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植入式神经电极阵列器件与材料的研究进展 被引量:7
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作者 都展宏 鲁艺 +2 位作者 蔚鹏飞 邓春山 李骁健 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2020年第12期76-88,共13页
人脑与电脑通过连续高通量的信息交互来实现深度融合是神经工程领域的重要发展愿景。脑机融合技术不但可以大幅提升运动残障、精神疾病、感知觉缺失能等多种疾病患者的治疗效果,更可以将电子计算机系统中存储的海量信息以及高速数值计... 人脑与电脑通过连续高通量的信息交互来实现深度融合是神经工程领域的重要发展愿景。脑机融合技术不但可以大幅提升运动残障、精神疾病、感知觉缺失能等多种疾病患者的治疗效果,更可以将电子计算机系统中存储的海量信息以及高速数值计算能力直接传递给人脑,从而赋予个人"超能力"。植入式神经电极阵列是发展宽带脑机融合智能系统所不可或缺的关键界面器件。一方面,植入式电极阵列可以同时保证大范围和高精度地记录神经元动作电位的精确发放时间和波形,为充分抽提神经信息,解读脑神经网络的活动奠定坚实基础。另一方面,借助植入式电极阵列对神经元进行高时空精度地信息写入,不但可以向脑内直接传入新信息,也可能改变神经精神疾病(例如帕金森氏症、癫痫和重度抑郁等)患者的异常神经网络活动,从而缓解症状或治疗疾病。电极阵列的微纳加工工艺、电极的理化特征及其与神经组织的界面效应是目前脑机接口技术前端研究的重要方向,而纳米材料和纳米器件等新技术在神经电子界面优化方面的重要作用也愈发明显。 展开更多
关键词 脑机接口 生物电子医疗 多电极阵列 在体电生理 纳米材料
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右美托咪啶复合芬太尼用于小儿阻塞性睡眠呼吸暂停综合征手术的临床观察
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作者 彭文勇 韦战红 +1 位作者 蓝志坚 杜光生 《中国临床药学杂志》 CAS 2016年第6期353-356,共4页
目的探讨右美托咪啶复合芬太尼用于小儿阻塞性睡眠呼吸暂停综合征(OSAS)患者低温射频消融术麻醉时的安全性及有效性。方法将择期OSAS低温射频消融术患儿80例随机分为2组:F组(芬太尼2μg·kg^(-1))和F+D组(芬太尼2μg·kg^(-1)+... 目的探讨右美托咪啶复合芬太尼用于小儿阻塞性睡眠呼吸暂停综合征(OSAS)患者低温射频消融术麻醉时的安全性及有效性。方法将择期OSAS低温射频消融术患儿80例随机分为2组:F组(芬太尼2μg·kg^(-1))和F+D组(芬太尼2μg·kg^(-1)+右美托咪啶0.6μg·kg^(-1)),每组40例。观察患儿诱导期和术中血流动力学情况,记录术后FLACC行为学评分、Ramsay镇静评分、拔管时间、低氧发生率(SpO_2<92%)及术后烦躁情况。结果 F+D组患儿术中血流动力学较F组更稳(P<0.05);各时点的FLACC评分明显低于F组(P<0.05);各时点Ramsay评分明显高于F组(P<0.05);术后低氧发生率与F组之间差异无统计学意义(P>0.05);术后躁动发生率低于F组(x^2=10.453,P<0.05)。结论右美托咪啶复合芬太尼能安全有效用于小儿OSAS低温射频消融术。 展开更多
关键词 右美托咪啶 芬太尼 低温射频消融术 阻塞性睡眠呼吸暂停综合征
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