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电磁超声相控阵激励源高频隔离驱动电路
1
作者
王新华
王奇之
+1 位作者
涂承媛
陈迎春
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第6期826-832,共7页
为了进一步提高电磁超声相控阵激励源的工作效率,基于半桥拓扑放大结构提出了一种电磁超声相控阵激励源高频隔离驱动电路的设计方法.根据金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)的简...
为了进一步提高电磁超声相控阵激励源的工作效率,基于半桥拓扑放大结构提出了一种电磁超声相控阵激励源高频隔离驱动电路的设计方法.根据金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)的简化模型,分析了MOSFET在开通和关断过程中的开关损耗,从而给出了高频隔离驱动电路所必须满足的条件.通过采用光纤器件隔离脉冲信号和DC-DC隔离电源对参考电位进行转换,有效解决了驱动电路的高频"浮栅"问题,并利用RC微分电路和施密特反相器设计了驱动信号死区时间可调电路.实验结果表明:设计的驱动电路能够输出频率为1.1 MHz、死区时间为0.32μs、驱动电压为18.8 V、占空比为26%的互补驱动信号,并且在驱动MOSFET栅极的实际应用中,有效降低了功率开关管的功率损耗.
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关键词
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
光纤隔离
死区时间
延时
浮栅
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职称材料
题名
电磁超声相控阵激励源高频隔离驱动电路
1
作者
王新华
王奇之
涂承媛
陈迎春
机构
北京工业大学机械工程与应用电子技术学院
出处
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第6期826-832,共7页
基金
北京市科学技术委员会首都科技条件平台资助项目(Z141100003414001)
文摘
为了进一步提高电磁超声相控阵激励源的工作效率,基于半桥拓扑放大结构提出了一种电磁超声相控阵激励源高频隔离驱动电路的设计方法.根据金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)的简化模型,分析了MOSFET在开通和关断过程中的开关损耗,从而给出了高频隔离驱动电路所必须满足的条件.通过采用光纤器件隔离脉冲信号和DC-DC隔离电源对参考电位进行转换,有效解决了驱动电路的高频"浮栅"问题,并利用RC微分电路和施密特反相器设计了驱动信号死区时间可调电路.实验结果表明:设计的驱动电路能够输出频率为1.1 MHz、死区时间为0.32μs、驱动电压为18.8 V、占空比为26%的互补驱动信号,并且在驱动MOSFET栅极的实际应用中,有效降低了功率开关管的功率损耗.
关键词
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
光纤隔离
死区时间
延时
浮栅
Keywords
metal oxide semiconductor field effect transistor （MOSFET）
fiber optics isolation
dead-time
delay
floating gate
分类号
TM133 [电气工程—电工理论与新技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电磁超声相控阵激励源高频隔离驱动电路
王新华
王奇之
涂承媛
陈迎春
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2017
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