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题名高深宽比石英结构的NLD刻蚀
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作者
吴亚宁
张伟
王逸群
黄健
缪小虎
王进
金晓盛
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机构
上海大学材料科学与工程学院
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米加工平台
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出处
《微纳电子技术》
北大核心
2017年第9期645-649,共5页
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基金
国家自然科学基金青年科学基金资助项目(11304356)
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文摘
基于磁中性环路放电(NLD)等离子体刻蚀机的原理,研究了Ar和C_4F_8混合气体氛围下,射频(RF)天线功率、偏置电源功率、气压和C4F8体积流量等工艺参数对NLD刻蚀石英的影响,最终获取优化的工艺参数,用于高深宽比石英结构的制备。结果表明,随着RF天线功率的增加,石英刻蚀速率逐渐降低,偏压不断减小;增加偏置电源功率,刻蚀速率及偏压持续增大,刻蚀比不断增大;随着反应压强的增加,偏压变大,而刻蚀速率一直降低;C_4F_8体积流量增加,偏压一直增大,石英刻蚀速率先是快速上升而后逐渐变小。在优化的工艺参数下,刻蚀速率为439 nm/min,深宽比可以达到10∶1。
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关键词
磁中性环路放电(NLD)等离子体
Ar+C4F8
石英
高深宽比
刻蚀
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Keywords
magnetic neutral loop discharge （NLD） plasma
Ar ＋ C4F8
quartz
high aspect ratio
etching
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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