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组分渐变过渡层对氮化镓基发光二极管性能的影响
被引量：
10
1
作者
龙浩
张智超
+3 位作者
顾锦华
王皓宁
丁楚伟
钟志有
《中南民族大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2017年第1期71-75,共5页
针对半导体发光二极管(LED)中普遍存在的效率衰减效应严重影响大注入电流条件下LED发光性能的问题,在传统InGaN/GaN多量子阱LED基础上,设计了组分渐变过渡层结构,引入到量子垒和电子阻挡层界面。模拟计算结果表明:当引入过渡层后,量子...
针对半导体发光二极管(LED)中普遍存在的效率衰减效应严重影响大注入电流条件下LED发光性能的问题,在传统InGaN/GaN多量子阱LED基础上,设计了组分渐变过渡层结构,引入到量子垒和电子阻挡层界面。模拟计算结果表明:当引入过渡层后,量子垒和电子阻挡层界面处的电子势阱深度和空穴势垒高度减小,有益于有源区载流子浓度的提高,有效提升了量子阱内辐射复合速率,使发光效率衰减现象得到显著改善.研究结果对大功率发光二极管的结构设计和器件研发具有启发作用.
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关键词
发光二极管
氮化镓
多量子阱
效率衰减
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职称材料
题名
组分渐变过渡层对氮化镓基发光二极管性能的影响
被引量：
10
1
作者
龙浩
张智超
顾锦华
王皓宁
丁楚伟
钟志有
机构
中南民族大学电子信息工程学院
中南民族大学实验教学与实验室管理中心
武汉光驰教育科技股份有限公司
出处
《中南民族大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2017年第1期71-75,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(11504436)
湖北省自然科学基金资助项目(2015CFB364)
+1 种基金
中南民族大学中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(CZW15045
CZQ16003)
文摘
针对半导体发光二极管(LED)中普遍存在的效率衰减效应严重影响大注入电流条件下LED发光性能的问题,在传统InGaN/GaN多量子阱LED基础上,设计了组分渐变过渡层结构,引入到量子垒和电子阻挡层界面。模拟计算结果表明:当引入过渡层后,量子垒和电子阻挡层界面处的电子势阱深度和空穴势垒高度减小,有益于有源区载流子浓度的提高,有效提升了量子阱内辐射复合速率,使发光效率衰减现象得到显著改善.研究结果对大功率发光二极管的结构设计和器件研发具有启发作用.
关键词
发光二极管
氮化镓
多量子阱
效率衰减
Keywords
light-emitting diode
GaN
multiple quantum well
efficiency droop
分类号
TN311 [电子电信—物理电子学]
TN383
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
组分渐变过渡层对氮化镓基发光二极管性能的影响
龙浩
张智超
顾锦华
王皓宁
丁楚伟
钟志有
《中南民族大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2017
10
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参考文献
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