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THE ASYMPTOTIC STABILITY OF PHASE SEPARATION STATES FOR COMPRESSIBLE IMMISCIBLE TWO-PHASE FLOW IN 3D
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作者 陈亚洲 Hakho HONG 施小丁 《Acta Mathematica Scientia》 SCIE CSCD 2023年第5期2133-2158,共26页
This paper is concerned with a diffuse interface model called Navier-Stokes/CahnHilliard system.This model is usually used to describe the motion of immiscible two-phase flows with a diffusion interface.For the period... This paper is concerned with a diffuse interface model called Navier-Stokes/CahnHilliard system.This model is usually used to describe the motion of immiscible two-phase flows with a diffusion interface.For the periodic boundary value problem of this system in torus T3,we prove that there exists a global unique strong solution near the phase separation state,which means that no vacuum,shock wave,mass concentration,interface collision or rupture will be developed in finite time.Furthermore,we establish the large time behavior of the global strong solution of this system.In particular,we find that the phase field decays algebraically to the phase separation state. 展开更多
关键词 Navier-Stokes/Cahn-Hilliard system strong solution existence UNIQUENESS large-time behavior
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挑檐和出山对低矮房屋屋面平均风压的影响
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作者 周戟 朱亚洲 +1 位作者 陈轶明 狄方殿 《四川建筑科学研究》 北大核心 2017年第1期16-21,共6页
基于Fluent 6.3软件对4种屋面形式进行了数值模拟,采取对有挑檐、有出山屋面形式的数值模拟结果与风洞试验进行对比的方式,验证了本文数值模拟方法的可行性。在此基础上模拟了多种屋面形式,得到:挑檐影响屋面平均风压系数分布的作用显著... 基于Fluent 6.3软件对4种屋面形式进行了数值模拟,采取对有挑檐、有出山屋面形式的数值模拟结果与风洞试验进行对比的方式,验证了本文数值模拟方法的可行性。在此基础上模拟了多种屋面形式,得到:挑檐影响屋面平均风压系数分布的作用显著,不同风向角时影响风压作用大小不同,挑檐能够使屋面体型系数减小,但随着长度的增加减小趋势会下降;出山能够改变屋面平均风压分布,对于抗风总体是有利的,当高度较大时不能忽略其不利影响。 展开更多
关键词 低矮房屋 模型 数值模拟 挑檐 出山
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日光温室地温补温系统试验研究 被引量:3
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作者 吕亚州 蒋晓 陈少博 《中国农机化学报》 2017年第2期47-51,共5页
通过在日光温室试验应用地温补温技术,探讨在北方冬季提高日光温室内的土壤温度的工程技术措施。该技术是应用30℃~35℃的低温热水,在地下一定深度的聚乙烯管道中流动,向土壤辐射传导热量。经过试验证明,该技术措施可提高日光温室的地... 通过在日光温室试验应用地温补温技术,探讨在北方冬季提高日光温室内的土壤温度的工程技术措施。该技术是应用30℃~35℃的低温热水,在地下一定深度的聚乙烯管道中流动,向土壤辐射传导热量。经过试验证明,该技术措施可提高日光温室的地温和室温5℃以上。该技术推广可解决北方冬季日光温室因环境和土壤温度过低而导致作物冻害、生长缓慢和种植周期较长等问题。 展开更多
关键词 日光温室 地温补温 试验
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超薄SiO_x钝化层所导致的半导体-绝缘体-半导体异质结高频隧道电容溢出现象
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作者 李勇 高明 +3 位作者 万亚州 杜汇伟 陈姝敏 马忠权 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第28期3385-3391,共7页
从高频电容电压特性测试中发现的隧道电容溢出现象出发,研究了具有超薄钝化层的半导体-绝缘体-半导体(semiconductor-insulator-semiconductor SIS)异质结器件界面处独特的电荷存储特性.从SIS 1 MHz频率下的CV特性可知,当外加偏压小于V_... 从高频电容电压特性测试中发现的隧道电容溢出现象出发,研究了具有超薄钝化层的半导体-绝缘体-半导体(semiconductor-insulator-semiconductor SIS)异质结器件界面处独特的电荷存储特性.从SIS 1 MHz频率下的CV特性可知,当外加偏压小于V_T(voltage tunneling)时,SIS界面处于耗尽状态,而当外加栅压超过V_T之后,SIS的高频电容将远超仪器量程趋于无穷大,可概括称为隧道电容溢出现象.从SIS的XPS(X-ray photoemission spectroscopy)深度剖析结果可知,具有不同厚度的ITO(indium tin oxide)的SIS器件界面钝化层所含元素组分并无差别.但从TEM(transparent electron microscope)的结果来看,钝化层厚度随ITO的增加而增加,分析表明不同ITO厚度的SIS所对应V_T值不同的主要原因是由于钝化层厚度的不同.通过对实验结果的分析,本文给出了隧道电容溢出现象的载流子输运的能带模型.结果表明,隧道电容溢出是由于超薄钝化层无法使大量电子在界面处积累所致.且同一器件隧道电容溢出现象是可重复的,不会对器件带来物理损伤,这是采用直接磁控溅射工艺制备SIS异质结太阳电池稳定性的体现. 展开更多
关键词 超薄钝化层 隧道CV 半导体-绝缘体-半导体 异质结 太阳电池
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