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Mg2Si0.5Sn0．5Sbx固溶体的快速制备及其热电性能优化
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作者 郑亮 张忻 +6 位作者 刘洪亮 韩志明 李松浩 周子群 路清梅 张久兴 刘燕琴 《功能材料与器件学报》 CAS 2016年第4期56-62,共7页
采用感应熔炼结合放电等离子烧结技术成功制备了单相Mg2Si0.5Sn0.5Sbx（0≤x≤0．015）系列固溶体。从XRD和XRF分析结果可以看出，该制备方法能够很好地避免Mg元素的氧化和有效控制Mg的含量，且Sb元素成功进入了固溶体的晶格位置。热电... 采用感应熔炼结合放电等离子烧结技术成功制备了单相Mg2Si0.5Sn0.5Sbx（0≤x≤0．015）系列固溶体。从XRD和XRF分析结果可以看出，该制备方法能够很好地避免Mg元素的氧化和有效控制Mg的含量，且Sb元素成功进入了固溶体的晶格位置。热电性能测试结果表明，所有样品的Seebeck系数均为负值，且随着Sb掺杂量x的增加，电阻率大幅度降低，呈现出n型半导体输运特性；Sb元素进入固溶体晶格位置产生晶格畸变，从而增加了声子散射，降低了晶格热导率，所以掺杂Sb样品的晶格热导率明显低于未掺杂样品。Sb掺杂样品的无量纲热电优值ZT明显高于未掺杂样品，其中Sb掺杂量x=0．01成分样品Mg2Si0.5Sn0.5Sb0.1具有最大ZT值，并在700K附近取得最大值约为0．56。 展开更多
关键词 Mg2Si基热电材料 Sb掺杂 热电性能 放电等离子烧结 晶格热导率
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