利用SiC MOSFET能简化电路拓扑、提高电源的功率密度和效率.为推动大功率等离子体电源的升级换代,提出了一种采用新型SiC功率器件的全桥谐振变换器.该谐振变换器的主电路采用LLC Zero Voltage Switching(ZVS)拓扑结构,可将谐振换流频率...利用SiC MOSFET能简化电路拓扑、提高电源的功率密度和效率.为推动大功率等离子体电源的升级换代,提出了一种采用新型SiC功率器件的全桥谐振变换器.该谐振变换器的主电路采用LLC Zero Voltage Switching(ZVS)拓扑结构,可将谐振换流频率范围增大至260～310 kHz.设计的高频高压全桥LLC ZVS谐振变换器样机的额定输出功率为8 kW,输出电压为270 V.对所研制的8 kW级SiC MOSFET全桥LLC ZVS谐振变换器样机的驱动性能、换流过程、温升以及效率进行了测试,结果表明,研制的谐振软开关等离子体电源性能优良,工作稳定可靠,效率和功率密度均优于使用传统Si MOSFET的LLC谐振变换器.展开更多
目的探讨儿童开颅术后脑脊液外引流与颅内感染的相关性。方法回顾性分析2018年12月至2019年9月间因颅内幕上病变于首都医科大学附属北京天坛医院神经外科小儿病区行开颅手术的253例儿童患者的临床资料。结果253例儿童中113例患儿于术后...目的探讨儿童开颅术后脑脊液外引流与颅内感染的相关性。方法回顾性分析2018年12月至2019年9月间因颅内幕上病变于首都医科大学附属北京天坛医院神经外科小儿病区行开颅手术的253例儿童患者的临床资料。结果253例儿童中113例患儿于术后留置脑脊液外引流管,术后外引流管的留置时间平均为9 d(2~23 d)。253例患儿术后颅内感染发生率为30%(76/253),留置外引流管患儿术后颅内感染发生率为54%(61/113),单因素分析(χ^(2)=55.702,P<0.001)及多因素分析(OR=8.045,95%CI:4.121~15.703,P<0.001)显示,外引流管留置是颅内感染的独立危险因素。113例患儿中,41例患儿术后开放脑脊液外引流系统,统计显示脑脊液引流系统开放组的颅内感染率较未开放组高(75.6%vs 41.6%,χ^(2)=12.116,P<0.001)。颅内感染发生率与引流时间呈正比,第5天拔管者,其对应的感染率及累及感染率为最低,分别为25%和27%。颅内感染的患儿1周内拔管组的抗感染时间及术后住院时间均短于引流管留置1周以上者(9.37 d vs 12.32 d,t=-2.441,P=0.018;24.33 d vs 36.29 d,Z=-2.624,P=0.009)。结论儿童开颅术后应合理的留置脑脊液外引流管,留置期间保持引流管系统的封闭、尽早拔除引流管,可能有助于减少引流管相关颅内感染的发生。展开更多
文摘目的探讨儿童开颅术后脑脊液外引流与颅内感染的相关性。方法回顾性分析2018年12月至2019年9月间因颅内幕上病变于首都医科大学附属北京天坛医院神经外科小儿病区行开颅手术的253例儿童患者的临床资料。结果253例儿童中113例患儿于术后留置脑脊液外引流管,术后外引流管的留置时间平均为9 d(2~23 d)。253例患儿术后颅内感染发生率为30%(76/253),留置外引流管患儿术后颅内感染发生率为54%(61/113),单因素分析(χ^(2)=55.702,P<0.001)及多因素分析(OR=8.045,95%CI:4.121~15.703,P<0.001)显示,外引流管留置是颅内感染的独立危险因素。113例患儿中,41例患儿术后开放脑脊液外引流系统,统计显示脑脊液引流系统开放组的颅内感染率较未开放组高(75.6%vs 41.6%,χ^(2)=12.116,P<0.001)。颅内感染发生率与引流时间呈正比,第5天拔管者,其对应的感染率及累及感染率为最低,分别为25%和27%。颅内感染的患儿1周内拔管组的抗感染时间及术后住院时间均短于引流管留置1周以上者(9.37 d vs 12.32 d,t=-2.441,P=0.018;24.33 d vs 36.29 d,Z=-2.624,P=0.009)。结论儿童开颅术后应合理的留置脑脊液外引流管,留置期间保持引流管系统的封闭、尽早拔除引流管,可能有助于减少引流管相关颅内感染的发生。
