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题名一种高速高集成度MaskROM的设计与研究
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作者
文冠果
张进成
廖健生
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机构
西安电子科技大学微电子学院
珠海天威微电子股份有限公司
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出处
《微电子学与计算机》
2024年第7期96-103,共8页
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基金
国家自然科学基金(62127812)。
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文摘
MaskROM在MCU设计应用中扮演着重要角色,而高速、高集成度是未来发展趋势。设计了一种混合结构MaskROM,兼有NAND的高集成度以及NOR的快速读出优点。子模块中串联的管子越多,集成度越高,但速度会降低。通过对行译码进行小的子模块划分,阵列被划分为多个子模块并联。选择每个子模块为5个MOS管串联,这样既能提高集成度又能保持快速读出的特点。在选中的子模块中,被进一步选中的WL(Word Line)为低,其他WL为高,串联的bit被导通的MOS管短路掉4行,WL为低的那一行MOS管关闭,从而其MOS管两端有没有被金属短接决定了cell是否产生电流。行译码的方式可以很容易地通过数学公式进行归纳和理解。SA采用伪差分方式,通过预设offset方式实现cell的快速读出。基于0.18μm 2P5M EEPROM工艺设计实现了一款32 K×34bit的MaskROM,芯片测试结果表明,在典型条件下其读出速度能达到170 MHz。
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关键词
MASKROM
NAND结构
NOR结构
灵敏放大器
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Keywords
MaskROM
NAND structure
NOR structure
sense amplifier
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分类号
TN453
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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