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用荧光谱研究GaAs:C的辐射复合过程
1
作者 吴惠帧 吴建中 +1 位作者 李正直 p.dawson 《光子学报》 EI CAS CSCD 1997年第12期1097-1101,共5页
本文用荧光时间衰减谱和荧光量子效率测量相结合的方法研究了重掺碳GaAs：C辐射复合特性．GaAs：C是由MOVPE在650℃下生长的，掺杂源采用CBr4在重掺碳条件下，辐射复合寿命的实验结果比1／BP的预期值大．文章讨论了空穴一空穴、空穴－... 本文用荧光时间衰减谱和荧光量子效率测量相结合的方法研究了重掺碳GaAs：C辐射复合特性．GaAs：C是由MOVPE在650℃下生长的，掺杂源采用CBr4在重掺碳条件下，辐射复合寿命的实验结果比1／BP的预期值大．文章讨论了空穴一空穴、空穴－离化杂质原子相互作用对自发发射速率的影响，并对辐射复合常数B作出了修正． 展开更多
关键词 荧光衰减时间 量子效率 辐射复合常数 砷化镓
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Al_xGa_(1-x)As/Al_yGa_(1-y)As微腔中的激子吸收增强效应
2
作者 吴惠桢 吴惠桢 +1 位作者 p.dawson B.Hamilton 《光子学报》 EI CAS CSCD 1997年第10期902-906,共5页
文章采用AlxGa1-xAs／AlyGa1-yAs微腔结构，研究了微腔中激子的吸收行为，在室温下观察到了激子吸收的增强效应，激子的峰值吸收强度是自由空间中激子吸收强度的2，6倍；我们从激子与光波场相互作用和腔中模函数的分布建立了计算．激子... 文章采用AlxGa1-xAs／AlyGa1-yAs微腔结构，研究了微腔中激子的吸收行为，在室温下观察到了激子吸收的增强效应，激子的峰值吸收强度是自由空间中激子吸收强度的2，6倍；我们从激子与光波场相互作用和腔中模函数的分布建立了计算．激子先吸收的模型，文中给出的微腔结构的数值计算表明激子的吸收增强与实验结果相一致；数值计算表明，微腔中激子吸收的强弱不仅与上、下两腔镜的反射率和腔长有关，而且还取决于量子阱在腔中的位置． 展开更多
关键词 微腔 微子 光吸收 激光器 铝镓砷 半导体
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