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ACRT-B法生长的Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体的溶质分凝特性
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作者 常永勤 介万奇 +2 位作者 郭喜平 陈福义 安卫军 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期638-639,642,共3页
研究了ACRT B法生长的Mn0 .1Cd0 .9In2 Te4晶体中界面的形状和各组元沿轴向的分布规律及其分凝因数。发现结晶界面为椭球形 ;采用理想配比生长MnxCd1-xIn2 Te4晶体 ,其4种组元并不按 (Mn ,Cd)∶In∶Te =1∶2∶4比例结晶 ,而是要重新分... 研究了ACRT B法生长的Mn0 .1Cd0 .9In2 Te4晶体中界面的形状和各组元沿轴向的分布规律及其分凝因数。发现结晶界面为椭球形 ;采用理想配比生长MnxCd1-xIn2 Te4晶体 ,其4种组元并不按 (Mn ,Cd)∶In∶Te =1∶2∶4比例结晶 ,而是要重新分布 ;通过数学方法处理实验数据得到Mn ,Cd和In的分凝因数在α相区分别为 1.2 86、1.92 5 7和 0 .72 94,在 β相区则分别为1.12、1.0 5 5和 0 .985。 展开更多
关键词 MnxCd1-xIn2Te4晶体 ACRT-B法 界面 分凝因数 磁性半导体
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半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe压力光致发光研究
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作者 姜山 沈学础 李国华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第2期84-89,共6页
采用金刚石对顶砧压机,在77K和不同压力下测量了半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe(x=0.25,0.40,0.60)的光致发光光谱.分别在x=0.25和x=0.40的Cd_(1-x)Mn_xTe和Cd_(0.4)Mn_(0.6)Te中观察到两种不同性质的复合发光。根据发光峰的能量位置及其随... 采用金刚石对顶砧压机,在77K和不同压力下测量了半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe(x=0.25,0.40,0.60)的光致发光光谱.分别在x=0.25和x=0.40的Cd_(1-x)Mn_xTe和Cd_(0.4)Mn_(0.6)Te中观察到两种不同性质的复合发光。根据发光峰的能量位置及其随压力的变化可以判定在Cd_(0.75)Mn_(0.25)Te和Cd_(0.6)Mn_(0.4)Te中的发光峰对应于带间复合发光,而Cd_(0.4)Mn_(0.6)Te中的发光峰对应于Mn离子3d↓能级到杂化价带的复合发光. 展开更多
关键词 磁性半导体 压力 光致发光 Cd-MnTe
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专利集锦
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《磁性材料及器件》 CAS CSCD 2007年第3期69-70,共2页
高温非晶、微晶软磁合金,多能态离子注入法制备磁性半导体的方法,一种铁磁/反铁磁多层膜钉扎体系及其制备方法。
关键词 微晶软磁合金 专利 制备方法 块体非晶 磁性半导体 离子注入法 磁多层膜 双相复合
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Magnetism and Stability of Diluted Magnetic Semiconductor (Ga_(1-x)Fe_x)As 被引量:1
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作者 危书义 闫玉丽 +2 位作者 王天兴 夏从新 汪建广 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1586-1590,共5页
Magnetism and the stability of (Ga 1-xFe x)As are investigated using the first principles LMTO-ASA band calculation by assuming supercell structures.Four concentrations of the 3d impurities are studied (x=1,1/2,1/... Magnetism and the stability of (Ga 1-xFe x)As are investigated using the first principles LMTO-ASA band calculation by assuming supercell structures.Four concentrations of the 3d impurities are studied (x=1,1/2,1/4,and 1/8).The results show the effect of varying Fe concentration on the magnetic and stable properties. 展开更多
关键词 diluted magnetic semiconductor electronic band calculation MAGNETISM STABILITY
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用于光纤电流传感器的BiGd∶YIG和Gd∶YIG磁光单晶的生长及性能研究 被引量:1
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作者 赵渭忠 张守业 +1 位作者 黄敏 李凤珍 《材料科学与工程》 CSCD 1999年第2期33-36,共4页
本文用助溶剂熔盐法生长了具有高法拉第旋转角、低温度灵敏性的磁光石榴石单晶:(YBiGd)3Fe5O12(BiGd∶YIG)和(YGd)3Fe5O12(Gd∶YIG)。对所生长的单晶,经X射线和扫描电镜能谱测试,分析了... 本文用助溶剂熔盐法生长了具有高法拉第旋转角、低温度灵敏性的磁光石榴石单晶:(YBiGd)3Fe5O12(BiGd∶YIG)和(YGd)3Fe5O12(Gd∶YIG)。对所生长的单晶,经X射线和扫描电镜能谱测试,分析了结构和晶体组成。测试光吸收系数和比法拉第旋转角等磁光性能,并用分子场理论分析了晶体的饱和磁化场和法拉第旋转角随温度变化的关系。 展开更多
关键词 法拉第旋转 磁光石榴石 光纤传感器 晶体生长
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Universal spin-dependent variable range hopping in wide-band-gap oxide ferromagnetic semiconductors 被引量:1
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作者 代由勇 颜世申 +3 位作者 田玉峰 陈延学 刘国磊 梅良模 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第3期477-481,共5页
This paper proposes a universal spin-dependent variable range hopping theoretical model to describe various experimental transport phenomena observed in wide-band-gap oxide ferromagnetic semiconductors with high trans... This paper proposes a universal spin-dependent variable range hopping theoretical model to describe various experimental transport phenomena observed in wide-band-gap oxide ferromagnetic semiconductors with high transition metal concentration. The contributions of the 'hard gap' energy, Coulomb interaction, correlation energy, and exchange interaction to the electrical transport are considered in the universal variable range hopping theoretical model. By fitting the temperature and magnetic field dependence of the experimental sheet resistance to the theoretical model, the spin polarization ratio of electrical carriers near the Fermi level and interactions between electrical carriers can be obtained. 展开更多
关键词 variable range hopping ferromagnetic semiconductors electrical transport spin polar-ization
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First-principles study of magnetism of 3d transition metals and nitrogen co-doped monolayer MoS2
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作者 Long Lin Yi-Peng Guo +6 位作者 Chao-Zheng He Hua-Long Tao Jing-Tao Huang Wei-Yang Yu Rui-Xin Chen Meng-Si Lou Long-Bin Yan 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第9期450-457,共8页
The electronic structures and magnetic properties of diverse transition metal (TM=Fe, Co, and Ni) and nitrogen (N) co-doped monolayer MoS2 are investigated by using density functional theory. The results show that the... The electronic structures and magnetic properties of diverse transition metal (TM=Fe, Co, and Ni) and nitrogen (N) co-doped monolayer MoS2 are investigated by using density functional theory. The results show that the intrinsic MoS2 does not have magnetism initially, but doped with TM (TM=Fe, Co, and Ni) the MoS2 possesses an obvious magnetism distinctly. The magnetic moment mainly comes from unpaired Mo:4d orbitals and the d orbitals of the dopants, as well as the S:3p states. However, the doping system exhibits certain half-metallic properties, so we select N atoms in the V family as a dopant to adjust its half-metal characteristics. The results show that the (Fe, N) co-doped MoS2 can be a satisfactory material for applications in spintronic devices. On this basis, the most stable geometry of the (2Fe-N) co-doped MoS2 system is determined by considering the different configurations of the positions of the two Fe atoms. It is found that the ferromagnetic mechanism of the (2Fe-N) co-doped MoS2 system is caused by the bond spin polarization mechanism of the Fe-Mo-Fe coupling chain. Our results verify that the (Fe, N) co-doped single-layer MoS2 has the conditions required to become a dilute magnetic semiconductor. 展开更多
关键词 MOS2 first principle calculations diluted magnetic semiconductors magnetic property
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In(Ga)As/GaAs量子点的生长、表面局域电流及离子注入改性研究通过验收
8
《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期213-213,共1页
近日,由中科院上海技物所李天信博士后负责承担的上海市纳米专项“In(Ga)As/GaAs量子点的生长、表面局域电流及离子注入改性研究”通过专家组验收。项目组通过对异质外延的量子点生长动力学和摸索和掌握,应用分子束外延方法在GaAs... 近日,由中科院上海技物所李天信博士后负责承担的上海市纳米专项“In(Ga)As/GaAs量子点的生长、表面局域电流及离子注入改性研究”通过专家组验收。项目组通过对异质外延的量子点生长动力学和摸索和掌握,应用分子束外延方法在GaAs衬底上生长了InAs表面量子点和In(Ga)As5—10层嵌埋量子点。获得了高密度、尺寸相对均匀的量子点样品。通过在原子力显微镜上加装电流模块,选择使用导电微悬背,对In(Ga)As/GaAs量子点的局域电导特性进行了系统研究。得到了生长在不同掺杂特性(n型、p型)缓冲层上的表面量子点的扫描电流像。 展开更多
关键词 GAAS衬底 生长动力学 扫描电流 量子点 离子注入 表面 通过验收 局域
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Mn注入n型Ge单晶的特性研究
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作者 刘力锋 陈诺夫 +3 位作者 尹志岗 杨霏 周剑平 张富强 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期15-18,共4页
采用离子能量为100keV,剂量为3×1016cm-2的离子注入技术,室温下往n型Ge(111)单晶衬底注入Mn+离子,注入后的样品进行400℃热处理。利用X-射线衍射法(XRD)和原子力显微镜(AFM)对注入后的样品进行了结构和形貌分析,俄歇电子能谱法(AES... 采用离子能量为100keV,剂量为3×1016cm-2的离子注入技术,室温下往n型Ge(111)单晶衬底注入Mn+离子,注入后的样品进行400℃热处理。利用X-射线衍射法(XRD)和原子力显微镜(AFM)对注入后的样品进行了结构和形貌分析,俄歇电子能谱法(AES)进行了组分分析,交变梯度样品磁强计(AGM)进行了室温磁性测量。结果表明原位注入样品的结构是非晶的,热处理后发生晶化现象。没有在样品中观察到新相形成。Mn离子较深的注入进Ge衬底,在120nm处Mn原子百分比浓度达到最高为8%。热处理后的样品表现出了室温铁磁特性。 展开更多
关键词 离子注入 铁磁性 稀磁半导体
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晶体中的磁电效应
10
《世界经济科技》 1992年第2期57-59,共3页
关键词 磁电效应 晶体 电磁感应
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SPECIAL TOPICS:Mn-doped ZnS is unsuitable to act as a dilute magnetic semiconductor
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《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2012年第11期1350-1350,共1页
Dilute magnetic semiconductors (DMS) have recently been a major focus of magnetic semiconductor research. A laboratory from the University of Science and Technology of China explored the feasibility of doping manganes... Dilute magnetic semiconductors (DMS) have recently been a major focus of magnetic semiconductor research. A laboratory from the University of Science and Technology of China explored the feasibility of doping manganese (Mn) into zinc sulfide (ZnS) to obtain magnetic semiconductors. 展开更多
关键词 稀磁半导体 MN掺杂 ZNS 中国科学技术大学 磁性半导体 DMS 掺杂锰 硫化锌
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磁性半导体Gd_xSi_(1-x)的XPS研究 被引量:1
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作者 刘志凯 周剑平 +4 位作者 柴春林 杨少延 宋书林 李艳丽 陈诺夫 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期154-156,共3页
采用离子束技术 ,在n型硅基片上注入稀土元素钆 ,制备了磁性 /非磁性p n结。本文中使用的XPS对制备的样品进行测试 ,利用Origin 7 0提供的PFM工具进行研究 ,O1s束缚能介于金属氧化物和SiO2 中O1s的束缚能之间 ,Si2p的XPS谱分裂为两个峰 ... 采用离子束技术 ,在n型硅基片上注入稀土元素钆 ,制备了磁性 /非磁性p n结。本文中使用的XPS对制备的样品进行测试 ,利用Origin 7 0提供的PFM工具进行研究 ,O1s束缚能介于金属氧化物和SiO2 中O1s的束缚能之间 ,Si2p的XPS谱分裂为两个峰 ,其中一个是单质Si的 ,另一个介于单质Si和硅化物之间 ,Gd4d的束缚能介于金属钆和氧化钆中的Gd4d之间 。 展开更多
关键词 磁性半导体 GdxSi1-x XPS 离子束技术 非磁性p-n结 束缚能 无定形结构 x射线 光电子频谱 离子注入 硅化钆
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Magnetism in Mn and Co doped ZnO bulk samples 被引量:4
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作者 WANG YongQiang YUAN SongLiu SONG YunXing LIU Li TIAN ZhaoMing LI Pai ZHOU YuanMing LI YunLong YIN ShiYan 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2007年第8期1019-1023,共5页
Bulk samples with nominal composition Zn0.95Co0.05O and Zn0.92Co0.05Mn0.03O were fabricated by a solid-state reaction method at 600℃.X-ray diffraction experiment showed that the peaks of secondary phase Co3O4 with a ... Bulk samples with nominal composition Zn0.95Co0.05O and Zn0.92Co0.05Mn0.03O were fabricated by a solid-state reaction method at 600℃.X-ray diffraction experiment showed that the peaks of secondary phase Co3O4 with a cubic structure were visible in both samples,besides the main peaks of wurtzite structure as ZnO.Magnetization measurement indicated that doping Co alone can induce ferromag- netism in ZnO itself,while the introduction of Mn significantly enhances ferromagnetism.However, both samples showed different magnetic behavior at temperatures below 50 K.It was also noted that ferromagnetic coupling interaction was weakened due to the presence of antiferromagnetic Co3O4. 展开更多
关键词 掺杂 氧化锌块 磁性 铁磁现象
原文传递
新型磁性半导体材料给量子计算带来希望
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作者 方留民 《现代科技译丛(哈尔滨)》 2001年第6期47-47,共1页
关键词 磁性半导体材料 量子计算 薄膜半导体
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电动汽车永磁同步电机优化控制方法的研究
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作者 康超 王勃 +1 位作者 叶潮流 马占飞 《现代电子技术》 北大核心 2016年第18期80-83,87,共5页
考虑到基于传统PID算法的电动汽车永磁同步电机驱动方法存在系统跟踪响应差,稳定性弱,受到负载扰动后,恢复稳态速度慢等问题,提出积分型滑模变结构控制器作为电动汽车永磁同步电机进行驱动控制器。通过对系统引入负载转矩观测器,可以在... 考虑到基于传统PID算法的电动汽车永磁同步电机驱动方法存在系统跟踪响应差,稳定性弱,受到负载扰动后,恢复稳态速度慢等问题,提出积分型滑模变结构控制器作为电动汽车永磁同步电机进行驱动控制器。通过对系统引入负载转矩观测器,可以在电流设定值中反映负载转矩的反馈值,因此控制系统能够及时地对负载扰动做出响应。通过Matlab仿真验证该文研究方法的有效性,研究结果表明,该控制方法能够对电机负载进行有效准确观测,并在负载突变时做出反应,保证转速快速控制在设定范围内,具有较好的鲁棒性及稳定性。 展开更多
关键词 电动汽车 永磁同步电动机 驱动系统 矢量控制 滑模变结构控制
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过渡金属掺杂ZnO稀磁半导体分析技术的研究现状 被引量:2
16
作者 王古平 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI 2010年第2期351-355,359,共6页
过渡金属(TM)掺杂获得铁磁性ZnO基稀磁半导体(DMSs)的报道很多,但其铁磁性是否有微量磁性TM原子团簇或第二相的贡献存在争议。从磁性测量和磁性TM原子团聚及第二相的排除两方面综述了TM掺杂ZnODMSs本征铁磁性检证的常用方法,着重分析了... 过渡金属(TM)掺杂获得铁磁性ZnO基稀磁半导体(DMSs)的报道很多,但其铁磁性是否有微量磁性TM原子团簇或第二相的贡献存在争议。从磁性测量和磁性TM原子团聚及第二相的排除两方面综述了TM掺杂ZnODMSs本征铁磁性检证的常用方法,着重分析了元素特征分析技术在过渡金属掺杂ZnO中的应用。 展开更多
关键词 ZNO 稀磁半导体 本征铁磁性 分析技术 TM掺杂
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Cd_(1-x)Mn_xTe的巨大法拉第旋转效应 被引量:4
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作者 陈辰嘉 王学忠 +3 位作者 刘继周 高蔚 徐灵戈 马可军 《北京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1992年第1期101-106,共6页
测量了半磁半导体Cd_(1x)Mn_xTe单晶的巨大法拉第旋转效应,并研究了Cd_(1-x)Mn_xTe法拉第旋转随组分x及温度的变化规律。局域的Mn^(2+)离子与导带类s电子及价带类P电子之间的自旋—自旋相互作用引起了Cd_(1-x)Mn_xTe中反常大的塞曼分裂... 测量了半磁半导体Cd_(1x)Mn_xTe单晶的巨大法拉第旋转效应,并研究了Cd_(1-x)Mn_xTe法拉第旋转随组分x及温度的变化规律。局域的Mn^(2+)离子与导带类s电子及价带类P电子之间的自旋—自旋相互作用引起了Cd_(1-x)Mn_xTe中反常大的塞曼分裂,从而导致巨大法拉第效应的产生。激子跃迁在半磁半导体法拉第效应中起主导作用。 展开更多
关键词 半磁半导体 CDMNTE 法拉第效应
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用对向靶溅射方法高速淀积磁性薄膜
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作者 范启华 《四川真空》 1992年第3期28-31,共4页
关键词 溅射 磁性 薄膜 半导体
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Co掺杂棒状ZnO的水热法合成及其磁性研究 被引量:3
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作者 杭联茂 张志勇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第20期31-33,共3页
采用水热法制备了棒状Zn1-xCoxO(x=0.005,0.01,0.03)晶体材料。利用X射线衍射、场发射扫描电镜和超导量子干涉仪对样品的结构、形貌和磁性进行了表征。结果表明:x=0.005和0.01的样品均为纯相六方纤锌矿结构,x=0.03的样品中除了六方纤锌... 采用水热法制备了棒状Zn1-xCoxO(x=0.005,0.01,0.03)晶体材料。利用X射线衍射、场发射扫描电镜和超导量子干涉仪对样品的结构、形貌和磁性进行了表征。结果表明:x=0.005和0.01的样品均为纯相六方纤锌矿结构,x=0.03的样品中除了六方纤锌矿结构的主相外,还含有立方相Co3O4;所制备的样品均呈棒状;磁性测量显示,x=0.005的样品呈顺磁性,x=0.01和0.03的样品均呈现室温铁磁性。样品的室温铁磁性是由Co离子对ZnO中的Zn离子的替代形成的。 展开更多
关键词 ZNO 水热法 铁磁性
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稀磁半导体制备方法的研究进展 被引量:5
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作者 侯志青 刘东州 那木拉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期294-299,共6页
稀磁半导体(DMS)是一种新型功能材料,其结合了半导体和磁性材料的电学和磁学性质,具有优异的磁、磁光和磁电等性能,在未来的光电器件、自旋电子器件和计算机等领域具有广阔的开发应用前景。简述了我国稀磁半导体的研究成果及进展,重点... 稀磁半导体(DMS)是一种新型功能材料,其结合了半导体和磁性材料的电学和磁学性质,具有优异的磁、磁光和磁电等性能,在未来的光电器件、自旋电子器件和计算机等领域具有广阔的开发应用前景。简述了我国稀磁半导体的研究成果及进展,重点讨论了稀磁半导体的制备合成方法,分析了各种制备方法的优缺点,包括分子束外延技术(MBE)、离子注入法、脉冲激光沉积(PLD)、助熔剂法、化学气相沉积(CVD)、溶胶-凝胶和水热法等。同时分析了目前稀磁半导体遇到的问题和困难,探讨了其解决方法,展望了稀磁半导体潜在的应用前景。 展开更多
关键词 稀磁半导体 制备方法 掺杂 居里温度 室温铁磁性
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