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中国科学家首次发现量子反常霍尔效应
1
《仪器仪表用户》 2013年第2期22-22,共1页
北京时间3月15日凌晨，《科学》杂志在线发文，宣布中国科学家领衔的团队首次在实验上发现量子反常霍尔效应。这一发现或将对信息技术进步产生重大影响。
关键词 反常霍尔效应 中国科学家 量子 《科学》杂志 北京时间 技术进步 日凌
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我国研制成功304.8mm锗单晶
2
《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期16-16,共1页
关键词 红外光学锗单晶 北京国晶辉红外光学科技有限公司 生产技术 研制水平
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用导纳谱研究锗量子点的能级结构
3
作者 张胜坤 朱海军 +4 位作者 蒋最敏 胡冬枝 徐阿妹 林峰 陆昉 《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》 1998年第4期496-501,共6页
提出变偏压的导纳谱可用来研究量子点的能级结构以及其中载流子的库仑相互作用。对Ge/Si量子点结构进行了变偏压的导纳谱测试,探测到了5个空穴的填充过程,其中2个填入类s态的基态,束缚能约为432meV,3个填入类p态的第一激发态,束缚能约为... 提出变偏压的导纳谱可用来研究量子点的能级结构以及其中载流子的库仑相互作用。对Ge/Si量子点结构进行了变偏压的导纳谱测试,探测到了5个空穴的填充过程,其中2个填入类s态的基态,束缚能约为432meV,3个填入类p态的第一激发态,束缚能约为338meV。Ge量子点获1个空穴所需要克服的库仑势能约为30meV。 展开更多
关键词 量子点 导纳谱 锗 能级结构
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硅、锗片的激光损伤及加固研究 被引量：5
4
作者 龚辉 王明利 +1 位作者 李成富 程雷 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期677-681,共5页
利用ＹＡＧ脉冲激光在二种脉宽下（１０ｎｓ、２５０μｓ），对Ｓｉ、Ｇｅ片进行了损伤研究，分别给出了表面损伤机制，并利用镀金钢石膜、介质膜和激光预辐照进行加固，讨论了加固效果。
关键词 激光损伤 金钢石膜 介质膜 激光预辐照 硅 锗
原文传递
中国恩菲首创煤烟灰还原熔炼富集锗新工艺
5
《有色冶金节能》 2017年第1期68-68,共1页
中国恩菲试验基地再传喜讯：煤烟灰还原熔炼富集锗百公斤级扩大试验取得成功,这意味着,中国恩菲自主研发的还原熔炼富集锗新工艺将为行业清洁生产、可持续发展开辟崭新的绿色道路。煤烟灰是锗原料的主要来源,近年来,由于原料中锗含量逐... 中国恩菲试验基地再传喜讯：煤烟灰还原熔炼富集锗百公斤级扩大试验取得成功,这意味着,中国恩菲自主研发的还原熔炼富集锗新工艺将为行业清洁生产、可持续发展开辟崭新的绿色道路。煤烟灰是锗原料的主要来源,近年来,由于原料中锗含量逐渐降低,常用湿法浸出提锗工艺所具有的酸碱消耗量大、易产生大量二次固废等问题,严重制约行业发展。 展开更多
关键词 浸出 工艺路线 锗含量 固废 清洁生产 扩大试验 高温熔炼 试验基地 烟化 高温固化
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n-Ge中单峰型反常霍尔效应的理论研究
6
作者 姜坤 姜伟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第9期743-747,共5页
理论分析表明不同于ｎ－Ｇｅ中双反转型和凹陷型反常霍尔效应，ｎ－Ｇｅ 中的单峰型反常霍尔效应是由于样品中的反型区形成一逾渗集团．在此基础上的定量计算结果与Ｋｏｎｏｒｏｖａ
关键词 锗 单峰型 反常霍尔效应 机理 模型
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隧道二极管用锗单晶制备的温场设计
7
作者 韩兆忠 胡国元 +1 位作者 褚乃林 杨海 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期120-122,共3页
通过设计合适的温场，解决了重掺单晶生长过程中的组分过冷和位错密度高的问题，获得了高掺杂浓度高迁移率的无位错单晶。
关键词 温场 锗 单晶 重掺 隧道二极管
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Ge(111)表面氯自组装系统的近边X射线吸收精细结构理论研究
8
作者 曹松 唐景昌 +1 位作者 汪雷 李攀峰 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2002年第4期270-273,共4页
利用多重散射团簇方法 (MSC)首次对Cl/Ge(111)自组装系统的Cl原子K边X射线吸收精细结构 (NEXFAS)进行了详细的计算和分析。研究揭示了实验NEXFAS谱峰的物理起源。其中最显著一个峰来源于Cl和正位于其下的Ge之间的散射。同时还得到了吸... 利用多重散射团簇方法 (MSC)首次对Cl/Ge(111)自组装系统的Cl原子K边X射线吸收精细结构 (NEXFAS)进行了详细的计算和分析。研究揭示了实验NEXFAS谱峰的物理起源。其中最显著一个峰来源于Cl和正位于其下的Ge之间的散射。同时还得到了吸附系统的局域结构 ;Cl吸附在Ge(111)面的顶位 ,吸附高度是 0 2 15± 0 0 0 5nm ,Cl在Ge(111)表面自组装形成了一个单分子层。这些结果和广延X射线吸收精细结构 (EXFAS) 展开更多
关键词 Ge(111)表面 氯自组装系统 半导体 锗(111) 表面自组装 多重散团簇方法 近边X射线吸收精细结构
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锗在硫化锌焙烧矿及铅银渣中的赋存状态研究 被引量：5
9
作者 李和平 王昭云 《云南冶金》 2003年第B10期175-180,共6页
从硫酸锌溶液中萃取锗的试验研究已有多年基础,并取得了较多成果。但距锗萃取率大于96%,反萃取率97%,锗精矿含锗30%～40%的技术经济指标还有很大距离。为能提高锗的回收率找到有效途径,研究按照试验要求,借助大型精密仪器X—射线衍射仪... 从硫酸锌溶液中萃取锗的试验研究已有多年基础,并取得了较多成果。但距锗萃取率大于96%,反萃取率97%,锗精矿含锗30%～40%的技术经济指标还有很大距离。为能提高锗的回收率找到有效途径,研究按照试验要求,借助大型精密仪器X—射线衍射仪,电子探针分析仪等手段分析研究焙烧矿和铅银渣,查明了试样中的物相,锗在各物相中的赋存状态,为改进锗的回收工艺提供了可靠依据。 展开更多
关键词 硫化锌焙烧矿 铅银渣 锗 赋存状态 X-射线衍射仪 电子探针分析仪 物相分析
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某含锗废料中锗回收率影响因素分析
10
作者 刘阅 龚磊荣 汪洋 《现代冶金》 CAS 2012年第6期47-49,共3页
对南京中锗科技股份有限公司某含锗废料中影响锗回收率的几个关键因素进行了分析
关键词 锗材料 锗废料 关键因素 回收率
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OX5721G-1离合器轴工艺论述
11
作者 罗红英 《黑龙江科技信息》 2010年第16期12-12,共1页
通过采用新的工艺方法,解决了常用工艺方法中的一些缺陷,提高了产品的合格率,节省了加工成本,提高了经济效益。
关键词 工艺 工艺路线 工艺分析 解决措施 效果
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n-Ge样品中的反常伏安特性
12
作者 王永超 姜坤 《新疆大学学报（自然科学版）》 CAS 2002年第3期288-290,共3页
根据反型层模型 ,对 n-Ge中的反常伏安特性进行了定量计算 ,得到了与实验一致的结果 .
关键词 n-Ge 反型层模型 反常伏安特性 反常霍尔效应 定量计算 半导体材料 电特性 锗
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镶嵌型纳米锗的制备新方法及其光致发光研究 被引量：1
13
作者 徐骏 陈坤基 +4 位作者 黄信凡 贺振宏 韩和相 汪兆平 李国华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期262-264,共3页
报道了通过热氧化氢化非晶锗硅薄膜和氢化非晶硅／氢化非晶锗多层膜以制备镶嵌于二氧化硅中纳米锗材料的新方法． 研究结果表明： 在经过氧化处理后， 薄膜中的Ｓｉ与Ｏ结合形成氧化硅同时单晶Ｇｅ 被析出形成了镶嵌型的纳米Ｇｅ 颗粒；... 报道了通过热氧化氢化非晶锗硅薄膜和氢化非晶硅／氢化非晶锗多层膜以制备镶嵌于二氧化硅中纳米锗材料的新方法． 研究结果表明： 在经过氧化处理后， 薄膜中的Ｓｉ与Ｏ结合形成氧化硅同时单晶Ｇｅ 被析出形成了镶嵌型的纳米Ｇｅ 颗粒； 在Ａｒ＋ 激光（４８８ｎｍ ）的激发下， 观察到了室温下的光致发光现象． 发光峰中心位于２．２ｅＶ． 由多层膜制备出的样品其发光强度相对加强， 且半高宽也显著变窄， 表明利用多层膜可较好地控制尺寸分布． 展开更多
关键词 纳米锗 多层膜 光致发光 镶嵌型
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硝酸钯和硝酸镁对锗在石墨炉中原子化的影响
14
作者 宣维康 《上海钢研》 1992年第2期22-28,共7页
本文研究了硝酸钯,硝酸镁基体改进剂对锗在石墨炉中原子化的影响。加入这些改进剂能提高原子化出现温度和最高允许灰化温度,降低GeO过早损失,增加Ge的测定灵敏度,从XPS结果证明加入Pd和Mg能生成Ge-Pd和Ge-Mg键,从XRD分析则检测出金属间... 本文研究了硝酸钯,硝酸镁基体改进剂对锗在石墨炉中原子化的影响。加入这些改进剂能提高原子化出现温度和最高允许灰化温度,降低GeO过早损失,增加Ge的测定灵敏度,从XPS结果证明加入Pd和Mg能生成Ge-Pd和Ge-Mg键,从XRD分析则检测出金属间化合物和锗酸盐。我们认为锗原子化机理是金属间化合物Ge_(?)Pd_(23)GePd_2等直接分解为Ge原子,而MgGeO_3则首先分解为GeO_2和GeO,然后还原成Ge原子。 展开更多
关键词 硝酸钯 硝酸镁 锗 原子吸收法
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氧化锗及金属锗的制取
15
作者 冯金文 《南方金属》 CAS 2002年第3期32-35,共4页
介绍将已经富集的含锗物料用湿法冶炼高效制取氧化锗的一些重要的化学反应,从不同品位的含锗富集物料中提取氧化锗的工艺流程,并简述各工艺流程的特点.同时介绍制取高纯氧化锗和金属锗的工艺流程.
关键词 氧化锗 锗 丹宁法 碱熔-丹宁法 直接氯化蒸馏法
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诺贝尔奖量级的发现出在中国实验室
16
《纳米科技》 2013年第2期85-85,共1页
4月9日，由清华大学物理系主任薛其坤教授领导，来自清华大学、中国科学院物理所与斯坦福大学的科学家们组成的团队宣布，他们从实验中观测了量子反常霍尔效应。他们的论文3月15日发表在国际权威学术杂志斛等铹上。若这项发现能投入应... 4月9日，由清华大学物理系主任薛其坤教授领导，来自清华大学、中国科学院物理所与斯坦福大学的科学家们组成的团队宣布，他们从实验中观测了量子反常霍尔效应。他们的论文3月15日发表在国际权威学术杂志斛等铹上。若这项发现能投入应用，超级计算机将有可能成为iPad大小的掌上笔记本，智能手机的内存也许会超过目前最先进产品的上千倍，除了超长待机时间，还将拥有当代人无法想象的快速。 展开更多
关键词 中国科学院物理所 实验室 诺贝尔奖 反常霍尔效应 清华大学 斯坦福大学 超级计算机 IPAD
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锗 -二氧化硅复合薄膜的光电特性(英文)
17
作者 甘润今 《北京机械工业学院学报》 2000年第1期1-5,共5页
采用射频共溅射技术在石英玻璃和硅片衬底上制备出Ge SiO2 复合薄膜 ,然后在真空气氛中进行热处理。利拉曼散射、X射线衍射、UV/VIS/NIR透射和反射谱、变温电导测试等手段对薄膜的光、电特性进行了研究。实验结果表明 ,用热处理的方法... 采用射频共溅射技术在石英玻璃和硅片衬底上制备出Ge SiO2 复合薄膜 ,然后在真空气氛中进行热处理。利拉曼散射、X射线衍射、UV/VIS/NIR透射和反射谱、变温电导测试等手段对薄膜的光、电特性进行了研究。实验结果表明 ,用热处理的方法可以在薄膜中形成Ge纳米颗粒 ,Ge纳米颗粒的平均尺度约 5 .0nm时 ,薄膜的光学带宽约 1.42ev ,电导激活能的最小值约 0 .43ev。 展开更多
关键词 复合薄膜 光学带宽 电导激活解 Ge-SiO2
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硫酸亚铁铵容量法测定锗富集物中砷量
18
作者 姜晴 《株冶科技》 2003年第1期45-46,9,共3页
方法基于在HCl(1+1)介质中，以Cu^2+为催化剂，用次亚磷酸钠还原坤为单体，过滤与主体元素及其他杂质分离，然后采用K2Cr2O7溶解砷，在硫酸－磷酸溶液中，以二苯胺磺酸钠为指示剂，用亚铁标准溶液滴定过量的K2Cr2O7，间接测定坤量，方... 方法基于在HCl(1+1)介质中，以Cu^2+为催化剂，用次亚磷酸钠还原坤为单体，过滤与主体元素及其他杂质分离，然后采用K2Cr2O7溶解砷，在硫酸－磷酸溶液中，以二苯胺磺酸钠为指示剂，用亚铁标准溶液滴定过量的K2Cr2O7，间接测定坤量，方法回收率在94％－102％之间，精密度，准确度可达到分析要求。 展开更多
关键词 硫酸亚铁铵容量法 测定 次亚磷酸钠 重铬酸钾 锗富集物 砷
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非晶态Ge/SiO_2超晶格结构与特性 被引量：1
19
作者 张兴旺 陈光华 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期512-514,共3页
在双靶射频溅射系统中，以氢气为工作气体，交替溅射高纯Ge和SiO2，制备出了非晶态Ge／SiO2超晶格．小角度X射线衍射分析结果表明样品具有良好的周期性和界面平整性．其光学带降Eopt由红外透射、反射谱确定．当锗势阱层厚度从0．38nm减... 在双靶射频溅射系统中，以氢气为工作气体，交替溅射高纯Ge和SiO2，制备出了非晶态Ge／SiO2超晶格．小角度X射线衍射分析结果表明样品具有良好的周期性和界面平整性．其光学带降Eopt由红外透射、反射谱确定．当锗势阱层厚度从0．38nm减小到0.12nm时，超晶格光学带欧发生约0．3eV的游移． 展开更多
关键词 超晶格 射频溅射 非晶 锗 二氧化硅 光学特性
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硅锗界面热应力的控制及晶圆级GeOI的制备
20
作者 张润春 黄凯 +5 位作者 林家杰 鄢有泉 伊艾伦 周民 游天桂 欧欣 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期689-696,共8页
智能剥离技术是制备绝缘体上锗（GeOI）衬底的常用方法。然而,由于锗与硅之间的热膨胀系数相差较大,硅锗键合界面较大的热应力可能导致键合对裂片或者解键合。通过对硅锗异质键合对的热应力问题进行理论分析,建立了硅锗双平板热应力模... 智能剥离技术是制备绝缘体上锗（GeOI）衬底的常用方法。然而,由于锗与硅之间的热膨胀系数相差较大,硅锗键合界面较大的热应力可能导致键合对裂片或者解键合。通过对硅锗异质键合对的热应力问题进行理论分析,建立了硅锗双平板热应力模型。提出4种抑制热应力的实验方案,并得出优化退火条件是解决热应力问题最有效的办法。采用智能剥离技术在优化退火条件下成功制备了4英寸（1英寸=2.54 cm）晶圆级GeOI衬底,转移的锗薄膜厚度偏差小于2%,均方根表面粗糙度低至0.42 nm,喇曼光谱显示转移的锗薄膜内残余应力较小,制备的GeOI衬底可以为后续高迁移率器件制备或硅基Ⅲ-Ⅴ族异质集成提供材料平台。 展开更多
关键词 绝缘体上锗(GeOI) 异质集成 智能剥离 晶圆键合 热应力
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