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基于SSR标记的水稻光温敏不育系遗传多样性分析
被引量:
2
1
作者
陈锦文
谢旺有
+4 位作者
王天生
陈惠清
谢少和
黄荣裕
许桂芳
《江西农业学报》
CAS
2017年第3期1-6,共6页
采用SSR分子标记对17个水稻光温敏不育系进行遗传多样性分析。结果表明,在水稻基因组中较均匀分布的168个SSR位点中91个SSR位点具有多态性,多态性频率为54.17%。91个SSR标记共检测出229个等位基因,每个SSR位点检测到2~4个,平均2.517个...
采用SSR分子标记对17个水稻光温敏不育系进行遗传多样性分析。结果表明,在水稻基因组中较均匀分布的168个SSR位点中91个SSR位点具有多态性,多态性频率为54.17%。91个SSR标记共检测出229个等位基因,每个SSR位点检测到2~4个,平均2.517个等位基因,平均多态性信息含量指数(PIC)为0.412。根据17份光温敏不育系的遗传相似系数矩阵作出树状图,聚类分析结果表明17个不育系遗传相似系数变幅为0.59~0.93;以遗传相似系数0.61为阀值,可将供试不育系分为4个群,聚类分析结果与亲缘系谱分析结果基本吻合。
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关键词
光温敏不育系
SSR标记
遗传多样性
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职称材料
具有一维接触电极的双层硒化铌异质结器件制备及电学特性研究
2
作者
李蕾
邓联文
+7 位作者
刘胜
杨鹏
王慧山
谢红
陈令修
贺立
李晓良
王浩敏
《功能材料与器件学报》
CAS
2016年第4期74-78,共5页
层状硒化铌晶体因其独特的电子结构和物理特性一直是科技界的研究热点,但少层硒化铌晶体薄片在空气中不稳定、器件性能退化严重等因素制约了对其深入研究。本文提出一种具有一维接触电极的双层硒化铌异质结的制备方法,在惰性环境中对...
层状硒化铌晶体因其独特的电子结构和物理特性一直是科技界的研究热点,但少层硒化铌晶体薄片在空气中不稳定、器件性能退化严重等因素制约了对其深入研究。本文提出一种具有一维接触电极的双层硒化铌异质结的制备方法,在惰性环境中对硒化铌进行机械剥离、转移和封装,用标准微纳加工工艺制备了以石墨烯为一维接触电极、薄层六角氮化硼为封装材料的双层硒化铌异质结器件。结果表明:双层硒化铌器件的超导转变温度约为6.8K,电荷密度波相变温度保持在32K;超导临界电流密度为30mA/μm2,超导临界磁场为3T,性能与硒化铌晶体体材料接近;该器件在空气中电学性能非常稳定,保存数月未出现性能退化。
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关键词
双层硒化铌
石墨烯
六角氮化硼
超导异质结
电学特性
原文传递
题名
基于SSR标记的水稻光温敏不育系遗传多样性分析
被引量:
2
1
作者
陈锦文
谢旺有
王天生
陈惠清
谢少和
黄荣裕
许桂芳
机构
福建省泉州市农业科学研究所
出处
《江西农业学报》
CAS
2017年第3期1-6,共6页
基金
泉州市优秀人才培养专项(14A27)
福建省泉州市科技项目(2014N29
+1 种基金
2015N27)
福建省星火项目(2016S0015)
文摘
采用SSR分子标记对17个水稻光温敏不育系进行遗传多样性分析。结果表明,在水稻基因组中较均匀分布的168个SSR位点中91个SSR位点具有多态性,多态性频率为54.17%。91个SSR标记共检测出229个等位基因,每个SSR位点检测到2~4个,平均2.517个等位基因,平均多态性信息含量指数(PIC)为0.412。根据17份光温敏不育系的遗传相似系数矩阵作出树状图,聚类分析结果表明17个不育系遗传相似系数变幅为0.59~0.93;以遗传相似系数0.61为阀值,可将供试不育系分为4个群,聚类分析结果与亲缘系谱分析结果基本吻合。
关键词
光温敏不育系
SSR标记
遗传多样性
Keywords
PTGMS line
SSR marker
Genetic diversity
分类号
S511 [农业科学—作物学]
下载PDF
职称材料
题名
具有一维接触电极的双层硒化铌异质结器件制备及电学特性研究
2
作者
李蕾
邓联文
刘胜
杨鹏
王慧山
谢红
陈令修
贺立
李晓良
王浩敏
机构
中南大学物理与电子学院
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
出处
《功能材料与器件学报》
CAS
2016年第4期74-78,共5页
基金
基金项目(Foundation item):湖南省重点实验室开放基金
国家自然科学基金(61136005)、国家重大科技专项(2011ZX02707)、中国科学院战略性先导科技专项(XDB04040300)
文摘
层状硒化铌晶体因其独特的电子结构和物理特性一直是科技界的研究热点,但少层硒化铌晶体薄片在空气中不稳定、器件性能退化严重等因素制约了对其深入研究。本文提出一种具有一维接触电极的双层硒化铌异质结的制备方法,在惰性环境中对硒化铌进行机械剥离、转移和封装,用标准微纳加工工艺制备了以石墨烯为一维接触电极、薄层六角氮化硼为封装材料的双层硒化铌异质结器件。结果表明:双层硒化铌器件的超导转变温度约为6.8K,电荷密度波相变温度保持在32K;超导临界电流密度为30mA/μm2,超导临界磁场为3T,性能与硒化铌晶体体材料接近;该器件在空气中电学性能非常稳定,保存数月未出现性能退化。
关键词
双层硒化铌
石墨烯
六角氮化硼
超导异质结
电学特性
Keywords
few-layer NbSe2
graphene
h-BN
superconductor heterostructure
electrical properties
分类号
O513 [理学—低温物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于SSR标记的水稻光温敏不育系遗传多样性分析
陈锦文
谢旺有
王天生
陈惠清
谢少和
黄荣裕
许桂芳
《江西农业学报》
CAS
2017
2
下载PDF
职称材料
2
具有一维接触电极的双层硒化铌异质结器件制备及电学特性研究
李蕾
邓联文
刘胜
杨鹏
王慧山
谢红
陈令修
贺立
李晓良
王浩敏
《功能材料与器件学报》
CAS
2016
0
原文传递
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
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