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胃癌根治术术后手术部位感染的影响因素分析 被引量：7
1
作者 巩玉亮 牛小康 郭勇 《癌症进展》 2021年第21期2218-2220,共3页
目的分析胃癌根治术术后手术部位感染的影响因素。方法收集180例胃癌根治术患者的病历资料,胃癌根治术术后手术部位感染的影响因素采用多因素Logistic回归分析。结果 180例胃癌根治术患者术后发生手术部位感染90例,手术部位未感染90例... 目的分析胃癌根治术术后手术部位感染的影响因素。方法收集180例胃癌根治术患者的病历资料,胃癌根治术术后手术部位感染的影响因素采用多因素Logistic回归分析。结果 180例胃癌根治术患者术后发生手术部位感染90例,手术部位未感染90例。单因素分析结果显示,年龄﹥60岁、NRS 2002评分﹥3分、合并糖尿病、合并术前梗阻、手术时间﹥210 min胃癌根治术患者术后手术部位感染率均明显高于年龄≤60岁、NRS 2002评分≤3分、未合并糖尿病、未合并术前梗阻、手术时间≤210 min的患者,差异均有统计学意义(P﹤0.01)。多因素Logistic回归分析结果显示,NRS 2002评分﹥3分、年龄﹥60岁、手术时间﹥210 min、术前梗阻、合并糖尿病均是胃癌根治术患者术后手术部位感染的独立危险因素(P﹤0.05)。结论胃癌根治术术后手术部位感染的危险因素包括NRS 2002评分﹥3分、年龄﹥60岁、手术时间﹥210 min、术前梗阻、合并糖尿病,可针对高危因素进行干预,以改善患者的预后。 展开更多
关键词 胃癌根治术 手术部位 感染 危险因素
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C(sp^(3))—H键直接催化硅基化反应研究进展 被引量：1
2
作者 程异 胡荣静 +3 位作者 陈晓琪 杨浩 牛晓康 杨磊 《有机化学》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2022年第2期323-343,共21页
含C(sp^(3))—Si键的有机硅化合物在材料科学、药物化学和精细化学品合成等研究领域有着广泛的应用.通过C(sp^(3))—H的直接催化硅基化形成C(sp^(3))—Si键具有高的原子经济性和步骤经济性特点,近些年已成为含C(sp^(3))—Si键的新型有... 含C(sp^(3))—Si键的有机硅化合物在材料科学、药物化学和精细化学品合成等研究领域有着广泛的应用.通过C(sp^(3))—H的直接催化硅基化形成C(sp^(3))—Si键具有高的原子经济性和步骤经济性特点,近些年已成为含C(sp^(3))—Si键的新型有机硅分子合成领域的一个研究热点.详细总结了C(sp^(3))—H键直接催化硅基化反应的研究进展,并探讨了相关反应的机理和应用范围. 展开更多
关键词 过渡金属 C(sp^(3))-H硅基化 C(sp^(3))-Si键 有机硅 非过渡金属
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