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三元层状碳化物Ti_3SiC_2的研究进展 被引量：21
1
作者 朱教群 梅炳初 陈艳林 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2001年第4期105-109,共5页
本文综合介绍Ti3SiC2 的最新研究进展。三元碳化物Ti3SiC2 属于层状六方晶体结构 ,空间群为P63 mmC ;它同时具有金属和陶瓷的优良性能 ,有良好的导电和导热能力 ,高弹性模量和低维氏显微硬度 ,在室温下可切削加工 ,在高温下能产生塑性变... 本文综合介绍Ti3SiC2 的最新研究进展。三元碳化物Ti3SiC2 属于层状六方晶体结构 ,空间群为P63 mmC ;它同时具有金属和陶瓷的优良性能 ,有良好的导电和导热能力 ,高弹性模量和低维氏显微硬度 ,在室温下可切削加工 ,在高温下能产生塑性变形 ,良好的高温热稳定性和优秀的抗氧化性能 ;应用CVD、SHS、HP HIP等方法可制备该化合物 ,用HIP方法能制备高纯、致密的Ti3SiC2 陶瓷 ;Ti3SiC2 展开更多
关键词 TI3SIC2 结构 性能 制备 抗损伤机理 三元层状碳化物 碳硅化钛 陶瓷材料
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Ge掺杂Sm_(0.2)Ce_(0.8)O_(1.9)电解质材料制备与性能研究
2
作者 邓苏亚 王玮 +4 位作者 蔡长焜 刘媛媛 谢满意 薛柯 安胜利 《内蒙古科技大学学报》 CAS 2022年第2期126-132,共7页
采用溶胶凝胶法合成了不同Ge含量的Ge_(x)Sm_(0.2)Ce_(0.8-x)O_(1.9)(x=0~0.04,xGSDC)电解质粉体.XRD结果表明:Ge^(4+)在xGSDC电解质中的固溶度低于4%;SEM和致密度结果分析表明1GSDC比SDC具有更高的致密度,Ge掺杂提高材料的烧结性能,145... 采用溶胶凝胶法合成了不同Ge含量的Ge_(x)Sm_(0.2)Ce_(0.8-x)O_(1.9)(x=0~0.04,xGSDC)电解质粉体.XRD结果表明:Ge^(4+)在xGSDC电解质中的固溶度低于4%;SEM和致密度结果分析表明1GSDC比SDC具有更高的致密度,Ge掺杂提高材料的烧结性能,1450℃烧结的1GSDC的致密度为99.30%;1450℃烧结的1GSDC在750℃下电导率为0.050 S·cm^(-1),而SDC在750℃下的电导率为0.034 S·cm^(-1),Ge的掺杂提高了1GSDC的晶界电导;以1GSDC为电解质的单电池在750℃的最大功率密度达到552 mW/cm^(2). 展开更多
关键词 固体氧化物燃料电池 电解质 掺杂 锗
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