世伟洛克（Swagelok）为中国半导体研发提供解决方案

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《电子工业专用设备》 2006年第8期54-55,共2页

位于北京的中国科学院半导体研究所致力于促进中国半导体材料科学的发展和推广。在过去的6年内，他们制造出世界上第一批立方气相氮化镓发光二极管。在成功将蓝光二极管（LED）技术转入生产应用后，他们的努力都集中在短波长激光二极管... 位于北京的中国科学院半导体研究所致力于促进中国半导体材料科学的发展和推广。在过去的6年内，他们制造出世界上第一批立方气相氮化镓发光二极管。在成功将蓝光二极管（LED）技术转入生产应用后，他们的努力都集中在短波长激光二极管、紫外探测器、高效LED和磁性半导体。最近该研究所成功地制造出几种高灵敏度的紫外探测器，并在蓝光激光二极管研发方面取得显著进步。 展开更多

关键词 中国科学院半导体研究所 研发 蓝光二极管 激光二极管 紫外探测器 发光二极管 磁性半导体 材料科学 生产应用 高灵敏度

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中科院半导体所与秦皇岛签署MOCVD项目合作协议

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《高科技与产业化》 2006年第6期22-22,共1页

中国科学院半导体研究所在863计划项目的支持下，成功研制出具有自主知识产权的研发型MOCVD设备样机，并生产出性能优良的氮化镓材料。为了将这一成果早日实现国产设备产业化，日前，该所与秦皇岛市政府、河北鹏远集团签订了半导体照明... 中国科学院半导体研究所在863计划项目的支持下，成功研制出具有自主知识产权的研发型MOCVD设备样机，并生产出性能优良的氮化镓材料。为了将这一成果早日实现国产设备产业化，日前，该所与秦皇岛市政府、河北鹏远集团签订了半导体照明重大装备MOCVD项目合作协议。 展开更多

关键词 中国科学院半导体研究所 MOCVD设备 计划项目 合作协议 秦皇岛 中科院 签署 自主知识产权 氮化镓材料 半导体照明

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中科院半导体研究所从福日电子子公司撤资

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《中国集成电路》 2008年第8期2-2,共1页

日前，由于不可控风险等原因，中国科学院半导体研究所决定从福日电子控股子公司福建福日科光电子有限公司撤出投资。此次减资，中科院半导体所将撤回投入的无形资产1000万元，撤出全部股权和实收资本。减资后，科光公司的注册资本及实... 日前，由于不可控风险等原因，中国科学院半导体研究所决定从福日电子控股子公司福建福日科光电子有限公司撤出投资。此次减资，中科院半导体所将撤回投入的无形资产1000万元，撤出全部股权和实收资本。减资后，科光公司的注册资本及实收资本相应由原来的5800万元减至4800万元，其中福日电子现金出资4000万元，占83．33％股权；国投高科技投资有限公司现金出资800万元，占16．67％股权。 展开更多

关键词 中国科学院半导体研究所 光电子 中科院 电子现金 科技投资

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勇为人先的科研尖兵——记第五届全国优秀科技工作者、中国科学院半导体研究所研究员王晓亮

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作者 翟艳荣 《科技成果管理与研究》 2013年第9期17-18,共2页

王晓亮，1963年生，博士生导师，中科院半导体研究所研究员，西安交通大学“腾飞人才计划”特聘教授，中国电子学会半导体与集成技术分会秘书长，中国电子学会理事，砷化镓微波毫米波单片和模块电路国防科技重点实验室、电子物理与器件... 王晓亮，1963年生，博士生导师，中科院半导体研究所研究员，西安交通大学“腾飞人才计划”特聘教授，中国电子学会半导体与集成技术分会秘书长，中国电子学会理事，砷化镓微波毫米波单片和模块电路国防科技重点实验室、电子物理与器件教育部重点实验室学术委员会委员，全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会委员。 展开更多

关键词 中国科学院半导体研究所 研究员 科技工作者 教育部重点实验室 标准化技术委员会 中国电子学会 科研 西安交通大学

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中国科学院半导体研究所

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《科技开发动态》 2003年第5期17-19,共3页

关键词 中国科学院半导体研究所 研究方向 光电子 量子信息 实验室

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中国科学院半导体研究所最新科技成果推介(1)

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《泰州科技》 2010年第5期34-36,共3页

MOCVD材料生长等重大装备项目 当今世界上生产半导体光电器件和微波器件材料的主要手段,是当今信息产业发展、国防高新技术突破不可缺少的战略性高技术。实现了衬底机座的公转／自传独立调节、具有低成本的新型原料配送结构等功能，并... MOCVD材料生长等重大装备项目 当今世界上生产半导体光电器件和微波器件材料的主要手段,是当今信息产业发展、国防高新技术突破不可缺少的战略性高技术。实现了衬底机座的公转／自传独立调节、具有低成本的新型原料配送结构等功能，并生产出性能优良的氮化镓基材料。目前具有新颖结构设计、具有独立自主知识产权的新型6片型MOCVD系统原型机即将研制成功并投入使用，为国产化MOCVD设备的产业化发展奠定了坚实基础。 展开更多

关键词 中国科学院半导体研究所 科技成果 MOCVD系统 半导体光电器件 MOCVD设备 材料生长 信息产业发展 自主知识产权

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志存高远 勇攀高峰——半导体与信息科学专家王守觉院士

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《科技成果管理与研究》 2012年第3期F0004-F0004,共1页

王守觉，中国科学院半导体研究所研究员，中国科学院院士，是我国半导体器件与微电子奠基人之一。1958年，他在国内成功研制锗合金扩散高频晶体管；1959～1963年负责研究全部硅平面工艺技术，并成功研制了五种硅平面型晶体管；1974年成... 王守觉，中国科学院半导体研究所研究员，中国科学院院士，是我国半导体器件与微电子奠基人之一。1958年，他在国内成功研制锗合金扩散高频晶体管；1959～1963年负责研究全部硅平面工艺技术，并成功研制了五种硅平面型晶体管；1974年成功应用自制的图形发生器自动制版技术制成了大规模集成电路掩模版； 展开更多

关键词 中国科学院半导体研究所 中国科学院院士 信息科学 大规模集成电路 高频晶体管 专家 制版技术 半导体器件

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成步文:放眼未来 不懈探索

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作者 伍泠豫 《科学中国人》 2011年第14期64-65,共2页

专家档案：成步文,研究员,博士生导师,中国科学院半导体研究所光电子研发中心副主任。目前主要从事Si基半导体异质结构材料的外延生长及相关光电子器件和光电集成技术的研究。在硅基异质结构材料外延设备、材料生长动力学、硅基光电子... 专家档案：成步文,研究员,博士生导师,中国科学院半导体研究所光电子研发中心副主任。目前主要从事Si基半导体异质结构材料的外延生长及相关光电子器件和光电集成技术的研究。在硅基异质结构材料外延设备、材料生长动力学、硅基光电子学器件等方面取得了重要研究成果。 展开更多

关键词 中国科学院半导体研究所 异质结构材料 光电子器件 硅基光电子学 博士生导师 生长动力学 研发中心 集成技术

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中材集团50亿投向新光源行业

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《中国高新技术企业》 2011年第3期I0003-I0003,共1页

中材集团重磅投资新材料领域的LED产业。1月13日，中材集团与扬州市政府、中国科学院半导体研究所、扬州经济技术开发区在扬州市签署四方协议，共同在扬州打造新光源产业基地，把扬州中科半导体有限公司培育成为新光源行业领军企业。

关键词 新光源 中国科学院半导体研究所 行业 经济技术开发区 LED产业 新材料领域 扬州市 产业基地

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半导体研究所成功制备RF MEMS振荡器

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《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期53-53,共1页

中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心，在自然科学基金、中科院项目的支持下，经过努力探索，成功制备RFMEMS振荡器。

关键词 中国科学院半导体研究所 振荡器 制备 工程研究中心 自然科学基金 集成技术 中科院

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水环境监测“973”项目年度总结会在武汉召开

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《华中科技大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期111-111,共1页

关键词 水环境监测 中国科学院半导体研究所 武汉市 中国科学院力学研究所 电子研究所 华中科技大学 基础研究 重点实验室

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投稿须知

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《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期2050-2051,共2页

关键词 中国科学院半导体研究所 投稿 中国电子学会 半导体物理 科研成果 国内外 器件

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做时代前沿的创新者

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作者 倪萍 《科学中国人》 2016年第6期60-61,共2页

兴趣使然，刘力锋从河北工业大学一路读到中国科学院半导体研究所获得博士学位，然后在北京大学完成博士后研究。那时，国际上还鲜有人提及“阻变存储器”这个新兴器件，他所在的团队负责人康晋锋教授却敏锐地预感到其广阔的应用前景，... 兴趣使然，刘力锋从河北工业大学一路读到中国科学院半导体研究所获得博士学位，然后在北京大学完成博士后研究。那时，国际上还鲜有人提及“阻变存储器”这个新兴器件，他所在的团队负责人康晋锋教授却敏锐地预感到其广阔的应用前景，于是率领团队展开相应研究。刘力锋也自然走上这条时代科学前沿的攻坚之路。 展开更多

关键词 创新群体 专家简介 半导体材料 本科生专业 专项课题 科学技术学院 学术骨干 国家自然基金 时代前沿 北京大学信息

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我国重点发展17类新材料

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《集成电路应用》 2005年第9期27-27,共1页

中国科学院半导体研究所王占国院士日前在第八届科博会中国可持续发展战略论坛上透露，新材料产业“十一五”规划将重点发展17类新材料。首先是硅基微纳电子材料。我国将发展2～3个满足100～45纳米线宽集成电路需求的8英寸、12英寸硅单... 中国科学院半导体研究所王占国院士日前在第八届科博会中国可持续发展战略论坛上透露，新材料产业“十一五”规划将重点发展17类新材料。首先是硅基微纳电子材料。我国将发展2～3个满足100～45纳米线宽集成电路需求的8英寸、12英寸硅单晶、芯片和外延片的高技术产业基地，形成年产3000吨多晶硅的生产能力，以及进行6～8英寸SOI、SiGe／Si和应变硅材料示范工程建设。 展开更多

关键词 新材料产业 中国科学院半导体研究所 可持续发展战略 “十一五”规划 SIGE/SI 示范工程建设 电子材料 集成电路 产业基地

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四十年品百味人生

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作者 薛娇 郑跃（摄影） 《中国科技奖励》 2005年第10期36-42,共7页

“科学是事实求是的,来不得半点虚假;科学的道路是无捷径可走的,只有那些付出比常人多得多辛勤劳动的人,才会攀上科学的高峰。”中国科学院半导体研究所王占国院士如是说。路漫漫其修远兮,在科学的道路上,他不畏艰险、敢于创新,取得了... “科学是事实求是的,来不得半点虚假;科学的道路是无捷径可走的,只有那些付出比常人多得多辛勤劳动的人,才会攀上科学的高峰。”中国科学院半导体研究所王占国院士如是说。路漫漫其修远兮,在科学的道路上,他不畏艰险、敢于创新,取得了一个又一个具有突破性的科研成果。他致力于半导体材料和材料物理研究四十余年,把自己的青春和热情献给了祖国的科研事业。一路风雨一路歌,四十余年的科研生涯让王占国院士真切地体会到了人生的百味。如今,早已年过花甲的他,仍旧为祖国的科研事业贡献着自己的力量。 展开更多

关键词 中国科学院半导体研究所 人生 捷径

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半导体所研制出GaN基紫外激光器

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《新材料产业》 2017年第1期80-81,共2页

12月14日，中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室研究员赵德刚团队研制出氮化镓（GaN）基紫外激光器。紫外激光器的研制成功也是我国在GaN基蓝光和绿光激光器突破之后取得的又一重要进展。

关键词 中国科学院半导体研究所 紫外激光器 GAN 国家重点实验室 集成光电子学 绿光激光器 氮化镓 研究员

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中科院制备出近全组分可调的高质量三元合金半导体纳米线

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《军民两用技术与产品》 2017年第5期32-32,共1页

中国科学院半导体研究所的研究人员制备出了近全组分可调的高质量GaAS1-xSbx纳米线，有望加速GaAs1-xSbx三元合金纳米线能带工程在下一代近红外发光二极管、激光器及光纤通讯等方面的应用。

关键词 半导体纳米线 三元合金 全组分 中国科学院半导体研究所 质量 可调 制备 中科院

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期待1％的崛起——访无锡凤凰半导体科技有限公司总经理屈志军

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作者 于璇 《电器》 2012年第9期I0050-I0051,共2页

2012年6月，《电器》记者初次与无锡凤凰半导体科技有限公司总经理屈志军会面．地点是在中国科学院半导体研究所。那时，他正指点着满是坐标图和公式的黑板，与半导体研究所的研究员热烈地讨论着IGBT的性能参数。虽然记者并不了解那些... 2012年6月，《电器》记者初次与无锡凤凰半导体科技有限公司总经理屈志军会面．地点是在中国科学院半导体研究所。那时，他正指点着满是坐标图和公式的黑板，与半导体研究所的研究员热烈地讨论着IGBT的性能参数。虽然记者并不了解那些术语背后的奥义．却可以感受到屈志军对于电力电子半导体行业的热爱。 展开更多

关键词 中国科学院半导体研究所 总经理 科技 凤凰 无锡 半导体行业 性能参数 IGBT

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见证光电的神奇力量——记中国科学院半导体研究所研究员刘俊岐

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作者 李佳 《科学中国人》 2016年第4期90-91,共2页

2002年,在国际研究量子级联激光器的领域发生了两件具有＂里程碑＂意义的大事：一是中红外量子级联激光器实现了室温连续波工作;二是实现了太赫兹量子级联激光材料的激射。这在当时引起了巨大轰动。就在这一年,2002年6月,刘俊岐进入中... 2002年,在国际研究量子级联激光器的领域发生了两件具有＂里程碑＂意义的大事：一是中红外量子级联激光器实现了室温连续波工作;二是实现了太赫兹量子级联激光材料的激射。这在当时引起了巨大轰动。就在这一年,2002年6月,刘俊岐进入中国科学院半导体所材料科学重点实验室工作,自此拉开他对电磁波研究的追逐赛。 展开更多

关键词 量子级联激光器 太赫兹波 连续波 中红外 激射 中国科学院 太赫兹技术 输出光功率 专家简介 激光材料

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半导体所在二维GaS超薄半导体的基础研究中取得新进展

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《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期307-307,共1页

中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室博士后杨圣雪、博士生李燕，在李京波研究员、李树深院士和夏建白院士的团队中，在二维GaS超薄半导体的基础研究中取得新进展。相关成果发表在2014年2月7日英国皇家化学会主办的《纳米尺度》... 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室博士后杨圣雪、博士生李燕，在李京波研究员、李树深院士和夏建白院士的团队中，在二维GaS超薄半导体的基础研究中取得新进展。相关成果发表在2014年2月7日英国皇家化学会主办的《纳米尺度》（Nanoscale）上，并被选为“热点论文”（HotArticle）。 展开更多

关键词 中国科学院半导体研究所 基础研究 GAS 超薄 二维 国家重点实验室 纳米尺度 博士后

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