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题名低阈值852nm半导体激光器的温度特性
被引量：4
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作者
廖翌如
关宝璐
李建军
刘储
米国鑫
徐晨
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机构
北京工业大学光电子技术教育部重点实验室
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期331-337,共7页
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基金
半导体激光器产业化技术基金(YXBGD20151JL01)
国家自然科学基金(61575008
+8 种基金
60908012
61376049
61076044
61107026
61204011)
北京市自然科学基金(4132006
4102003
4112006)
北京市教育委员会基础技术研究基金(KM201210005004)资助项目~~
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文摘
通过金属有机化学气相淀积(MOCVD)和半导体后工艺技术制备了852 nm半导体激光器,它在室温下的阈值电流为57.5 m A,输出的光谱线宽小于1 nm。测试分析了激光器的输出光功率、阈值电流、电压、输出中心波长随温度的变化。测试结果表明,当温度变化范围为293~328 K时,阈值电流的变化速率为0.447m A/K,特征温度T0为142.25 K,输出的光功率变化率为0.63 m W/K。通过计算求得理想因子n为2.11,激光器热阻为77.7 K/W,中心波长漂移速率是0.249 29 nm/K,实验得出的中心波长漂移速率与理论计算结果相符。实验结果表明,该半导体器件在293~303 K的温度范围内,各特性参数能够保持相对良好的状态。器件如果工作在高温环境,需要添加控温设备以保证器件在良好状态下运行。
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关键词
852
nm半导体激光器
温度特性
阈值电流
特征温度
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Keywords
852 nm semiconductor laser
temperature characteristic
threshold current
characteristics of the tem-perature
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分类号
TN248.4
[电子电信—物理电子学]
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