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溶剂对有机非线性光学晶体NPAN生长习性的影响
1
作者 高绍康 陈维钧 陈建中 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期799-804,共6页
本文测定了有机晶体N-(4-硝基苯)-N-甲基-2-氨基乙腈(简称NPAN)在某些醇和酮有机溶剂中的溶解度,研究了NPAN在这些有机溶剂中的溶液热力学性质、溶质与溶剂的相互作用以及溶剂对NPAN结晶习性的影响.根据界面熵因子α值,预测了NPAN晶体... 本文测定了有机晶体N-(4-硝基苯)-N-甲基-2-氨基乙腈(简称NPAN)在某些醇和酮有机溶剂中的溶解度,研究了NPAN在这些有机溶剂中的溶液热力学性质、溶质与溶剂的相互作用以及溶剂对NPAN结晶习性的影响.根据界面熵因子α值,预测了NPAN晶体在不同溶剂中低指数晶面的晶体生长机制.选择丁酮为生长溶剂,进行单晶生长实验.在35～25℃温度区间内,用溶液降温法在较高过饱和度下成功地培养出尺寸为37×7.0×7.0 mm3的棱柱状透明单晶,所得晶体的外形与预测的结果相吻合. 展开更多
关键词 NPAN晶体 有机溶剂 生长习性
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长链二元酸的水相反应结晶过程研究 被引量：3
2
作者 龚俊波 朱明河 +1 位作者 张辉 尹秋响 《天津大学学报（自然科学与工程技术版）》 EI CSCD 北大核心 2018年第8期863-869,共7页
针对目前由生物发酵法制备、水相结晶法提纯的长链二元酸产品晶形差、晶体粒度差、易于团聚等问题,本文以十二碳二元酸为研究模型,采用静态法测定了十二碳二元酸在水中的溶解度,并通过实验探究了原料流加方式、温度、pH值、搅拌速率等... 针对目前由生物发酵法制备、水相结晶法提纯的长链二元酸产品晶形差、晶体粒度差、易于团聚等问题,本文以十二碳二元酸为研究模型,采用静态法测定了十二碳二元酸在水中的溶解度,并通过实验探究了原料流加方式、温度、pH值、搅拌速率等因素对水相结晶产品的影响.结果表明:十二碳二元酸在水中的溶解度极小,水相反应结晶过程中,极易导致反应体系局部产物过饱和度过高,从而爆发成核,晶体聚结,包藏杂质,进而影响产品质量;而选用双向流加反应原料的方式可以有效控制局部产物过饱和度,从而提高产品质量,由此开发出了一套完整可行的长链二元酸水相反应结晶工艺. 展开更多
关键词 长链二元酸 溶解度 水相法 反应结晶
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近化学计量比铌酸锂晶体生长的新方法(英文) 被引量：1
3
作者 吴剑波 姚淑华 +4 位作者 夏宗仁 秦小勇 高磊 刘宏 王继扬 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期608-611,共4页
在计算机温场模拟的基础上,探索设计了悬挂式双坩埚和均匀加料装置。在富锂(Li2O摩尔分数为58.5%)熔体中采用提拉法生长了φ50mm×50mm的近化学计量比铌酸锂晶体。测量结果表明:晶体的紫外吸收边发生了明显的蓝移,测得Li摩尔分数达... 在计算机温场模拟的基础上,探索设计了悬挂式双坩埚和均匀加料装置。在富锂(Li2O摩尔分数为58.5%)熔体中采用提拉法生长了φ50mm×50mm的近化学计量比铌酸锂晶体。测量结果表明:晶体的紫外吸收边发生了明显的蓝移,测得Li摩尔分数达到49.87%。利用干涉仪测量样品的光学均匀性,生长晶体均方根折射率不均匀性?n=7.250×10-5 cm-1。 展开更多
关键词 铌酸锂 近化学计量比 提拉法 悬挂式双坩埚
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捕获溶质扩散层边界法优化二维枝晶生长的相场法模拟 被引量：1
4
作者 龙文元 王刚 +1 位作者 尧军平 王伟 《特种铸造及有色合金》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期378-380,共3页
在枝晶生长相场法模拟中,提出了捕获溶质扩散层边界法进行算法的优化。即不必每一步对计算区域内所有网格进行计算,以通过减少计算循环次数来节省模拟计算时间。在二维网格x和y方向上捕获离晶体中心最远溶质扩散层边界,计算时只对边界... 在枝晶生长相场法模拟中,提出了捕获溶质扩散层边界法进行算法的优化。即不必每一步对计算区域内所有网格进行计算,以通过减少计算循环次数来节省模拟计算时间。在二维网格x和y方向上捕获离晶体中心最远溶质扩散层边界,计算时只对边界范围以内的网格进行计算。通过该方法可减少相场模型的计算时间,模拟二维枝晶生长的形貌和溶质场分布与优化前基本一致。 展开更多
关键词 相场法 微观组织 枝晶生长 溶质扩散层边界
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低腐蚀隧道密度高品质人造压电石英晶体的生长
5
作者 华大辰 李森 《压电晶体技术》 2000年第2期7-9,共3页
压电石英元器件正向高频、小型化、片式化等方向发展，对人造石英晶体材料的品质提出了新的要求，当选用低位错的晶体作晶种，生长时提高控温精度，配以优化的工艺条件，可以培养出这类高品质的人造石英晶体，与此同时，假如用多次重结... 压电石英元器件正向高频、小型化、片式化等方向发展，对人造石英晶体材料的品质提出了新的要求，当选用低位错的晶体作晶种，生长时提高控温精度，配以优化的工艺条件，可以培养出这类高品质的人造石英晶体，与此同时，假如用多次重结晶的人造石英晶体代替熔炼石英作原料，可以提高晶体的纯度，从而提高元器件的耐辐照性能。 展开更多
关键词 低腐蚀隧道密度 人造压电石英晶体
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不同浓度TiCl_4浸渍的SnO_2光阳极对染料敏化太阳能电池性能的影响 被引量：1
6
作者 齐涛 张永超 郑威 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期1525-1530,共6页
采用溶剂热法制备出花状Sn O2晶体,然后在FTO导电玻璃上制得Sn O2薄膜。将Sn O2薄膜在不同浓度Ti Cl4溶液中浸渍1 h,并经450℃煅烧30 min得到Sn O2-Ti O2复合薄膜光阳极。经N3染料浸渍后,与Pt对电极,I–/I3–电解质组装成染料敏化太阳... 采用溶剂热法制备出花状Sn O2晶体,然后在FTO导电玻璃上制得Sn O2薄膜。将Sn O2薄膜在不同浓度Ti Cl4溶液中浸渍1 h,并经450℃煅烧30 min得到Sn O2-Ti O2复合薄膜光阳极。经N3染料浸渍后,与Pt对电极,I–/I3–电解质组装成染料敏化太阳能电池(DSSC),测试了DSSC的性能。结果表明:Ti Cl4浸泡有利于提高Sn O2-DSSC的光电性能,当Ti Cl4浓度为0.15 mol/L时,Sn O2-Ti O2-DSSC的短路电流(Jsc)和开路电压(Voc)分别达到11.30 m A/cm2和0.55 V,电池的光电转换效率达到3.24%,与纯花状Sn O2-DSSC相比提高了近4倍。分析了不同浓度的Ti Cl4对光阳极的电子输运和光电转换效率的影响机制。 展开更多
关键词 染料敏化太阳能电池 光阳极 二氧化锡晶体 四氯化钛溶液 光电性能
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微重力下单晶硅生长中热毛细对流的控制研究 被引量：3
7
作者 李杰 杨志刚 +1 位作者 毛科 李明伟 《重庆大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期97-100,共4页
在微重力条件下用浮区结晶法生长半导体单晶硅独具优势 ,但自由界面的温度梯度所诱发的热毛细对流对晶体质量的影响却更为突出。文中提出一种抑制热毛细对流的新方法———表面截割法 ,即通过适当改变自由表面的状况来抑制热毛细对流 ;... 在微重力条件下用浮区结晶法生长半导体单晶硅独具优势 ,但自由界面的温度梯度所诱发的热毛细对流对晶体质量的影响却更为突出。文中提出一种抑制热毛细对流的新方法———表面截割法 ,即通过适当改变自由表面的状况来抑制热毛细对流 ;在建立了半浮区 (液桥 )热毛细对流的数学模型的基础上 ,利用有限元法对不同截割方式下的流场、温度场做了数值模拟分析。结果表明 ,表面截割对浮区内的热毛细对流有很好的抑制作用 ,适当增加截割次数 ,可使热毛细对流削弱 70 %以上。 展开更多
关键词 单晶硅 控制 热毛细对流 浮区法 表面截割 微重力 有限元法 晶体生长 半导体
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双旋转SC切石英晶片制作
8
作者 孙本初 《电光系统》 1993年第1期41-45,40,共6页
关键词 SC切 Y棒 厚度切变 石英晶片 制备
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一个涉及两个三角形的三元二次型不等式
9
作者 刘健 《渤海大学学报（自然科学版）》 CAS 2004年第3期209-210,共2页
应用三角形重要的加权正弦和不等式,建立了一个新的涉及两个三角形的三元二次三角不等式,讨论了它的一则应用,提出了一个有关的猜想。
关键词 三角形 实数 不等式
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钨酸钕单晶的光谱特性
10
作者 臧竞存 陈新奇 《激光与光电子学进展》 CSCD 1995年第A01期82-82,共1页
关键词 钨酸钕单晶 光谱 单晶生长
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稀土掺杂钨酸钆钠激光晶体的生长及性能研究 被引量：3
11
作者 王鸿雁 游振宇 +3 位作者 朱昭捷 王燕 吴柏昌 涂朝阳 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1301-1309,共9页
采用提拉法生长出纯的和Nd3+、Tm3+、Ho3+、Dy3+、Pr3+掺杂的大尺寸优质NaGd(WO4)2晶体。测定了晶体沿(001)和(100)方向的热膨胀系数。测定了晶体的折射率,得到了折射率的色散方程。测量了NaGd(WO4)2晶体的拉曼光谱,对晶体的振动性能进... 采用提拉法生长出纯的和Nd3+、Tm3+、Ho3+、Dy3+、Pr3+掺杂的大尺寸优质NaGd(WO4)2晶体。测定了晶体沿(001)和(100)方向的热膨胀系数。测定了晶体的折射率,得到了折射率的色散方程。测量了NaGd(WO4)2晶体的拉曼光谱,对晶体的振动性能进行研究。对稀土离子掺杂的NaGd(WO4)2晶体进行了一系列的光谱性质研究,并进行了Judd-Ofelt理论计算。Nd3+:NaGd(WO4)2和Tm3+:NaGd(WO4)2晶体在800nm附近吸收峰的半高宽和吸收截面较大,有利于LD泵浦。测定了不同能级的荧光寿命,发现Nd3+:NaGd(WO4)2晶体具有较高的荧光量子效率。采用氙灯闪光灯作为泵浦源,研究了Nd3+:NaGd(WO4)2晶体1060nm的激光特性。 展开更多
关键词 晶体生长 光谱性能 激光特性
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Tm:Lu_3Al_5O_(12)晶体的生长与光谱性能研究 被引量：3
12
作者 王晓丹 徐晓东 +3 位作者 臧涛成 马春兰 赵志伟 徐军 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期745-749,共5页
采用提拉法生长高质量的纯LuAG晶体和4%(原子分数)Tm:LuAG晶体。对晶体的晶胞参数和光谱性能进行了详细的表征。研究发现:Tm3+的掺入没有改变LuAG基质的晶体结构;吸收光谱中255 nm处的吸收带是由Fe3+,Fe2+引起的;晶体在782 nm处的吸收峰... 采用提拉法生长高质量的纯LuAG晶体和4%(原子分数)Tm:LuAG晶体。对晶体的晶胞参数和光谱性能进行了详细的表征。研究发现:Tm3+的掺入没有改变LuAG基质的晶体结构;吸收光谱中255 nm处的吸收带是由Fe3+,Fe2+引起的;晶体在782 nm处的吸收峰,与商用AlGaAs二极管的发射波长匹配良好,吸收截面为5.07×10-21cm2。Tm:LuAG晶体在2μm波段的荧光峰对应3F4-3H6能级之间的跃迁,荧光寿命长达11.9 ms,有利于激光的高能量调Q输出。结果表明,Tm:LuAG晶体是2μm激光器中很有发展潜力的增益介质,将会替代Tm:YAG晶体应用于激光雷达系统。 展开更多
关键词 Tm:LuAG晶体 晶胞参数 吸收光谱 荧光光谱 稀土
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大尺寸长波红外非线性晶体CdSe生长及应用 被引量：2
13
作者 倪友保 韩卫民 +4 位作者 吴海信 毛明生 黄昌保 王振友 姜鹏飞 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第8期1488-1489,共2页
利用压力辅助法合成批量、高纯CdSe多晶原料,进行籽晶定向高压布里奇曼法生长,制备出∅(50~55)mm×(80~100)mm高品质单晶棒,加工出多相位匹配角度、多规格尺寸(6~8)2×(40~50)mm^3晶体元件。元件在2.1μm、2.6μm、10.8μm等多波... 利用压力辅助法合成批量、高纯CdSe多晶原料,进行籽晶定向高压布里奇曼法生长,制备出∅(50~55)mm×(80~100)mm高品质单晶棒,加工出多相位匹配角度、多规格尺寸(6~8)2×(40~50)mm^3晶体元件。元件在2.1μm、2.6μm、10.8μm等多波段o、e偏振光测试下,吸收系数分别≤0.02 cm^-1、≤0.02 cm^-1、≤0.01 cm^-1,通过光参量振荡实验,元件在10.1~10.8μm波段实现1.05 W长波红外激光输出。 展开更多
关键词 硒化镉晶体 压力辅助布里奇曼法 光参量振荡 非线性晶体
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磷锗锌晶体制备中的化学配比控制研究
14
作者 赵欣 李梦 +2 位作者 程江 吴小娟 朱健健 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第S1期352-355,共4页
分析了磷锗锌(ZnGeP_2)化学配比偏离产生的原因和对晶体造成的不良影响,提出了改进的方案。通过采用富P配料,提高生长料的装满度等措施,并运用改进的布里奇曼法,科学地设计出一个适宜晶体生长的温场,成功获得尺寸为Φ22 mm×45 mm... 分析了磷锗锌(ZnGeP_2)化学配比偏离产生的原因和对晶体造成的不良影响,提出了改进的方案。通过采用富P配料,提高生长料的装满度等措施,并运用改进的布里奇曼法,科学地设计出一个适宜晶体生长的温场,成功获得尺寸为Φ22 mm×45 mm的磷锗锌单晶。利用EDS和FTIR对生长的晶体进行表征,结果表明晶体化学元素配比接近理论值红外透过率高,满足光学器件的制做要求。 展开更多
关键词 磷锗锌 化学配比偏离 垂直布里奇曼法 晶体生长
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美开发超常规近红外激光结晶技术
15
《浙江化工》 CAS 2003年第4期30-30,共1页
关键词 美国伊利诺斯工业大学 超常规近红外激光结晶技术 晶体 成核
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利用全息相衬干涉显微术研究EDTA对KDP晶体生长习性的影响 被引量：2
16
作者 赵朋 夏海瑞 +2 位作者 孙大亮 卢贵武 郑文强 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期31-34,共4页
利用全息相衬干涉显微术 (HPCIM)研究了EDTA对KDP晶体 (10 0 )柱面和 (10 1)锥面生长习性的影响。通过界面边界层宽度的变化 ,可以直观地观测到在溶液中添加少量的EDTA后 ,促使KDP晶体沿柱面和锥面的生长 ,特别是对柱面的影响更为显著 ... 利用全息相衬干涉显微术 (HPCIM)研究了EDTA对KDP晶体 (10 0 )柱面和 (10 1)锥面生长习性的影响。通过界面边界层宽度的变化 ,可以直观地观测到在溶液中添加少量的EDTA后 ,促使KDP晶体沿柱面和锥面的生长 ,特别是对柱面的影响更为显著 ,并对此作了解释。最佳的EDTA浓度范围有待于进一步研究。 展开更多
关键词 全息相衬干涉显微术 EDTA KDP晶体 晶体生长习性
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GaP-LPE中的驱动力和成核
17
作者 李宝军 《甘肃联合大学学报（自然科学版）》 1994年第1期30-32,共3页
本文分析了GaP-LPE层生长过程中结晶的驱动力及对溶液过冷引起的成核率严格控制的原因,阐明了恰当选择并严格控制LPE过程中的最佳降温速度是提高GaP-LPE层生长质量的关键。
关键词 GAP 液相外延 驱动力 成核
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新的NLO化合物Ce(MoO_2)(OH)(IO_3)_4的合成和晶体结构
18
作者 张莉 陈学安 +2 位作者 常新安 臧和贵 肖卫强 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期812-816,共5页
新的NLO化合物Ce(MoO2)(OH)(IO3)4由水热法在170℃下制备得到。X射线单晶结构分析表明,该化合物以极性空间群P21结晶,晶体学参数为:a=0.70144(8)nm,b=1.41554(10)nm,c=0.70969(6)nm,β=115.318(7),°V=0.6369(1)nm3,Z=2。Ce(MoO2)(O... 新的NLO化合物Ce(MoO2)(OH)(IO3)4由水热法在170℃下制备得到。X射线单晶结构分析表明,该化合物以极性空间群P21结晶,晶体学参数为:a=0.70144(8)nm,b=1.41554(10)nm,c=0.70969(6)nm,β=115.318(7),°V=0.6369(1)nm3,Z=2。Ce(MoO2)(OH)(IO3)4的晶体结构是由八配位的Ce3+阳离子,高度畸变的MoO66-八面体,和碘酸根阴离子基团组成的复杂三维网所构成。分析其结构表明,含有I(3)和I(4)的碘酸根基团的孤电子对的合成方向指向极化轴b,从而导致晶体结构具有非中心对称性。此外,红外光谱进一步证实了MoO6-6,IO-3基团和Mo-OH作用的存在。 展开更多
关键词 Ce(MoO2)(OH)(IO3)4 水热合成 晶体结构
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Cd_(0.8)Mn_(0.2)Te晶体生长及结晶质量评价 被引量：1
19
作者 杨波 介万奇 +1 位作者 张继军 白旭旭 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1220-1224,共5页
采用垂直布里奇曼法生长了尺寸为＋30mm×120mm的Cd0.8Mn0.2Te晶锭。采用X射线粉末衍射及X射线双晶摇摆曲线分析了晶体的结构与结晶质量，结果显示所生长的晶体为单一立方闪锌矿结构，半峰宽为47．2arcsec，结晶质量良好。采用化学... 采用垂直布里奇曼法生长了尺寸为＋30mm×120mm的Cd0.8Mn0.2Te晶锭。采用X射线粉末衍射及X射线双晶摇摆曲线分析了晶体的结构与结晶质量，结果显示所生长的晶体为单一立方闪锌矿结构，半峰宽为47．2arcsec，结晶质量良好。采用化学腐蚀方法显示了晶体中的多种缺陷，包括位错，Te夹杂和孪晶。采用光学显微镜，扫描电镜和X射线能谱仪对缺陷形态和分布进行了研究。结果表明，晶体中位错密度在10^5～10^6cm^-2之间。晶体局部存在％夹杂相，尺寸为1-5μm。晶体中孪晶主要以共格孪晶存在。并提出了缺陷形成的原因和减少缺陷的方法。 展开更多
关键词 Cd0.8Mn0.2Te X射线粉末衍射 X射线双晶摇摆曲线 位错 Te夹杂 孪晶
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CZ单晶炉单晶等径生长计算机控制系统
20
作者 刘曙光 《工业控制计算机》 1997年第5期25-26,共2页
本文介绍了CZ单晶炉单晶等径生长计算机控制系统，简述了计算机硬件结构和软件设计原理。
关键词 单晶生长 计算机控制系统 CZ单晶炉 晶体生长
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