非常有挑战性的工作．喷雾式涂胶正是为了满足这个挑战而开发的。实践证明．与传统的旋涂技术相比．喷雾式涂胶可以在保持光刻胶胶均匀性的... 讨论喷雾式涂胶(Spray oating)的多种新应用。在表面形貌起伏很大的表面均匀的涂布光刻胶是一项非常有挑战性的工作．喷雾式涂胶正是为了满足这个挑战而开发的。实践证明．与传统的旋涂技术相比．喷雾式涂胶可以在保持光刻胶胶均匀性的同时显著的节约光刻胶的用量。此技术也被发现可用于非圆形衬底和多件衬底同时涂布。此外．此技术也可以为脆弱的结构提供保护性涂胶以及填充悬空的结构。 展开更多
关键词 光刻胶 涂胶 衬底 布光 旋涂 均匀性 表面形貌 喷雾 填充 涂布
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如何以热饱和效应克服晶圆凸块回焊制程的问题
8
作者 吴文恺 《电子工业专用设备》 2005年第5期47-48,共2页
以热板式回流炉所特有之高速热饱和的优势。
关键词 热饱各 晶圆凸块 回焊
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英特尔3亿开工上海第三厂研发闪存封装等
9
《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期80-81,共2页
英特尔公司近日宣布，英特尔技术开发(上海1有限公司正式成立，总投资超过3亿元人民币(3900万美元)，是英特尔继芯片测试和封装工厂后在浦东的第三期投资。这家被英特尔命名为“PD3”的新公司位于英特尔产品(上海)有限公司园区内，在外... 英特尔公司近日宣布，英特尔技术开发(上海1有限公司正式成立，总投资超过3亿元人民币(3900万美元)，是英特尔继芯片测试和封装工厂后在浦东的第三期投资。这家被英特尔命名为“PD3”的新公司位于英特尔产品(上海)有限公司园区内，在外高桥保税区的这片厂区里，新公司的两兄弟“PD1”、“PD2”在1998年之后陆续出生，分别从事着芯片测试和封装业务。 展开更多
关键词 封装 上海 闪存 研发 开工 有限公司 芯片测试 英特尔公司 1998年 技术开发 人民币 总投资 PD3 保税区 外高桥
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Ge^+注入Si_(1-x)Ge_x/Si异质结的退火行为 被引量：1
10
作者 罗益民 陈振华 黄培云 《中南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期560-565,共6页
在注入能量为100keV时,将注入剂量为5.3×1016/cm2的Ge+注入(001)SIMOX硅膜中制备Si1-xGex/Si异质结;然后,对样品进行碘钨灯快速热退火,退火温度为700~1050℃,退火时间为5~30min。对样品的(004)和(113)面X射线衍射数据进行计算和分... 在注入能量为100keV时,将注入剂量为5.3×1016/cm2的Ge+注入(001)SIMOX硅膜中制备Si1-xGex/Si异质结;然后,对样品进行碘钨灯快速热退火,退火温度为700~1050℃,退火时间为5~30min。对样品的(004)和(113)面X射线衍射数据进行计算和分析,得出退火温度为1000℃、退火时间为30min为最佳退火条件。在此退火条件下,假设固相外延生长为赝晶生长,90%的注入Ge+位于替代位置,若同时考虑应变弛豫,则位于替代位置的Ge+达到理论最大值的82%,共格因子为0.438。由于高剂量Ge+注入引起表面晶格损伤严重以及应变弛豫释放的位错和缺陷,因此,表面结晶质量不太理想。 展开更多
关键词 离子注入 Si1-xGe/Si异质结 退火行为 X射线衍射
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纳米结构PVD涂层可保护精密机加工产品
11
作者 杨英惠（摘译） 《现代材料动态》 2006年第4期12-13,共2页
台湾纳米超晶格工艺公司开发出一项工艺，利用该工艺可在高真空环境中以离子注入和磁控溅射结合用于钛、铝、钒等的氮化物薄膜沉积。该公司可以用纳米结构PVD涂层包覆半导体、精密机床和长途通信等设施元件。
关键词 PVD涂层 纳米结构 精密机床 加工产品 保护 纳米超晶格 磁控溅射 离子注入 真空环境 薄膜沉积
原文传递
多芯片组件的热三维有限元模拟与分析 被引量：7
12
作者 秦向南 杨平 +1 位作者 沈才俊 廖宁波 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第9期10-13,共4页
以ATMEL公司生产的MCM的内部结构、尺寸和材料为基础,在有限元分析软件ANSYS的环境下建立了该MCM的三维模型。对该MCM在典型工作模式下内部和封装表面温度场分布情况进行了模拟,并分析了该MCM工作时各部分散热比例情况和MCM各部分材料... 以ATMEL公司生产的MCM的内部结构、尺寸和材料为基础,在有限元分析软件ANSYS的环境下建立了该MCM的三维模型。对该MCM在典型工作模式下内部和封装表面温度场分布情况进行了模拟,并分析了该MCM工作时各部分散热比例情况和MCM各部分材料的热导率对内部温度的影响。MCM表面温度的模拟结果和用红外热像仪测得的结果基本一致,有限元模型和分析方法能够比较精确地反映MCM温度场分布。 展开更多
关键词 电子技术 多芯片组件 热模拟 有限元法 ANSYS
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一种氧离子注入诱生缺陷的TEM表征
13
作者 颜秀文 刘东明 胡刚 《材料导报（纳米与新材料专辑）》 2009年第1期61-62,70,共3页
在利用氧离子注入工艺制备SOI材料的过程中，发现了一种“纳米网状”的结构缺陷。利用透射电镜、选区电子衍射和能谱分析对该缺陷进行了研究。结果表明，该缺陷呈网状，化学成分为硅和氧。初步研究认为，氧离子注入硅中所产生的穿通位... 在利用氧离子注入工艺制备SOI材料的过程中，发现了一种“纳米网状”的结构缺陷。利用透射电镜、选区电子衍射和能谱分析对该缺陷进行了研究。结果表明，该缺陷呈网状，化学成分为硅和氧。初步研究认为，氧离子注入硅中所产生的穿通位错是形成该类缺陷的主要原因。 展开更多
关键词 晶体缺陷 离子注入 位错 透射电子显微镜
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基于模糊PID的光刻机同步扫描控制
14
作者 盛壮 唐小萍 +4 位作者 胡松 李兰兰 谢飞 李金龙 徐锋 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第9期591-595,605,共6页
基于模糊PID控制理论,介绍了步进扫描光刻机中工件台同步扫描的控制方法,并简要介绍了相关的控制理论基础知识,详细阐述了模糊控制器的制作过程和模糊规则的制定方法。另外针对同步扫描控制的难点,简要介绍了步进扫描光刻机的同步扫描过... 基于模糊PID控制理论,介绍了步进扫描光刻机中工件台同步扫描的控制方法,并简要介绍了相关的控制理论基础知识,详细阐述了模糊控制器的制作过程和模糊规则的制定方法。另外针对同步扫描控制的难点,简要介绍了步进扫描光刻机的同步扫描过程,而且建立了同步运动的执行器直线电机的仿真模型。采用模糊PID理论对同步扫描系统进行控制策略研究,仿真实验表明,硅片台稳态误差及掩膜台稳态误差能够快速衰减达到稳定状态,而同步误差的精度也能达到微米级别。这种方案具有较好的动态特性及鲁棒性,同步误差较小,有望满足高精度同步扫描的要求。 展开更多
关键词 双直线电机 同步扫描 模糊PID控制 SIMULINK 光刻
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信息检索
15
《洁净与空调技术》 1996年第1期63-63,
【正】 自本刊在1995年第2期信息检索专栏中介绍了国际能源机构煤炭研究出版物后,接到大量读者来函来电询问索取正式报告文本的各种有关问题。经本刊与该机构联系后,现将有关情况答复如下: 1. 该机构发行的研究报告均非无偿赠送品,每... 【正】 自本刊在1995年第2期信息检索专栏中介绍了国际能源机构煤炭研究出版物后,接到大量读者来函来电询问索取正式报告文本的各种有关问题。经本刊与该机构联系后,现将有关情况答复如下: 1. 该机构发行的研究报告均非无偿赠送品,每份报告有3种价格,分为成员国、非成员国和成员教育机构,其中非成员国单位或人员索取报告的价格最高。 2.该机构通讯地址未变(详参阅第2期第60页),而电话、传真有如下变更: 展开更多
关键词 信息检索 排放物 燃煤电厂 国际能源机构 非成员国 煤炭 报告文本 燃煤电站 磨煤系统 宏观和微观结构
全文增补中
离子注入机靶室尘埃污染与系统改造 被引量：2
16
作者 陈毅功 《电子工业专用设备》 2002年第2期103-105,共3页
讨论了离子注入机尘埃污染的原因 ,给出了用冷凝泵系统取代扩散泵系统的改造实践 ,并提出了预防维修措施以全面减少尘埃污染。
关键词 靶室 系统改造 离子注入机 尘埃 污染 冷凝泵 晶片
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268相对破坏应力的概念及其在电子封装焊接可靠性的应用
17
《电子产品可靠性与环境试验》 2002年第6期65-65,共1页
关键词 相对破坏应力 电子封装 焊接 可靠性
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分布串联横向电阻Spindt型FEA的研究 被引量：1
18
作者 王炜 李德杰 +1 位作者 姚保纶 张金驰 《微细加工技术》 EI 2000年第2期13-18,共6页
提出了一种新型的分布串联横向电阻Spindt型FEA的制作工艺。通过溅射的办法制备了各层电极、绝缘层以及FEA电阻层。利用磁增强反应离子刻蚀设备 ,刻蚀出Mo薄膜电极图案和直径 1 μm ,深度 1 μm的SiO2 绝缘层圆孔。利用电子束双源蒸发设... 提出了一种新型的分布串联横向电阻Spindt型FEA的制作工艺。通过溅射的办法制备了各层电极、绝缘层以及FEA电阻层。利用磁增强反应离子刻蚀设备 ,刻蚀出Mo薄膜电极图案和直径 1 μm ,深度 1 μm的SiO2 绝缘层圆孔。利用电子束双源蒸发设备 ,蒸发Al和Mo薄膜 ,得到Mo的微尖阵列 ,制成了分布串联横向电阻Spindt型FEA。 展开更多
关键词 Spindt型FEA 分布串联横向电阻 光刻 电子束蒸发
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国内外光刻胶处理装置的发展概况 被引量：1
19
作者 白荣宗 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第5期8-11,共4页
本文以亚微米工艺的批量生产为目的,对匀胶/显影机及有关光刻胶处理系统的一些设备的国内外的概况做一综述。
关键词 微细加工 光刻胶 处理装置 半导体
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磁控溅射类金刚石碳膜的显微硬度 被引量：1
20
作者 吕反修 杨金旗 +1 位作者 杨保雄 叶锐曾 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第6期548-553,共6页
采用显微硬度测试方法,研究在单晶硅衬底上沉积厚度仅为0.09-0.56μm的磁控溅射类金刚石碳膜的力学性能。结果表明,溅射碳膜的硬度随溅射工艺参数呈规律性变化,且可以和碳膜的类金刚石性质以及碳膜结构的SP^3和SP^2成分的变化相联系。采... 采用显微硬度测试方法,研究在单晶硅衬底上沉积厚度仅为0.09-0.56μm的磁控溅射类金刚石碳膜的力学性能。结果表明,溅射碳膜的硬度随溅射工艺参数呈规律性变化,且可以和碳膜的类金刚石性质以及碳膜结构的SP^3和SP^2成分的变化相联系。采用Johnson复合硬度模型进行的分析表明,溅射碳膜的真实硬度在HV6000-6600之间,比天然金刚石的硬度略低。溅射类金刚石碳膜具有明显的压痕尺寸效应(ISE),其指数约为m=1.9。 展开更多
关键词 显微硬度 类金刚石 薄膜 碳膜 溅射
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