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金属催化的碳-杂键对炔键的加成反应研究进展 被引量：1
1
作者 赵飞 贾秀稳 +4 位作者 王东萍 费朝丽 吴成林 王江 柳红 《有机化学》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2017年第2期284-300,共17页
碳-杂键对炔键的加成反应已经成为对碳碳叁键进行官能团化的一种重要手段,此类反应可以一步快速构建两个化学键即一个碳-碳键和一个碳-杂键,因而具有反应效率高、原子经济性高的特点.近年来,Al,Fe,Ni,Cu,Ga,Ru,Rh,Pd,Hf,Ir,Pt,Au,Bi等... 碳-杂键对炔键的加成反应已经成为对碳碳叁键进行官能团化的一种重要手段,此类反应可以一步快速构建两个化学键即一个碳-碳键和一个碳-杂键,因而具有反应效率高、原子经济性高的特点.近年来,Al,Fe,Ni,Cu,Ga,Ru,Rh,Pd,Hf,Ir,Pt,Au,Bi等催化的诸多类型的碳-杂键对炔键的加成反应取得了重要进展.根据对炔键进行加成的碳-杂键的类型分为C—H,C—B,C—N,C—O,C—Si,C—S,C—X(X=Cl,Br,I),C—Se键这8类逐一进行介绍,并对各类加成反应的反应条件、反应选择性(区域选择性和立体化学选择性)以及反应机理进行了讨论和总结. 展开更多
关键词 金属催化 碳-杂键 炔 加成反应
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基于四羟甲基甘脲前驱体的新型含氮富微孔活性炭制备及其性能研究 被引量：1
2
作者 黄凯兵 杨秀文 +1 位作者 王智健 姚异渊 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期30-35,共6页
以四羟甲基甘脲为碳前驱体,采用KOH活化法处理得到双电层电容器用多孔活性炭材料。考察了不同碳化、活化温度对活性炭比电容的影响。结果表明,在850℃碳化,650℃活化处理时其电容性能最好,SEM和比表面与孔径分布测试说明TA-850-650表面... 以四羟甲基甘脲为碳前驱体,采用KOH活化法处理得到双电层电容器用多孔活性炭材料。考察了不同碳化、活化温度对活性炭比电容的影响。结果表明,在850℃碳化,650℃活化处理时其电容性能最好,SEM和比表面与孔径分布测试说明TA-850-650表面富集微孔;恒流充放电与循环伏安测试结果表明TA-850-650的比电容在电流密度为0.2A/g时可达527F/g。 展开更多
关键词 四羟甲基甘脲 双电层电容器 活化温度 微孔 比电容
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集成电路制造工艺技术现状与发展趋势 被引量：11
3
作者 周哲 付丙磊 +3 位作者 王栋 颜秀文 高德平 王志越 《电子工业专用设备》 2017年第3期34-38,73,共6页
对当前集成电路制造工艺的主要挑战、研究现状进行了综述,并对其发展趋势进行了展望。
关键词 集成电路 摩尔定律 特征尺寸 制造工艺
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