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碱锑型光电阴极非晶特性研究及Cs的体作用 被引量：1
1
作者 潘栋 牛憨笨 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第11期65-69,共5页
本文从迁移率涉及的单晶理论的局限出发，对碱锑型光电阴极建立了类似于非晶半导体的能带结构模型。用ＭｏｔｔＤａｖｉｓ的电导理论首次成功地解释了这类光电阴极的的电导特性，并用晶界间悬挂键的补偿作用解释了Ｃｓ的体积作用这一困... 本文从迁移率涉及的单晶理论的局限出发，对碱锑型光电阴极建立了类似于非晶半导体的能带结构模型。用ＭｏｔｔＤａｖｉｓ的电导理论首次成功地解释了这类光电阴极的的电导特性，并用晶界间悬挂键的补偿作用解释了Ｃｓ的体积作用这一困惑很久的问题。文中得出几种碱锑阴极非晶特性强弱（有序度）的结果是自洽性的。这种类非晶模型对长期以来碱锑型光电阴极的晶态理论作出了修正，对碱锑光电阴极的认识和发展具有重要的意义。 展开更多
关键词 碱锑型光电阴极 非晶半导体
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敏感材料（10篇）
2
《国外传感技术》 2005年第1期30-32,共3页
非晶材科与非晶传感器；敏感材料的结构与FET漂移分析；稀土类塑料磁铁；非晶磁性材料及其应用；
关键词 敏感材料 传感器 FET 磁铁 漂移 非晶 稀土
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Al/BaTiO_3/Si结构的湿敏特性与机理研究 被引量：4
3
作者 李观启 吴英才 +2 位作者 黄美浅 曾绍鸿 刘百勇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第10期1628-1635,共8页
利用氩离子束镀膜技术,在N型(100)硅单晶片上淀积钛酸钡膜,并制成MIS结构.在室温下测试其电容-相对湿度(C-RH)特性和电流-相对湿度(I-RH)特性.研究退火条件与固定电荷密度和吸湿灵敏度的关系.结果表明:当相对湿度从12%变化到92%时,在1MH... 利用氩离子束镀膜技术,在N型(100)硅单晶片上淀积钛酸钡膜,并制成MIS结构.在室温下测试其电容-相对湿度(C-RH)特性和电流-相对湿度(I-RH)特性.研究退火条件与固定电荷密度和吸湿灵敏度的关系.结果表明:当相对湿度从12%变化到92%时,在1MHz的测试频率下,电容值变化了48%.在3V偏压下,电流变化了430%,且高湿时的灵敏度比低温时高.随着膜中氧组分的增大,固定电荷密度减小,吸湿响应时间增长,电流变化率下降.文中利用等效方法确定膜中的孔隙体积比和BaTiO,成分的介电常数,建立了描述C-RH特性的物理吸附模型.考虑化学吸附产生的H^+对界面势垒和电场的影响,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧穿机构对I-RH特性进行了解释. 展开更多
关键词 钛酸钡 MIS 湿敏特性 湿度传感器
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两种不同AIN粉末的烧结和热传导特性比较 被引量：2
4
作者 李星国 姜辉恩 +1 位作者 张同俊 赵兴中 《功能材料》 EI CAS CSCD 1994年第3期264-268,272,共6页
本文对Ａｌ＿２Ｏ＿３碳还原氮化法和Ａｌ直接氮化法所制作的两种ＡｌＮ粉体的特性进行了分析和比较，然后研究了这两种粉体在添加０～１５ｗｔ．％的Ｙ＿２Ｏ＿３烧结助剂的条件下，经２０７３Ｋ烧结后的密度变化以及在室温下的热传导... 本文对Ａｌ＿２Ｏ＿３碳还原氮化法和Ａｌ直接氮化法所制作的两种ＡｌＮ粉体的特性进行了分析和比较，然后研究了这两种粉体在添加０～１５ｗｔ．％的Ｙ＿２Ｏ＿３烧结助剂的条件下，经２０７３Ｋ烧结后的密度变化以及在室温下的热传导特性。 展开更多
关键词 AIN粉末 碳还原氮化法 直接氮化法 常压烧结 热传导
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低温共烧陶瓷(LTCC)工艺的研究 被引量：19
5
作者 吕琴红 李俊 《电子工业专用设备》 2009年第10期22-25,共4页
低温共烧陶瓷(LTCC)技术是近年发展起来的令人瞩目的整合组件技术,已经成为无源集成的主流技术,成为无源元件领域的发展方向和新的元件产业的经济增长点。叙述了低温共烧陶瓷技术(LTCC)的制备工艺以及未来应用前景。
关键词 低温共烧陶瓷 LTCC工艺 基板
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掺SrLi_(1/4)Nb_(3/4)O_3的SrTiO_3氧敏材料特性的研究 被引量：2
6
作者 赵景畅 鲍慈光 +1 位作者 杨宗璐 吴兴惠 《云南大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1997年第2期153-156,共4页
利用Ｈ２／Ｈ２Ｏ体系控制氧分压，采用四电极法测量了掺杂ＳｒＬｉ１／４Ｎｂ３／４Ｏ３的ＳｒＴｉＯ３瓷体在８００～１２００℃，ＰＯ２＝１０－１５～１０５Ｐａ下的电导率，当ｐ＜１００Ｐａ，σ∝Ｐ－１／８Ｏ２；ｐＯ２≥１００... 利用Ｈ２／Ｈ２Ｏ体系控制氧分压，采用四电极法测量了掺杂ＳｒＬｉ１／４Ｎｂ３／４Ｏ３的ＳｒＴｉＯ３瓷体在８００～１２００℃，ＰＯ２＝１０－１５～１０５Ｐａ下的电导率，当ｐ＜１００Ｐａ，σ∝Ｐ－１／８Ｏ２；ｐＯ２≥１００Ｐａ，电导率随ｐＯ２变化较为平缓． 展开更多
关键词 半导体陶瓷 氧敏材料 氧敏性能 钛酸锶
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氢化非晶硅光吸收系数的计量模式对少子扩散长度测量的影响 被引量：1
7
作者 张治国 宿昌厚 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第4期363-366,共4页
报道了a—Si:H的光吸收系数计量模式对少子扩散长度SPV法测量结果的影响。得出了a-Si:H表面存在氧化层的结论,并导出了一个与实际情况较符合的吸收系数α的计量模型。实验证明这个新模型对a-Si:H/snO_2/Glass样品的实际测量结果与理论... 报道了a—Si:H的光吸收系数计量模式对少子扩散长度SPV法测量结果的影响。得出了a-Si:H表面存在氧化层的结论,并导出了一个与实际情况较符合的吸收系数α的计量模型。实验证明这个新模型对a-Si:H/snO_2/Glass样品的实际测量结果与理论符合得很好。 展开更多
关键词 氢化非晶硅 吸收系数 扩散长度
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不同施主掺杂对(Sr_(0.3)Ba_(0.7))TiO_3系热敏LPTC电阻率的影响 被引量：5
8
作者 郝虎在 田玉明 《电子器件》 CAS 2001年第4期390-394,共5页
本文研究了 Nb2 O5、Y2 O3 或 Sb2 O3 不同施主掺杂对 Sr0 .3 Ba0 .7) Ti O3 热敏陶瓷 LPTCR的影响 ,并讨论了不同施主掺杂的不同半导化机理。发现在本实验条件下掺 Nb的 (Sr0 .3 Ba0 .7) Ti O3 热敏陶瓷为缓变形 LPTC,掺 Sb和 Y的 (Sr0... 本文研究了 Nb2 O5、Y2 O3 或 Sb2 O3 不同施主掺杂对 Sr0 .3 Ba0 .7) Ti O3 热敏陶瓷 LPTCR的影响 ,并讨论了不同施主掺杂的不同半导化机理。发现在本实验条件下掺 Nb的 (Sr0 .3 Ba0 .7) Ti O3 热敏陶瓷为缓变形 LPTC,掺 Sb和 Y的 (Sr0 .3 Ba0 .7) Ti O3 热敏陶瓷为突变型 LPTC,且掺 Sb的 LPTC线性度最好 ,线性温区较宽。 展开更多
关键词 热敏陶瓷 施主掺杂 LPTCR 电阻率
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SiO_2掺杂SnO_2-ZnO-Nb_2O_5压敏陶瓷的电学特性 被引量：1
9
作者 田青 王勇军 董火民 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2000年第5期9-10,共2页
研究了 Si O2 掺杂对 Sn O2 - Zn O- Nb2 O5 压敏陶瓷的影响。实验结果表明 ,Si O2 可以十分显著地影响Sn O2 - Zn O- Nb2 O5 压敏陶瓷的物理和电子性质。掺杂范围为 0 .0 5 %～ 0 .40 % (摩尔分数 )时 ,材料密度在 6.2 1～ 6.5 6g/ cm... 研究了 Si O2 掺杂对 Sn O2 - Zn O- Nb2 O5 压敏陶瓷的影响。实验结果表明 ,Si O2 可以十分显著地影响Sn O2 - Zn O- Nb2 O5 压敏陶瓷的物理和电子性质。掺杂范围为 0 .0 5 %～ 0 .40 % (摩尔分数 )时 ,材料密度在 6.2 1～ 6.5 6g/ cm3之间变动 ,非线性系数在 7.42～ 12 .80之间。烧失率、势垒电压和非线性系数的测量均表明 :掺有x (Si O2 ) =0 .2 %的 Sn O2 - Zn O- Nb2 O5 压敏陶瓷的非线性最好 ,其势垒电压为 0 .67e V,非线性系数达 12 . 展开更多
关键词 压敏电阻 势垒电压 二氧化硅 电学特性 压敏陶瓷
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多功能ABO3型金属氧化物薄膜及其水热法和电化学—水热法合成
10
作者 许华平 陈逸清 《上海微电子技术和应用》 1995年第2期5-12,共8页
功能陶瓷薄膜化技术的飞速发展给新颖功能器件的研究和开展带来了巨大活力。本文回顾了复杂金属氧化物薄膜的制备技术，着重介绍了最新发展起来的低温氧化物薄膜工艺：水热法和电化学－水热法，并对水热反应沉膜机理作了分析。
关键词 金属氧化物 陶瓷薄膜 水热法 电化学 合成
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非晶半导体发展及应用
11
作者 杨红 崔容强 +1 位作者 于化丛 刘明义 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第5期57-60,共4页
论述了非晶半导体及其器件的发展。重点介绍了利用非晶材料制成的太阳电池、场效应管、电荷耦合器件、发光器件、电子开关与光盘、敏感器件如热敏电阻、定位传感器、氢敏二极管、辨色器、摄像管、复印鼓等的原理、特征及应用，揭示了非... 论述了非晶半导体及其器件的发展。重点介绍了利用非晶材料制成的太阳电池、场效应管、电荷耦合器件、发光器件、电子开关与光盘、敏感器件如热敏电阻、定位传感器、氢敏二极管、辨色器、摄像管、复印鼓等的原理、特征及应用，揭示了非晶半导体这一研究领域广阔的发展前景。 展开更多
关键词 非晶半导体 器件 特征
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阳离子对Er^(3+)掺杂硼酸盐玻璃结构和发光特性的影响
12
作者 周永亮 张晓松 +2 位作者 冯志军 凌志 李岚 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期606-610,共5页
针对Si/Al掺杂量增大使BaO-(1-x)SiO2-xAl2O3-B2O3-0.005Er3+(x=0,0.5,1,摩尔分数)玻璃样品的1 540 nm红外发光和540 nm上转换发光强度呈现相反的变化趋势,讨论了阳离子掺杂对稀土离子周边对称性和电负性变化与荧光行为的内在关系。红... 针对Si/Al掺杂量增大使BaO-(1-x)SiO2-xAl2O3-B2O3-0.005Er3+(x=0,0.5,1,摩尔分数)玻璃样品的1 540 nm红外发光和540 nm上转换发光强度呈现相反的变化趋势,讨论了阳离子掺杂对稀土离子周边对称性和电负性变化与荧光行为的内在关系。红外傅里叶透射光谱显示,不同掺杂浓度下样品的最大声子能量没有明显变化,说明光谱随掺杂浓度的变化与玻璃体系的最大声子能量无关。根据Judd-Ofelt理论计算了4I13/2和4S3/2能级的光学参数,通过比较两能级的跃迁几率(A)、寿命(τ)、荧光分支比(β)和受激发射截面(σ)等光学参数,发现4I13/2能级和4S3/2能级的相关参数呈现相反的趋势。最后测试了样品4I13/2能级下1 540 nm的寿命,进一步从电负性角度考虑了样品的发光效率。理论计算和实验结果相符。 展开更多
关键词 硼酸盐玻璃 红外发光 上转换发光 Judd—Ofelt理论
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自洽法计算非晶硅的带隙态密度 被引量：2
13
作者 王广民 朱秉升 《华东工学院学报》 CAS CSCD 1989年第1期66-70,共5页
本文叙述了一个场效应电导测量氢化非晶硅(a—Si:H)带隙态密度的数据处理方法。该法放弃了对空间电荷区电荷、电场和电势分布的任何假设,采用电子占据局域态的费米统计分布和占据扩展态的玻耳兹曼分布,应用自洽的原理,能够在较大的能量... 本文叙述了一个场效应电导测量氢化非晶硅(a—Si:H)带隙态密度的数据处理方法。该法放弃了对空间电荷区电荷、电场和电势分布的任何假设,采用电子占据局域态的费米统计分布和占据扩展态的玻耳兹曼分布,应用自洽的原理,能够在较大的能量范围内计算出a-Si:H的带隙态密度分布,运算过程中以电势V为自变量,减少了对电势、电场和电荷密度等量空间分布的计算,简化了分析,提高了精度,减少了运算量。应用该法计算出了a—Si:H样品的带隙态密度在费米能级以上0.1eV到0.45 eV能量范围内的分布,它的最小值在费米能级附近,约为10^(16)cm^(-3)·eV^(-1)。 展开更多
关键词 非晶硅 自洽法 带隙态密度
全文增补中
瞬态电荷收集法研究a-Si:H/a-SiN:H界面处的电子积累
14
作者 阎宝杰 石立峰 +2 位作者 耿新华 孙仲林 徐温元 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第2期93-96,共4页
本文介绍一种研究a-Si:H/a-SiN:H界面层电子积累特性的新方法,所用样品为Cr/a-SiN:H/a-Si:H/(n+)a-Si:H/AI.测试表明,a-Si:H/a-SiN:H界面是一个电子积累层,其电子面密度为3.2×10^(11)/cm^2,并且界面层中的电子面密度随外加电压的... 本文介绍一种研究a-Si:H/a-SiN:H界面层电子积累特性的新方法,所用样品为Cr/a-SiN:H/a-Si:H/(n+)a-Si:H/AI.测试表明,a-Si:H/a-SiN:H界面是一个电子积累层,其电子面密度为3.2×10^(11)/cm^2,并且界面层中的电子面密度随外加电压的增加而线性增加。实验结果与理论分析相一致。 展开更多
关键词 电子积累 场效应晶体管 非晶硅
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(Ba,Pb)TiO_3系高温PTC半导体材料研究
15
作者 智宇 陈昂 《浙江大学学报（自然科学版）》 CSCD 1992年第5期619-620,共2页
本文研究了含铅高温PTC半导体陶瓷材料的性能和工艺特点。采用快速烧结法获得了性能优良的(Ba,Pb)TiO_3系半导体材料。
关键词 PTC材料 铅 烧结 半导体材料
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玻璃中的半导体量子点
16
作者 吴畅书 李永升 +1 位作者 刘炳灿 田强 《物理实验》 北大核心 2002年第2期3-7,14,共6页
介绍了玻璃中的半导体量子点 .对玻璃中半导体量子点的生长过程、量子点的电子态 ,量子尺寸效应、库仑阻塞效应及介电效应 ,做了比较全面的介绍 .
关键词 半导体量子点 玻璃 量子受限 尺寸效应 库仑阻塞 介电效应 生长过程 电子态
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电场增强Ni诱导非晶硅横向结晶及其电迁移效应 被引量：1
17
作者 王光伟 张建民 +1 位作者 张平 许书云 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期588-592,共5页
在外加直流电场作用下,Ni诱导非晶硅(a-Si)薄膜发生横向结晶。影响Ni诱导a-Si薄膜横向结晶的因素有很多,如场强、反应以及退火条件等。适当强度的电场能显著加快Ni横向诱导a-Si结晶速率,当场强超过某一临界值,则该速率降低。基于电迁移... 在外加直流电场作用下,Ni诱导非晶硅(a-Si)薄膜发生横向结晶。影响Ni诱导a-Si薄膜横向结晶的因素有很多,如场强、反应以及退火条件等。适当强度的电场能显著加快Ni横向诱导a-Si结晶速率,当场强超过某一临界值,则该速率降低。基于电迁移效应,给出较为合理的解释。 展开更多
关键词 金属诱导横向结晶 电场增强横向诱导结晶 扩散 固相反应 电迁移 晶粒生长
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硅衬底的SrTiO_3淀积膜的湿敏特性与机理研究 被引量：3
18
作者 李观启 尤文俊 +2 位作者 黄美浅 曾绍洪 黄钊洪 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期160-167,共8页
对无定形多孔ＳｒＴｉＯ３膜电导率随相对湿度的变化进行了理论模型分析．该模型也适用于其他多孔半导体陶瓷材料．实验样品用氩离子束镀膜技术在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上淀积ＳｒＴｉＯ３膜并制成平面型电阻结构．结果表明，在室温下，当... 对无定形多孔ＳｒＴｉＯ３膜电导率随相对湿度的变化进行了理论模型分析．该模型也适用于其他多孔半导体陶瓷材料．实验样品用氩离子束镀膜技术在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上淀积ＳｒＴｉＯ３膜并制成平面型电阻结构．结果表明，在室温下，当相对湿度从１２％变化至５３％时，电流缓慢下降；而当相对湿度从５３％变化至９２％时，电流又显著上升，即在高湿度条件下具有良好的湿敏特性．电流及其在高湿条件下的上升率随测试频率而增大．吸附响应时间明显长于脱附时间． 展开更多
关键词 硅衬底 陶瓷半导体 薄膜 钛酸锶 湿敏特性
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TiO_2对Y掺杂PTCR陶瓷材料性能的影响 被引量：3
19
作者 王依琳 姚尧 +1 位作者 赵梅瑜 祝炳和 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期744-748,共5页
本文对TiO_2原料的品型、颗粒状况和纯度对γ3+掺杂BaTiO_3基PTCR材料的显微结构、电性能的影响作了探讨．结果表明，TiO_2原料的晶型、颗粒大小和团聚状况都将影响到PTCR陶瓷的显微结构．TiO_2原料的晶型对PTCR陶瓷半导化过程有影响．... 本文对TiO_2原料的品型、颗粒状况和纯度对γ3+掺杂BaTiO_3基PTCR材料的显微结构、电性能的影响作了探讨．结果表明，TiO_2原料的晶型、颗粒大小和团聚状况都将影响到PTCR陶瓷的显微结构．TiO_2原料的晶型对PTCR陶瓷半导化过程有影响．原料存在杂质和团聚，将使PTCR陶瓷的电阻—温度特性变差． 展开更多
关键词 PTCR材料 氧化钛 钇 掺杂 陶瓷半导体
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AST液相掺杂对低电阻率、高抗电强度BaTiO_3半导瓷显微结构及电性能影响 被引量：4
20
作者 姜胜林 周东祥 +1 位作者 龚树萍 汪小红 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期532-533,共2页
通过改变低电阻率BaTiO3半导体陶瓷中液相添加剂AST的含量 ,采用XRD和SEM显微分析方法研究了AST含量对低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导体陶瓷显微结构的影响。研究结果指出 :BaTiO3半导体陶瓷中AST的引入量对晶界厚度的控制存在两个临界... 通过改变低电阻率BaTiO3半导体陶瓷中液相添加剂AST的含量 ,采用XRD和SEM显微分析方法研究了AST含量对低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导体陶瓷显微结构的影响。研究结果指出 :BaTiO3半导体陶瓷中AST的引入量对晶界厚度的控制存在两个临界点 ,晶界厚度对低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导体陶瓷的显微结构和电性能产生重要影响。 展开更多
关键词 显微结构 电性能 AST液相 低电阻率 高抗电强度 BaTiO3半导体瓷
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