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含有2个五边形七边形缺陷对的单壁碳纳米管的电学性能 被引量：1
1
作者 张丽芳 胡慧芳 +1 位作者 汪小知 梁君武 《中南工业大学学报》 CSCD 北大核心 2003年第5期510-512,共3页
在紧束缚近似基础上,应用扩展的Su Schriffer Heeger(SSH)模型,在实空间研究了1根完整"之之"碳管管壁中沿周长方向并排引入2个五边形 七边形拓扑缺陷对所形成的同质结的电学性能;计算了(9,0)-(9,0)和(8,0)-(8,0)系统的电子态... 在紧束缚近似基础上,应用扩展的Su Schriffer Heeger(SSH)模型,在实空间研究了1根完整"之之"碳管管壁中沿周长方向并排引入2个五边形 七边形拓扑缺陷对所形成的同质结的电学性能;计算了(9,0)-(9,0)和(8,0)-(8,0)系统的电子态密度,对五边形 七边形缺陷对在碳管中沿轴向依次排列和沿周长方向并排放置时的电子态密度进行了比较.研究结果表明:五边形 七边形(5/7)拓扑缺陷对决定费米能级附近的电学行为;拓扑缺陷不同的分布与排列方式对碳管电学性能的影响有明显差异. 展开更多
关键词 碳纳米管 拓扑缺陷 电子态密度 同质结 异质结
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