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题名电路抗老化设计中基于门优先的关键门定位方法
被引量：2
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作者
范磊
梁华国
易茂祥
朱炯
郑旭光
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机构
合肥工业大学计算机与信息学院
合肥工业大学电子科学与应用物理学院
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出处
《微电子学》
CSCD
北大核心
2017年第2期258-263,共6页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61274036)
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文摘
随着CMOS工艺尺寸不断缩小,尤其在65nm及以下的CMOS工艺中,负偏置温度不稳定性(NBTI)已经成为影响CMOS器件可靠性的关键因素。提出了一种基于门优先的关键门定位方法,它基于NBTI的静态时序分析框架,以电路中老化严重的路径集合内的逻辑门为优先,同时考虑了门与路径间的相关性,以共同定位关键门。在45nm CMOS工艺下对ISCAS基准电路进行实验,结果表明:与同类方法比较,在相同实验环境的条件下,该方法不仅定位关键门的数量更少,而且对关键路径的时延改善率更高,有效地减少了设计开销。
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关键词
负偏置温度不稳定性
关键门
抗老化
静态时序分析
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Keywords
Negative bias temperature instability（NBTI）
Critical gate
Anti-aging
Static timing analysis
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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