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题名低功耗非易失性存储器存储单元及存储芯片架构
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作者
王浩
郭术明
聂筱敏
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机构
无锡华润上华科技有限公司上海分公司
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出处
《中国集成电路》
2024年第6期37-42,55,共7页
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文摘
基于传统的0.18um单栅Logic CMOS工艺实现超低功耗非易失性存储器芯片的设计与验证,该存储芯片采用差分结构单元,无需增加光罩,利用双向的F-N隧穿原理进行编程擦除机理,可实现EEPROM功能。最终的测试结果显示该芯片具有超低的待机、编程和读取功耗,读取速度最高达100MHz,Cycling可达100K,且具有非常优秀的数据保持能力,非常适用于低成本低功耗的应用场景。
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关键词
CMOS工艺
低功耗
非易失性存储器
双向F-N隧穿
数据保持
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Keywords
CMOS process
low power
non-volatile memory
bidirectional F-N tunneling
data retention
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分类号
TP333
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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