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基于CVD方法生长在硅基底上立方碳化硅的拉曼散射研究（英文）
被引量：
1
1
作者
陈帅
谢灯
+5 位作者
丘志仁
tin
chin
-
che
王洪朝
梅霆
万玲玉
冯哲川
《光散射学报》
北大核心
2016年第2期125-130,共6页
立方碳化硅(3C-SiC)薄膜通过化学气相沉积(CVD)制备在Si(100)衬底上。本论文主要通过椭偏光谱仪(SE)和拉曼散射仪对3C-SiC薄膜的微观结构和光学性能进行进一步的研究。根据SE的分析获得3CSiC薄膜厚度;根据拉曼散射的分析:可从TO模式和L...
立方碳化硅(3C-SiC)薄膜通过化学气相沉积(CVD)制备在Si(100)衬底上。本论文主要通过椭偏光谱仪(SE)和拉曼散射仪对3C-SiC薄膜的微观结构和光学性能进行进一步的研究。根据SE的分析获得3CSiC薄膜厚度;根据拉曼散射的分析:可从TO模式和LO模式的线形形状的拟合得到样品的相关长度和载流子浓度。结果表明:该碳化硅(3C-SiC)薄膜质量随膜厚度增加而得到提高,同时分析了外延层厚度对薄膜特性的影响。
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关键词
3C碳化硅
光谱椭偏仪
拉曼散射
厚度
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职称材料
结合椭圆偏振光谱与傅里叶红外光谱的宽禁带半导体薄膜光学特性表征（英文）
2
作者
谢灯
丘志仁
+3 位作者
万玲玉
tin
chin
-
che
梅霆
冯哲川
《光散射学报》
北大核心
2016年第3期214-219,共6页
宽禁带半导体薄膜,包括碳化硅,氮化镓和氧化锌及其化合物以及异构体,带隙普遍在3.2eV以上,一阶声子特征峰在100至1500cm^(-1)之间。确定能带宽度和声子特征峰有很多方法,比如光致发光、拉曼散射、光学透射谱等,我们提出了一种结合椭圆...
宽禁带半导体薄膜,包括碳化硅,氮化镓和氧化锌及其化合物以及异构体,带隙普遍在3.2eV以上,一阶声子特征峰在100至1500cm^(-1)之间。确定能带宽度和声子特征峰有很多方法,比如光致发光、拉曼散射、光学透射谱等,我们提出了一种结合椭圆偏振光谱与红外傅里叶反射谱进行传输矩阵分析的方法,能够同时确定从紫外波段(约250nm)到远红外波段(约22000nm)的薄膜材料色散关系和膜厚。我们构建了基于谐振子的光学函数模型,并论证这个模型很适合用于模拟由各种不同波长入射光波造成的共振吸收。
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关键词
椭圆偏振光谱
傅里叶红外光谱
传输矩阵方法
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职称材料
题名
基于CVD方法生长在硅基底上立方碳化硅的拉曼散射研究（英文）
被引量：
1
1
作者
陈帅
谢灯
丘志仁
tin
chin
-
che
王洪朝
梅霆
万玲玉
冯哲川
机构
物理科学与工程技术学院
华南师范大学光电子材料与技术研究所
中山大学光电材料与技术国家重点实验室
Department of Mechanical Engineering
Department of Physics
出处
《光散射学报》
北大核心
2016年第2期125-130,共6页
基金
中山大学光电材料与技术国家重点实验室开放课题和国家自然科学基金(11474365,61377055,61176085)
广西相对论天体物理重点实验室广西自然科学基金创新团队项目(2013GXNSFFA019001)
国家自然科学基金“基于铁电体微畴结构的平板集成高速电光器件研究”(AE0520088)
文摘
立方碳化硅(3C-SiC)薄膜通过化学气相沉积(CVD)制备在Si(100)衬底上。本论文主要通过椭偏光谱仪(SE)和拉曼散射仪对3C-SiC薄膜的微观结构和光学性能进行进一步的研究。根据SE的分析获得3CSiC薄膜厚度;根据拉曼散射的分析:可从TO模式和LO模式的线形形状的拟合得到样品的相关长度和载流子浓度。结果表明:该碳化硅(3C-SiC)薄膜质量随膜厚度增加而得到提高,同时分析了外延层厚度对薄膜特性的影响。
关键词
3C碳化硅
光谱椭偏仪
拉曼散射
厚度
Keywords
3C-SiC
spectroscopic ellipsometry
Raman scattering
thickness
分类号
O433.3 [机械工程—光学工程]
O484.5 [理学—光学]
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职称材料
题名
结合椭圆偏振光谱与傅里叶红外光谱的宽禁带半导体薄膜光学特性表征（英文）
2
作者
谢灯
丘志仁
万玲玉
tin
chin
-
che
梅霆
冯哲川
机构
华南师范大学光电子材料与技术研究所
中山大学光电材料与技术国家重点实验室
广西大学物理科学与工程技术学院
马来西亚大学机械工程系
奥本大学物理学院
西北工业大学理学院
出处
《光散射学报》
北大核心
2016年第3期214-219,共6页
基金
中山大学光电材料与技术国家重点实验室开放课题
国家自然科学基金(11474365,61377055,61176085)
+2 种基金
国家自然科学基金(AE0520088)
广东高校国际科技合作创新平台项目(gjhz1103)
广西相对论天体物理重点实验室广西自然科学基金创新团队项目(2013GXNSFFA019001)
文摘
宽禁带半导体薄膜,包括碳化硅,氮化镓和氧化锌及其化合物以及异构体,带隙普遍在3.2eV以上,一阶声子特征峰在100至1500cm^(-1)之间。确定能带宽度和声子特征峰有很多方法,比如光致发光、拉曼散射、光学透射谱等,我们提出了一种结合椭圆偏振光谱与红外傅里叶反射谱进行传输矩阵分析的方法,能够同时确定从紫外波段(约250nm)到远红外波段(约22000nm)的薄膜材料色散关系和膜厚。我们构建了基于谐振子的光学函数模型,并论证这个模型很适合用于模拟由各种不同波长入射光波造成的共振吸收。
关键词
椭圆偏振光谱
傅里叶红外光谱
传输矩阵方法
Keywords
spectroscopic ellipsometry
Fourier transform infrared spectroscopy
transfer matrix method
分类号
O433.3 [机械工程—光学工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于CVD方法生长在硅基底上立方碳化硅的拉曼散射研究（英文）
陈帅
谢灯
丘志仁
tin
chin
-
che
王洪朝
梅霆
万玲玉
冯哲川
《光散射学报》
北大核心
2016
1
下载PDF
职称材料
2
结合椭圆偏振光谱与傅里叶红外光谱的宽禁带半导体薄膜光学特性表征（英文）
谢灯
丘志仁
万玲玉
tin
chin
-
che
梅霆
冯哲川
《光散射学报》
北大核心
2016
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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