通过低温水热法将铁酸钴负载到氧化石墨烯(GO)上,得到磁性氧化石墨烯复合材料(CFGO)吸附剂,用漫反射红外光谱(DRIFT)、X射线衍射(XRD)和X光电子能谱(XPS)分析方法对吸附剂进行测试,并对其吸附Cr(Ⅵ)性能进行了研究。CFGO对Cr(Ⅵ)的静态...通过低温水热法将铁酸钴负载到氧化石墨烯(GO)上,得到磁性氧化石墨烯复合材料(CFGO)吸附剂,用漫反射红外光谱(DRIFT)、X射线衍射(XRD)和X光电子能谱(XPS)分析方法对吸附剂进行测试,并对其吸附Cr(Ⅵ)性能进行了研究。CFGO对Cr(Ⅵ)的静态吸附试验表明,p H值为2~11,随着p H值增大,Cr(Ⅵ)去除率逐渐减小,在p H值=2时达到最高,去除率>98%。CFGO吸附Cr(Ⅵ)过程符合Langmuir等温模型,属于优惠吸附,吸附动力学符合准二级动力学模型。XPS研究表示吸附Cr(Ⅵ)后的CFGO表面含有Cr(Ⅵ)和Cr(Ⅲ),结合吸附前后CFGO的DRIFT光谱,推测吸附Cr(Ⅵ)过程主要是静电吸引作用和配位作用。吸附过程的ΔH=3.943 k J/mol,ΔS=23.561 J/(mol·K),ΔG=-3.903 k J/mol(333 K),表明吸附过程是吸热且自发进行的。展开更多
文摘通过低温水热法将铁酸钴负载到氧化石墨烯(GO)上,得到磁性氧化石墨烯复合材料(CFGO)吸附剂,用漫反射红外光谱(DRIFT)、X射线衍射(XRD)和X光电子能谱(XPS)分析方法对吸附剂进行测试,并对其吸附Cr(Ⅵ)性能进行了研究。CFGO对Cr(Ⅵ)的静态吸附试验表明,p H值为2~11,随着p H值增大,Cr(Ⅵ)去除率逐渐减小,在p H值=2时达到最高,去除率>98%。CFGO吸附Cr(Ⅵ)过程符合Langmuir等温模型,属于优惠吸附,吸附动力学符合准二级动力学模型。XPS研究表示吸附Cr(Ⅵ)后的CFGO表面含有Cr(Ⅵ)和Cr(Ⅲ),结合吸附前后CFGO的DRIFT光谱,推测吸附Cr(Ⅵ)过程主要是静电吸引作用和配位作用。吸附过程的ΔH=3.943 k J/mol,ΔS=23.561 J/(mol·K),ΔG=-3.903 k J/mol(333 K),表明吸附过程是吸热且自发进行的。
