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320×256 InAs/GaSb超晶格中/短波双色探测器组件研制 被引量:2
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作者 吕衍秋 彭震宇 +4 位作者 曹先存 何英杰 李墨 孟超 朱旭波 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2020年第1期64-68,共5页
InAs/GaSb超晶格材料制备的新型红外器件在最近十几年得到了迅速发展。文中开展了InAs/GaSb二类超晶格中/短波双色焦平面探测器组件研制,设计了中/短波双色叠层背靠背二极管芯片结构,用分子束外延技术生长出结构完整、表面平整、低缺陷... InAs/GaSb超晶格材料制备的新型红外器件在最近十几年得到了迅速发展。文中开展了InAs/GaSb二类超晶格中/短波双色焦平面探测器组件研制,设计了中/短波双色叠层背靠背二极管芯片结构,用分子束外延技术生长出结构完整、表面平整、低缺陷密度的PNP结构超晶格材料,制备出性能优良的320×256双色焦平面探测器组件,对探测器组件进行了测试分析。结果显示,在77 K下中波二极管RA值达到26.0 kΩ·cm^2,短波的RA值为562 kΩ·cm^2。光谱响应特性表明短波响应波段为1.7~3μm,中波为3~5μm,满足设计要求。双色峰值探测率达到中波3.12×10^11cm·Hz1/2W^-1,短波1.34×10^11cm·Hz1/2W^-1。响应非均匀性中波为9.9%,短波为9.7%。中波有效像元率为98.46%,短波为98.06%。 展开更多
关键词 INAS/GASB超晶格 双色 中短波 焦平面阵列 红外探测器
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儿童髓系肉瘤的CT和MRI影像学表现分析
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作者 张宏 于彤 +6 位作者 王岩 尹光恒 吕艳秋 姚兴凤 于皎乐 彭芸 段晓岷 《中国小儿血液与肿瘤杂志》 CAS 2022年第6期383-389,共7页
目的分析儿童髓系肉瘤(MS)的临床与影像学特征,提高对该病的早期识别及诊断能力。方法回顾性分析27例儿童MS患儿的临床及影像学资料,27例行CT检查,其中21例同时行MRI检查,分析其CT及MRI特征。结果27例患儿中,男性20例(74%),女性7例(26%)... 目的分析儿童髓系肉瘤(MS)的临床与影像学特征,提高对该病的早期识别及诊断能力。方法回顾性分析27例儿童MS患儿的临床及影像学资料,27例行CT检查,其中21例同时行MRI检查,分析其CT及MRI特征。结果27例患儿中,男性20例(74%),女性7例(26%),中位年龄3.5(0.6~10.8)岁。23例为MS合并AML,4例为孤立性MS。儿童MS病灶以多发为主,多见于眼眶,还可见于胸膜、前中颅窝底、颅板下、皮下结节和脊柱旁等部位,肿块为实性,呈梭形或不规则形,瘤体大小不等。在CT上,病灶与肌肉组织相比呈等密度,与邻近的脑组织相比,呈稍高密度,无钙化;在MRI上,肿块在T1W1呈等信号,在T2WI以高或等信号为主,伴弥散受限。病灶可以对邻近的肌肉和骨骼组织侵犯和破坏,还可以侵犯椎间孔及椎管,压迫脊髓,同时还常伴有淋巴结肿大、脾大及肝大。结论在影像学提示儿童存在实性强化肿块且边界不清、具有一定的侵袭性时应该考虑MS的可能,儿童MS的临床和影像学表现具有一定的特征性,根据这些临床和影像学特征应建议临床围绕MS展开检查,便于早期诊断。 展开更多
关键词 髓系肉瘤 儿童 计算机体层成像 磁共振成像
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InAs/GaSb二类超晶格中/短波双色红外焦平面探测器 被引量:11
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作者 朱旭波 彭震宇 +9 位作者 曹先存 何英杰 姚官生 陶飞 张利学 丁嘉欣 李墨 张亮 王雯 吕衍秋 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2019年第11期91-96,共6页
InAs/GaSb超晶格材料已经成为了第三代红外焦平面探测器的优选材料。开展了InAs/GaSb二类超晶格中/短波双色焦平面探测器器件结构设计、材料外延、芯片制备,对钝化方法进行了研究,制备出性能优良的320×256双色焦平面探测器。首先... InAs/GaSb超晶格材料已经成为了第三代红外焦平面探测器的优选材料。开展了InAs/GaSb二类超晶格中/短波双色焦平面探测器器件结构设计、材料外延、芯片制备,对钝化方法进行了研究,制备出性能优良的320×256双色焦平面探测器。首先以双色叠层背靠背二极管电压选择结构作为基本结构,设计了中/短波双色芯片结构,然后采用分子束外延技术生长出结构完整、表面平整、低缺陷密度的PNP结构超晶格材料。采用硫化与SiO2复合钝化方法,最终制备的器件在77 K下中波二极管的RA值达到13.6 kΩ·cm^2,短波达到538 kΩ·cm^2。光谱响应特性表明短波响应波段为1.7~3μm,中波为3~5μm。双色峰值探测率达到中波3.7×10^11cm·Hz^1/2W^-1以上,短波2.2×10^11cm·Hz^1/2W^-1以上。响应非均匀性中波为9.9%,短波为9.7%。中波有效像元率为98.46%,短波为98.06%。 展开更多
关键词 INAS/GASB超晶格 双色 中短波 焦平面阵列 红外探测器
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用于识别面阵探测器相连缺陷元的新型光学滤光片(英文)
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作者 侯治锦 傅莉 +3 位作者 鲁正雄 司俊杰 王巍 吕衍秋 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2018年第7期253-259,共7页
相连缺陷元识别一直是面阵探测器研究难点。面阵探测器相连缺陷元的光电信号与正常元基本相同,因此采用现有面阵测试方法无法识别相连缺陷元。提出了一种新型光学滤光片来识别面阵探测器中的相连缺陷元。在提出的滤光片结构中,有两种不... 相连缺陷元识别一直是面阵探测器研究难点。面阵探测器相连缺陷元的光电信号与正常元基本相同,因此采用现有面阵测试方法无法识别相连缺陷元。提出了一种新型光学滤光片来识别面阵探测器中的相连缺陷元。在提出的滤光片结构中,有两种不同透光率、且交错排列的阵列组成。采用该滤光片后,相连缺陷元的响应电压值是正常单元响应电压的50%,面阵探测器相连缺陷元可以被显著识别。 展开更多
关键词 面阵探测器 滤光片 相连缺陷元 识别
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