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烧成温度对Pb（Mg_（1／3）Nb_（2／3））O_3－pb（Zn_（1／3 被引量：1
1
作者 王雨 桂治轮 +1 位作者 李龙土 张孝文 《功能材料》 CSCD 1994年第3期238-242,共5页
研究了一种满足Ｙ５Ｕ指标要求的ＰＭ计ＰＺＮ－ＰＴ介电陶瓷的恒温老化行为与烧成温度的关系，发现在低温烧结要求的温度范围内（９００∽９５０℃），该材料的老化性能满足有关标准，而过高或过低的烧结温度均导致１０倍时间老化率的... 研究了一种满足Ｙ５Ｕ指标要求的ＰＭ计ＰＺＮ－ＰＴ介电陶瓷的恒温老化行为与烧成温度的关系，发现在低温烧结要求的温度范围内（９００∽９５０℃），该材料的老化性能满足有关标准，而过高或过低的烧结温度均导致１０倍时间老化率的增大；利用显微结构结构观察分析了上述结果。 展开更多
关键词 介电老化 弛豫 铁电体 低温烧结 介电陶瓷 烧成
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低温烧结Nb_2O_5-Bi_2O_3-ZnO系高频介质陶瓷 被引量：4
2
作者 姚尧 王依琳 +2 位作者 赵梅瑜 吴文骏 金行运 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期684-688,共5页
本文研究液相添加剂（ Ｃｕ Ｏ、 Ｖ２ Ｏ５ 、 Ｌｉ Ｆ、 Ｐｂ Ｏ、 Ｈ３ Ｂ Ｏ３ 、 Ｂｉ２ Ｏ３） 对 Ｎｂ２ Ｏ５ Ｂｉ２ Ｏ３ Ｚｎ Ｏ 系陶瓷的烧结和介电特性的影响基于实验结果， 研制的 Ｎｂ２ Ｏ５ Ｂｉ２ Ｏ３ Ｚ... 本文研究液相添加剂（ Ｃｕ Ｏ、 Ｖ２ Ｏ５ 、 Ｌｉ Ｆ、 Ｐｂ Ｏ、 Ｈ３ Ｂ Ｏ３ 、 Ｂｉ２ Ｏ３） 对 Ｎｂ２ Ｏ５ Ｂｉ２ Ｏ３ Ｚｎ Ｏ 系陶瓷的烧结和介电特性的影响基于实验结果， 研制的 Ｎｂ２ Ｏ５ Ｂｉ２ Ｏ３ Ｚｎ Ｏ 系陶瓷的烧结温度９００‘ Ｃ， 介电性能为： εｒ ＝ １５０ ～１７０ ， ｔａｎ δ＝ ０００２ ～０００８ （１００ Ｍ Ｈｚ） ， 电容温度系数（ Δ Ｃ Ｃ） ±５ ％（１ Ｍ Ｈｚ） 展开更多
关键词 液相添加剂 低温烧结 介质陶瓷 氧化物陶瓷
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四硼酸锂晶体圆片的加工与表征 被引量：3
3
作者 徐家跃 范世 马山豆 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1996年第6期403-406,共4页
介绍了坩埚下降法生长的优质四硼酸锂晶体（ＬＢＯ）７６ｍｍ（３英寸）标准圆片的加工工艺，讨论了ＬＢＯ圆片的质量。研究表明。
关键词 四硼酸锂晶体 圆片 加工 声表面波 压电晶体
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Li_2B_4O_7晶体生长及其二次谐波系数 被引量：2
4
作者 张希艳 刘景和 +3 位作者 李朝晖 李建利 曹莹 李艳红 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期824-827,共4页
用恰克拉斯基（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法特殊工艺生长出尺寸为Φ３０×３０ｍｍ的优质Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７单晶，讨论了工艺参数对晶体宏观缺陷的影响。用Ｍａｋｅｒ条纹测量了晶体的二次谐波系数ｄ３１和ｄ３３，结果表明，Ｌｉ２Ｂ... 用恰克拉斯基（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法特殊工艺生长出尺寸为Φ３０×３０ｍｍ的优质Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７单晶，讨论了工艺参数对晶体宏观缺陷的影响。用Ｍａｋｅｒ条纹测量了晶体的二次谐波系数ｄ３１和ｄ３３，结果表明，Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７的ｄ３３是石英晶体ｄ１１的三倍。 展开更多
关键词 晶体生长 二次谐波系统 压电晶体 四硼酸锂
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高比容钽粉应用工艺
5
作者 张红丽 黎粤凌 《电子元件》 1993年第4期37-41,共5页
关键词 钽电解电容器 高比容钽粉 钽粉
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稀土钛酸盐复合氧化物的水热合成和微结构特征研究
6
作者 李广社 李莉萍 +2 位作者 汪敏强 冯守华 姚熹 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期312-316,共5页
用水热法合成了稀土钛酸盐ReNaTi2O6（Re＝Ce，Nd和Eu），对其进行了XRD、SEM、XPS和151EuMossbauer表征．晶化条件（如矿化剂和初始摩尔浓度等）决定产物的结构类型和纯度．在晶化过程中钠离子占据到钙钛矿格位没有造成Ti离了价态还原.... 用水热法合成了稀土钛酸盐ReNaTi2O6（Re＝Ce，Nd和Eu），对其进行了XRD、SEM、XPS和151EuMossbauer表征．晶化条件（如矿化剂和初始摩尔浓度等）决定产物的结构类型和纯度．在晶化过程中钠离子占据到钙钛矿格位没有造成Ti离了价态还原.CeNaTi2O6的Ce3d5／2主峰位结合能为885.45eV，这表明CeNaTi2O6中Ce离子主要以Ce（Ⅲ）形式存在.NdNaTi2O6具有更规则的晶型.EuNaTi2Oe中晶场贡献大于二级4f贡献．和固相反应法相比，水热产物中缺陷浓度较低，晶格畸变度较小． 展开更多
关键词 水热法 稀土钛酸盐 复合氧化物 介电陶瓷 结构
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确定晶片坐标轴方向的X光衍射方法
7
作者 王矜奉 马京路 《压电晶体技术》 1991年第1期1-5,共5页
关键词 压电晶体 晶片 坐标轴 X光衍射
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