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高温PTC陶瓷中铅对T_C移动效果的实验被引量：6: 1; 作者朱云松徐天华《电子元件与材料》 CAS CSCD 1997年第3期20-22,共3页; 在制备高温ＰＴＣ陶瓷时，以加入ＰｂＴｉＯ３的形式引进Ｐｂ成分达到提高ＴＣ的目的取得了很好的效果，移动效率最高达６．５℃／１０－２（ｍｏｌ）。; 关键词 PTC陶瓷钛酸铅居里温度移动剂; 下载PDF 职称材料

Bi_2O_3蒸汽掺杂的Ba_(1-x)Si_xTiO_3半导化陶瓷的PTCR效应被引量：3: 2; 作者齐建全桂治轮 +1 位作者李龙土陈万平《压电与声光》 CSCD 北大核心 1998年第6期408-410,共3页; 施主掺杂的钛酸钡陶瓷的ＰＴＣＲ效应来源于晶界上的钡空位。在Ｂｉ２Ｏ３蒸汽两次掺杂的样品中发现了大于８个量级的ＰＴＣＲ效应。在烧成过程中的Ｂｉ２Ｏ３蒸汽掺杂时，高氧分压下可以产生更高的钡空位浓度，因而样品具有更高的ＰＴ... 展开更多; 关键词蒸汽掺杂 PTCR 缺陷半导体陶瓷; 下载PDF 职称材料

用TSC谱图研讨ZnO压敏陶瓷材料脉冲后的衰退: 3; 作者葛景滂王力衡赵宇平《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 1991年第1期46-50,共5页; 用热刺激电流(TSC)谱图分析法对氧化锌(ZnO)陶瓷材料的极化机理及通过对比实验对脉冲衰退机理进行了分析,讨论了热离子松弛极化、夹层极化,它们对材料损耗的影响以及脉冲电流作用引起材料一些性能参数的变化,对实验中发现的ZnO材料热释... 展开更多; 关键词压敏陶瓷材料脉冲衰退实验; 下载PDF 职称材料

镁掺杂对ZnO-Al_2O_3系陶瓷性能的影响: 4; 作者纪士东卢都友《电子元件与材料》 CAS CSCD 1999年第3期7-8,共2页; 运用回归数学分析并结合ＳＥＭ观测结果，对影响ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３系陶瓷电阻及阻－温特性的线性化机制进行了探讨。研究表明，Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ的掺杂及烧成工艺均对材料的电阻率和电阻温度系数有较为明显的影响，镁掺杂对材料的电... 展开更多; 关键词镁掺杂陶瓷 ZnO-Al2O3系性能; 下载PDF 职称材料

高热导氮化铝陶瓷及其应用被引量：1: 5; 作者麦久翔卞根兴《电子元件》 1995年第2期30-36,共7页; 九十年工是新材料革命时代，人们把材料、能源、信息列为现代社会的三大支柱。如果将尼龙、聚酯、半导体材料称为第一代材料革命产物的话，那么精密陶瓷则是第二代材料革命的宠儿，而今以高热导，高绝缘著称的氮化铝陶瓷，又是精密陶瓷... 展开更多; 关键词精密陶瓷氮化铝高热导功率半导体器件; 下载PDF 职称材料

PTCR陶瓷化学沉积镍电极的工艺及结构被引量：2: 6; 作者张道礼东振中 +1 位作者龚树萍周东祥《电子元件与材料》 CAS CSCD 1999年第3期22-23,32,共3页; 用化学沉积法在ＰＴＣＲ陶瓷上制作镍电极可形成良好的欧姆接触，且成本较低。通过实验，优选出了合适的镀液成分、浓度及施镀条件。用扫描电镜分析了镍层的结构和成分，探讨了镀层的生长机理，并描述了核生长机理的模型。; 关键词化学沉积镍电极 PTCR陶瓷微观结构生长机理; 下载PDF 职称材料

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