期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
二氧化硅纳米颗粒潜在的神经毒性对神经变性疾病的影响
1
作者 何柯欣 郭玲 《阿尔茨海默病及相关病杂志》 2024年第2期151-155,共5页
神经变性疾病是一类慢性疾病,包括常见的阿尔茨海默病(Alzheimer’s disease,AD)、帕金森病(parkinson’s disease,PD)和额颞叶痴呆(frontotemporal dementia,FTD)等。这些疾病的病理生理变化特点均有神经元内出现异常蛋白质聚集、氧化... 神经变性疾病是一类慢性疾病,包括常见的阿尔茨海默病(Alzheimer’s disease,AD)、帕金森病(parkinson’s disease,PD)和额颞叶痴呆(frontotemporal dementia,FTD)等。这些疾病的病理生理变化特点均有神经元内出现异常蛋白质聚集、氧化应激反应、线粒体功能障碍等,最终可导致神经元变性死亡。目前虽无彻底治愈这些疾病的特异性疗法,但是不乏可以帮助缓解症状或延缓疾病进展的药物治疗方法。其中,包括二氧化硅纳米颗粒(silica nanoparticles,SiNPs)作为一种新型材料用于神经保护剂作用的疗法。最近的研究表明,这种材料虽有其优点,但可能对神经变性疾病产生负面影响。因此,本文拟以近年相关报道,从SiNPs的暴露途径以及其与神经炎症、线粒体功能障碍、Aβ和p-Tau的临床前研究进行综述,为充分认识SiNPs潜在神经毒性机制研究以及NRDs的防治提供理论或实践依据。 展开更多
关键词 二氧化硅纳米颗粒 神经变性疾病 神经炎症 线粒体功能障碍
下载PDF
具有大电导动态范围和多级电导态的铁电Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)栅控突触晶体管 被引量：1
2
作者 罗春来 张岩 +11 位作者 帅文韬 贺可心 李明 陶瑞强 陈德扬 樊贞 张斌 周小元 戴吉岩 周国富 陆旭兵 刘俊明 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第6期2372-2382,共11页
得益于铁电材料的非易失性和快速擦写,铁电突触晶体管(FST)在神经形态计算应用中很有前景.然而,在低能耗下同时实现大电导动态范围(G_(max)/G_(min))和多级有效电导态仍是一个挑战.在此,本文首次提出了由铁电Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)(HZO... 得益于铁电材料的非易失性和快速擦写,铁电突触晶体管(FST)在神经形态计算应用中很有前景.然而,在低能耗下同时实现大电导动态范围(G_(max)/G_(min))和多级有效电导态仍是一个挑战.在此,本文首次提出了由铁电Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)(HZO)栅介质结合溶液处理的氧化铟(In_(2)O_(3))突触晶体管以解决上述问题.通过精细调控的铁电相以及对铁电体和铁电/半导体界面的电荷注入良好抑制,实现了优异的突触特性.在每个尖峰事件490 fJ的低能耗下,该FST成功模拟了高达101个有效电导状态的长时程增强/抑制(LTP/D),且具有大电导动态范围(G_(max)/G_(min)=32.2)和优异耐久性(>1000个循环).此外,模拟实现了96.5%的手写数字识别准确率,这是现有报道的FST的最高记录.这项工作为开发低成本、高性能和节能的铁电突触晶体管提供了一条新途径. 展开更多
关键词 动态范围 半导体界面 电荷注入 栅介质 氧化铟 非易失性 铁电材料 电突触
原文传递
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部