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V-4Cr-4Ti/Ti复合材料界面的辐照损伤特性研究
被引量：
1
1
作者
李然然
张一帆
+4 位作者
耿殿程
张高伟
渡边英雄
韩文妥
万发荣
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第21期233-240,共8页
采用透射电子显微镜和纳米压痕技术研究了高能Fe10+离子注入后V-4Cr-4Ti/Ti复合材料界面辐照硬化、辐照缺陷以及微观结构的变化.根据样品成分和微观结构的特征,将该复合材料分成V-4Cr-4Ti基体、界面I、界面II和Ti基体四个区域.纳米压痕...
采用透射电子显微镜和纳米压痕技术研究了高能Fe10+离子注入后V-4Cr-4Ti/Ti复合材料界面辐照硬化、辐照缺陷以及微观结构的变化.根据样品成分和微观结构的特征,将该复合材料分成V-4Cr-4Ti基体、界面I、界面II和Ti基体四个区域.纳米压痕结果表明,辐照后样品均发生了辐照硬化,但界面处的辐照硬化远低于两基体,说明异质材料界面表现出了良好的抗辐照硬化能力.透射电子显微镜结果表明,辐照后界面处的辐照缺陷密度较小、尺寸较大、分布较均匀;而在两基体中辐照缺陷密度大、尺寸小且大量缠结.辐照后V-4Cr-4Ti基体、界面I区和界面II区均有一些富Ti析出物,但界面I的析出物数量和尺寸均高于界面II和V-4Cr-4Ti基体.由于Ti的析出改变了样品中局部的V/Ti比,导致界面I部分区域由b-Ti转变为a-Ti,形成a+b Ti共存区.
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关键词
V-4Cr-4Ti/Ti
异质材料界面
析出物
辐照缺陷
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职称材料
注氢纯铝中间隙型位错环一维迁移现象的原位观察
2
作者
李然然
张一帆
+7 位作者
殷玉鹏
渡边英雄
韩文妥
易晓鸥
刘平平
张高伟
詹倩
万发荣
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第1期191-200,共10页
核聚变堆材料在高能粒子辐照过程中会产生大量点缺陷,导致辐照脆性和辐照肿胀等现象.因而,研究点缺陷在辐照过程中的演变过程至关重要.点缺陷团簇的一维迁移现象是这种演变过程的主要研究内容之一.本文采用普通低压(200 kV)透射电镜,在...
核聚变堆材料在高能粒子辐照过程中会产生大量点缺陷,导致辐照脆性和辐照肿胀等现象.因而,研究点缺陷在辐照过程中的演变过程至关重要.点缺陷团簇的一维迁移现象是这种演变过程的主要研究内容之一.本文采用普通低压(200 kV)透射电镜,在室温条件下对注氢纯铝中的间隙型位错环在电子辐照下的一维迁移现象进行了观察和分析.在200 keV电子辐照下,注氢纯铝中的位错环可多个、同时发生一维迁移运动,也可单个、独立进行一维迁移运动.位错环沿柏氏矢量1/3<111>的方向可进行微米尺度的一维长程迁移,沿柏氏矢量1/2<110>的方向一维迁移也可达数百纳米.电子束辐照时产生的间隙原子浓度梯度是引起位错环一维迁移并决定其迁移方向的原因.位错环发生快速一维迁移时,其后会留下一条运动轨迹;位错环一维迁移的速率越快,运动的轨迹则越长,在完成迁移过后的几十秒内这些运动轨迹会逐渐消失.
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关键词
一维迁移
电子束辐照
位错环
铝
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职称材料
题名
V-4Cr-4Ti/Ti复合材料界面的辐照损伤特性研究
被引量：
1
1
作者
李然然
张一帆
耿殿程
张高伟
渡边英雄
韩文妥
万发荣
机构
北京科技大学材料科学与工程学院
九州大学高端能源科学与工程
九州大学应用力学研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第21期233-240,共8页
基金
国家自然科学基金(批准号:51071021,51471026)
国家磁约束核聚变发展专项(批准号:2014GB120000)资助的课题~~
文摘
采用透射电子显微镜和纳米压痕技术研究了高能Fe10+离子注入后V-4Cr-4Ti/Ti复合材料界面辐照硬化、辐照缺陷以及微观结构的变化.根据样品成分和微观结构的特征,将该复合材料分成V-4Cr-4Ti基体、界面I、界面II和Ti基体四个区域.纳米压痕结果表明,辐照后样品均发生了辐照硬化,但界面处的辐照硬化远低于两基体,说明异质材料界面表现出了良好的抗辐照硬化能力.透射电子显微镜结果表明,辐照后界面处的辐照缺陷密度较小、尺寸较大、分布较均匀;而在两基体中辐照缺陷密度大、尺寸小且大量缠结.辐照后V-4Cr-4Ti基体、界面I区和界面II区均有一些富Ti析出物,但界面I的析出物数量和尺寸均高于界面II和V-4Cr-4Ti基体.由于Ti的析出改变了样品中局部的V/Ti比,导致界面I部分区域由b-Ti转变为a-Ti,形成a+b Ti共存区.
关键词
V-4Cr-4Ti/Ti
异质材料界面
析出物
辐照缺陷
Keywords
V-4Cr-4Ti/Ti
interface of heterogeneous materials
precipitates
irradiation defects
分类号
TB333 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
注氢纯铝中间隙型位错环一维迁移现象的原位观察
2
作者
李然然
张一帆
殷玉鹏
渡边英雄
韩文妥
易晓鸥
刘平平
张高伟
詹倩
万发荣
机构
北京科技大学材料科学与工程学院
合肥工业大学材料科学与工程学院
九州大学应用力学研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第1期191-200,共10页
基金
国家自然科学基金(批准号:11875085)
国家留学基金(批准号:201806460050)资助的课题。
文摘
核聚变堆材料在高能粒子辐照过程中会产生大量点缺陷,导致辐照脆性和辐照肿胀等现象.因而,研究点缺陷在辐照过程中的演变过程至关重要.点缺陷团簇的一维迁移现象是这种演变过程的主要研究内容之一.本文采用普通低压(200 kV)透射电镜,在室温条件下对注氢纯铝中的间隙型位错环在电子辐照下的一维迁移现象进行了观察和分析.在200 keV电子辐照下,注氢纯铝中的位错环可多个、同时发生一维迁移运动,也可单个、独立进行一维迁移运动.位错环沿柏氏矢量1/3<111>的方向可进行微米尺度的一维长程迁移,沿柏氏矢量1/2<110>的方向一维迁移也可达数百纳米.电子束辐照时产生的间隙原子浓度梯度是引起位错环一维迁移并决定其迁移方向的原因.位错环发生快速一维迁移时,其后会留下一条运动轨迹;位错环一维迁移的速率越快,运动的轨迹则越长,在完成迁移过后的几十秒内这些运动轨迹会逐渐消失.
关键词
一维迁移
电子束辐照
位错环
铝
Keywords
one-dimensional motion
electron irradiation
dislocation loops
aluminum
分类号
TL627 [核科学技术—核技术及应用]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
V-4Cr-4Ti/Ti复合材料界面的辐照损伤特性研究
李然然
张一帆
耿殿程
张高伟
渡边英雄
韩文妥
万发荣
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
1
下载PDF
职称材料
2
注氢纯铝中间隙型位错环一维迁移现象的原位观察
李然然
张一帆
殷玉鹏
渡边英雄
韩文妥
易晓鸥
刘平平
张高伟
詹倩
万发荣
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
0
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职称材料
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