微机控制半导体激光器恒温槽的研制

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作者 马向东 《数据采集与处理》 CSCD 1989年第A10期107-108,共2页

1.引言半导体激光器的量子效率、模式特性及使用寿命等都与使用环境温度有关。温度对发射波长及阈值电流的影响更为明显。如何控制激光器工作的环境温度就显得非常重要了。为此,本文介绍一个温度可在室温附近调节,用微机控制的高精度半... 1.引言半导体激光器的量子效率、模式特性及使用寿命等都与使用环境温度有关。温度对发射波长及阈值电流的影响更为明显。如何控制激光器工作的环境温度就显得非常重要了。为此,本文介绍一个温度可在室温附近调节,用微机控制的高精度半导体激光器恒温槽的研制,并给出初步实验结果,其温度稳定性的估值为±4×10^(-3)℃。 展开更多

关键词 微机控制 半导体激光器 恒温槽

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制造更好的高功率半导体激光器

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作者 阳光 《激光与光电子学进展》 CSCD 1997年第10期14-15,共2页

关键词 半导体激光器 激光器 制造工艺

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II-VI多量子阱中局域化激子的受激发射

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作者 郑泽伟 石汉青 +2 位作者 范希武 郑著宏 张吉英 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第11期1023-1027,共5页

通过对ＺｎｘＣｄ１－ｘＴｅ－ＺｎＴｅ多量子阱样品的光泵受激发射研究讨论了材料中激子局域态对受激发射激子过程以及受激发射特性的影响。两块不同组份和不同局域态密度的ＺｎＣｄＴｅ－ＺｎＴｅ多量子阱样品受激发射过程都是ｎ＝１... 通过对ＺｎｘＣｄ１－ｘＴｅ－ＺｎＴｅ多量子阱样品的光泵受激发射研究讨论了材料中激子局域态对受激发射激子过程以及受激发射特性的影响。两块不同组份和不同局域态密度的ＺｎＣｄＴｅ－ＺｎＴｅ多量子阱样品受激发射过程都是ｎ＝１重空穴激子参与的一系列过程，但在Ｚｎ０．６７Ｃｄ０．３３Ｔｅ－ＺｎＴｅ中发现了激子－激子散射的受激发射过程，而在Ｚｎ０．７８Ｃｄ０．２２Ｔｅ－ＺｎＴｅ中没有发现这一受激发射的激子过程。ｘ＝０．６７的样品中具有较高的局域化激子密度，其受激发射具有较高的阈值。 展开更多

关键词 多量子阱 局域化 激子 受激发射 半导体激光器

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长波长1．3μm超辐射发光管的制备

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作者 鲍海飞 石家纬 +2 位作者 刘明大 金恩顺 李淑文 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第6期25-28,共4页

对半导体激光器腔面分别蒸镀单层和双层减反射膜（ＡＲ）制备超辐射发光管（ＳＬＤ），测试了器件功率特性、光谱特性和远场分布，并计算了器件端面的剩余反射率。

关键词 超辐射发光管 减反射膜 剩余反射率

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窄线宽单纵模沟槽衬底平面条形(AlGa)As激光器的研制及其线宽分析

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作者 胡衍芝 顾德英 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第12期1066-1071,共6页

本文报道了我们所研制的沟槽衬底平面条形(CSP)铝镓砷((AlGa)As)单模激光器,能以单纵模稳定工作,△v<5MHz,并从理论上定性分析了半导体激光器线宽变宽的机理,提出了进一步压窄线宽的方法.

关键词 砷化镓 激光器 线宽变宽 砷化铝

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半导体激光器端面镀膜厚度的有效监控

6

作者 李大义 卢玉村 +1 位作者 陈建国 潘大任 《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1989年第3期358-360,共3页

行波式半导体激光放大器在未来光通讯系统中是极为重要的.研究表明,为实现行波放大,端面剩余反射率需低于1×10-3,这就需要在半导体激光器两端面（解理面）镀高效减反射膜,使其转变成激光放大器.而半导体激光器端面积仅1012m2量级,... 行波式半导体激光放大器在未来光通讯系统中是极为重要的.研究表明,为实现行波放大,端面剩余反射率需低于1×10-3,这就需要在半导体激光器两端面（解理面）镀高效减反射膜,使其转变成激光放大器.而半导体激光器端面积仅1012m2量级,有源区的有效折射率又是一个不大容易确定的参数。 展开更多

关键词 半导体 激光器 镀膜厚度 监控

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半导体激光器腔面SiO、Au涂层的研究 被引量：1

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作者 杨晓妍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期53-55,共3页

通过在ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ激光器前后腔面蒸镀ＳｉＯ减反射膜和ＳｉＯ、Ａｎ高反射膜的工艺过程，从理论和实验上分析涂层特性，反射率、透射率由无膜时的３２％、６８％提高到９４％以上，提高激光输出功率和工作寿命。

关键词 激光器 高反射膜 金 氧化硅 涂层 砷化镓

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半导体激光器电极制备中的蒸发技术 被引量：1

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作者 王玉霞 王晓华 李辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期54-55,共2页

介绍了半导体激光器电极的蒸发技术。改进了焊接技术即蒸铟技术，并对使用的铟量、铟的厚度、蒸发电流、蒸发源与被蒸镀的电极之间的距离及铟表面的均匀度进行了实验。最后蒸发出了表面均匀、有金属光泽、厚度合适的理想电极。

关键词 蒸发技术 电极蒸铟 半导体激光器

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半导体激光器在电子焊接领域的应用

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作者 Stephen Lee 赵钦 《世界电子元器件》 1999年第7期76-77,共2页

随着电子器件和集成电路的微型化发展,使得传统的软熔焊接方法不断受到挑战。如何在高密度相互连接中成功地完成对每个细小的焊脚的焊接,而不造成相邻焊脚间的粘连和电路板的热损坏,采用激光进行无接触焊接成为解决方案之一。以前,能够... 随着电子器件和集成电路的微型化发展,使得传统的软熔焊接方法不断受到挑战。如何在高密度相互连接中成功地完成对每个细小的焊脚的焊接,而不造成相邻焊脚间的粘连和电路板的热损坏,采用激光进行无接触焊接成为解决方案之一。以前,能够提供足够功率的激光器大多体积庞大、日常维护成本高,因此很不实用。但是,随着高功率半导体激光器技术的发展,采用激光进行无接触焊接已经成为实用、高效的重要手段。 展开更多

关键词 半导体激光器 电子焊接 制造工艺 应用

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基于MBE的GaAlAs／GaAs分布反馈式半导体激光器的制作新工艺

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作者 罗毅 张盛忠 +2 位作者 司伟民 陈镝 王健华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第10期694-699,共6页

利用分子束外延（ＭＢＥ）对ＧａＡＩＡｓ和ＧａＡｓ的选择性热蚀特性进行光栅上的二次外延生长，既能获得清洁的外延界面，又能精确控制光栅的形状．采用这种方法，我们在国际上首次成功地制作了完全ＭＢＥ生长的内含吸收光栅的ＧａＡ... 利用分子束外延（ＭＢＥ）对ＧａＡＩＡｓ和ＧａＡｓ的选择性热蚀特性进行光栅上的二次外延生长，既能获得清洁的外延界面，又能精确控制光栅的形状．采用这种方法，我们在国际上首次成功地制作了完全ＭＢＥ生长的内含吸收光栅的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ多量子阱增益耦合型分布反馈式（ＤＦＢ）半导体激光器．并实现了激光器在室温下的脉冲激射，、器件表现出了ＤＦＢ模式的单模工作特性． 展开更多

关键词 半导体激光器 分子束外延 砷化镓 砷化铝镓

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质子轰击制备GaAs激光器的计算机模拟

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作者 李欣年 王传珊 《上海科技大学学报》 1990年第4期8-12,共5页

关键词 激光器 GAAS 制备 质子轰击

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适于单片集成光发射机制作的正装GaAlAs／GaAsBH激光器

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作者 殷景志 沈澍乔 胡礼中 《广西工学院学报》 CAS 1995年第1期55-58,共4页

本文研究了一种用于单片集成光发射机而制作的正装ＳＩ衬底上的ＧａＡＩＡｓ／ＧａＡｓＢＨ激光器．其制造工艺简单，全部结构由两次外延形成．目前条宽６～８μｍ，腔长２５０μｍ的ＢＨ激光器已实现了室温连续工作，典型阈值电流为４... 本文研究了一种用于单片集成光发射机而制作的正装ＳＩ衬底上的ＧａＡＩＡｓ／ＧａＡｓＢＨ激光器．其制造工艺简单，全部结构由两次外延形成．目前条宽６～８μｍ，腔长２５０μｍ的ＢＨ激光器已实现了室温连续工作，典型阈值电流为４０～５０ｍＡ，最低阈值电流为２８ｍＡ。 展开更多

关键词 激光器 集成 光发射机 镓铝砷 砷化镓

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半导体激光器腔面高反射涂层的研究 被引量：3

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作者 杨晓妍 杨莲 王玉霞 《长春光学精密机械学院学报》 1995年第3期67-69,共3页

通过对GaAs－GaAlAs激光器谐振腔后腔面蒸镀ZrO2，MgF2工艺过程，从|理论和实验上分析涂层特性，反射率由无膜时的32％，镀膜后提高到92．5％。保护了器件端面，降低问值电流，提高了激光输出功率和工作寿命。

关键词 高反射膜 谐振腔 半导体激光器

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GaAlAs激光器腔面减反射涂层的研究

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作者 杨晓妍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期22-23,共2页

通过对波长９１０ｎｍＧａＡｓ－ＧａＡｌＡｓ激光器谐振腔面蒸镀ＺｒＯ＿２膜的工艺过程，从理论和实验上分析涂层特性，透射率由无膜时６２％提高到９４％以上，提高了激光输出功率和工作寿命，对器件端面起到了保护作用。

关键词 谐振腔 减反向膜 镀膜技术 半导体激光器

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