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Low-resolution optical transmission using joint shaping technique of signal probability and quantization noise 被引量:3
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作者 黄宏宇 于振明 +3 位作者 舒亮 孙凯旋 尹飞飞 徐坤 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第5期11-17,共7页
In this paper,we propose and experimentally demonstrate a joint shaping technique to improve the performance of a lowresolution transmission system for the first time,to the best of our knowledge.The joint shaping tec... In this paper,we propose and experimentally demonstrate a joint shaping technique to improve the performance of a lowresolution transmission system for the first time,to the best of our knowledge.The joint shaping technique combines probabilistic shaping(PS)and error feedback noise shaping(EFNS).In the 40-Gbaud intensity-modulation direct-detection(IM/DD)experimental transmission system,a bit-error-rate(BER)of 3.8×10^(-3)can be achieved easily with the joint shaping at the physical number of bits(PNOB)of 3.In the 30-Gbaud dual polarization(DP)coherent experimental transmission system,a BER below 1×10^(-3)is easily obtained with a 3-bit quantizer by using joint shaping.The optimization of the shaping degree is also analyzed. 展开更多
关键词 optical fiber communication QUANTIZATION digital signal processing
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用于神经形态学计算的低能耗、高稳定性2D-3D钙钛矿忆阻器
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作者 孙凯旋 王庆瑞 +5 位作者 周龙 王静娟 常晶晶 郭瑞 Beng Kang Tay 闫小兵 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第5期2013-2022,共10页
近年来,有机-无机卤化物钙钛矿在忆阻器和人工突触器件等电子器件中的应用取得了快速进展.由于其离子迁移特性和制造上的优势,有机-无机卤化物钙钛矿有望成为下一代计算设备的候选材料.本文采用ITO/FA_(1-y)MA_(y)PbI_(3-x)Cl_(x)/(PEA)... 近年来,有机-无机卤化物钙钛矿在忆阻器和人工突触器件等电子器件中的应用取得了快速进展.由于其离子迁移特性和制造上的优势,有机-无机卤化物钙钛矿有望成为下一代计算设备的候选材料.本文采用ITO/FA_(1-y)MA_(y)PbI_(3-x)Cl_(x)/(PEA)_(2)PbI_(4)/Au的叠层结构,研究了2D-3D有机-无机杂化钙钛矿忆阻器.结果表明,这种新型忆阻器具有新颖的电阻开关特性,如扫描速率相关的电流开关特性、良好的电流-电压曲线重复性和超低能耗.利用p-i-n结模型证实了缺陷调制电子隧穿机制,并证明了忆阻器件的电导状态由电极侧附近钙钛矿薄膜中的缺陷浓度决定.除了良好的忆阻特性外,这种2D-3D钙钛矿型忆阻器还可以很好地用作人工突触,其内部缺陷运动可以真实地模拟生物突触中Ca^(2+)的流入和挤出.此外,由于有机-无机卤化物钙钛矿中的可切换p-i-n结构,这种基于钙钛矿的人工突触具有超低功耗.我们的发现展示了2D-3D钙钛矿忆阻器在未来神经形态计算系统中的巨大应用潜力. 展开更多
关键词 PEROVSKITE ion migration MEMRISTOR low energy consumption neuromorphic computing
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利用界面工程来调控铁电隧道忆阻器的生物突触行为
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作者 赵建辉 于天奇 +9 位作者 邵一铎 郭瑞 林伟南 刘公杰 周振宇 裴逸菲 王静娟 孙凯旋 闫小兵 陈景升 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第4期1559-1568,共10页
界面工程一直是调节铁电隧道结忆阻器(FTM)行为的重要途径,且直接影响其生物突触特性.为了研究界面对人工突触性能的影响,本工作中,我们研究了具有Pt/BaTiO_(3)/La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_(3)结构的忆阻器.其中可以通过控制SrTiO_(3)(STO)... 界面工程一直是调节铁电隧道结忆阻器(FTM)行为的重要途径,且直接影响其生物突触特性.为了研究界面对人工突触性能的影响,本工作中,我们研究了具有Pt/BaTiO_(3)/La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_(3)结构的忆阻器.其中可以通过控制SrTiO_(3)(STO)衬底的终止层和BaTiO_(3)(BTO)薄膜层状生长模式来控制忆阻器器件的界面.由于BTO薄膜相反的铁电极化方向以及与之对应的不同的能带结构,具有不同界面的FTM呈现出相反的电阻开关行为.更重要的是,FTM的突触学习特性也可以通过控制界面来调整.具有不同接口终端的FTM可以调节长时程增强、长时程抑制、尖峰时间依赖性可塑性和配对脉冲促进的不同特性.基于这两种接口工程FTM的突触行为,可以构建人工神经网络系统来完成手写数字图像识别过程,两者的准确率都接近90%.我们的结果为通过纳米级界面工程调整忆阻器的功能提供了有用的参考. 展开更多
关键词 数字图像识别 忆阻器 界面工程 控制界面 电阻开关 人工神经网络系统 长时程抑制 长时程增强
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