研制了一款新型的750V精细沟槽绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片,并形成了820A/750 V S3+汽车级模块产品。该芯片采用嵌入式发射极沟槽(RET)技术、嵌入式陪栅沟槽(RDT)技术和超薄片加工技术,820 A/750 V S3+模块总损耗相对于上一代800 A/75...研制了一款新型的750V精细沟槽绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片,并形成了820A/750 V S3+汽车级模块产品。该芯片采用嵌入式发射极沟槽(RET)技术、嵌入式陪栅沟槽(RDT)技术和超薄片加工技术,820 A/750 V S3+模块总损耗相对于上一代800 A/750 V S1模块产品降低29.6%。同时,该S3+模块产品具有强健的极限性能,且可实现175℃工作结温,可很好地满足电动/混动汽车的应用需求。展开更多
采用直角双曲线模型、非直角双曲线模型、直角双曲线修正模型和指数模型4种光响应模型分别拟合夏黑/贝达、夏黑/1103P、夏黑/101-14、夏黑/3309C、夏黑/140Ru、夏黑/5C、夏黑/5BB、夏黑/420A、夏黑/SO4、夏黑/抗砧1号、夏黑/华葡1号11...采用直角双曲线模型、非直角双曲线模型、直角双曲线修正模型和指数模型4种光响应模型分别拟合夏黑/贝达、夏黑/1103P、夏黑/101-14、夏黑/3309C、夏黑/140Ru、夏黑/5C、夏黑/5BB、夏黑/420A、夏黑/SO4、夏黑/抗砧1号、夏黑/华葡1号11种砧穗组合的光响应曲线,通过拟合程度、光补偿点、光饱和点、初始量子效率、最大净光合速率、暗呼吸速率等6个参数分析比较其拟合效果.结果表明:4种模型拟合系数都在0.98以上,在光补偿点上,4种模型拟合效果相差不大,但直角双曲线修正模型在光饱和点、初始量子效率、最大净光合速率和暗呼吸速率方面拟合程度最好,运用赤池信息量准则计算,直角双曲线修正模型赤池信息量准则(AIC)值也最小,因此,直角双曲线修正模型为最佳拟合模型.通过聚类分析发现,夏黑/SO4、夏黑/420A两砧穗组合的表观量子效率高、光补偿点低、暗呼吸速率低,说明两者对弱光的利用效率高,耐弱光能力强,呼吸消耗少.通过Topsis(Technique for Order Prefe-rence by Similarity to an Ideal Solution)方法综合排名发现,夏黑/SO4、夏黑/420A组合耐弱光能力分别为第1、2名,与聚类分析结果一致.因此,夏黑以SO4或420A作为砧木的耐弱光能力最突出,更适合设施栽培.展开更多
文摘研制了一款新型的750V精细沟槽绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片,并形成了820A/750 V S3+汽车级模块产品。该芯片采用嵌入式发射极沟槽(RET)技术、嵌入式陪栅沟槽(RDT)技术和超薄片加工技术,820 A/750 V S3+模块总损耗相对于上一代800 A/750 V S1模块产品降低29.6%。同时,该S3+模块产品具有强健的极限性能,且可实现175℃工作结温,可很好地满足电动/混动汽车的应用需求。
文摘采用直角双曲线模型、非直角双曲线模型、直角双曲线修正模型和指数模型4种光响应模型分别拟合夏黑/贝达、夏黑/1103P、夏黑/101-14、夏黑/3309C、夏黑/140Ru、夏黑/5C、夏黑/5BB、夏黑/420A、夏黑/SO4、夏黑/抗砧1号、夏黑/华葡1号11种砧穗组合的光响应曲线,通过拟合程度、光补偿点、光饱和点、初始量子效率、最大净光合速率、暗呼吸速率等6个参数分析比较其拟合效果.结果表明:4种模型拟合系数都在0.98以上,在光补偿点上,4种模型拟合效果相差不大,但直角双曲线修正模型在光饱和点、初始量子效率、最大净光合速率和暗呼吸速率方面拟合程度最好,运用赤池信息量准则计算,直角双曲线修正模型赤池信息量准则(AIC)值也最小,因此,直角双曲线修正模型为最佳拟合模型.通过聚类分析发现,夏黑/SO4、夏黑/420A两砧穗组合的表观量子效率高、光补偿点低、暗呼吸速率低,说明两者对弱光的利用效率高,耐弱光能力强,呼吸消耗少.通过Topsis(Technique for Order Prefe-rence by Similarity to an Ideal Solution)方法综合排名发现,夏黑/SO4、夏黑/420A组合耐弱光能力分别为第1、2名,与聚类分析结果一致.因此,夏黑以SO4或420A作为砧木的耐弱光能力最突出,更适合设施栽培.
