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阳极溶出镉在线分析仪的同步校正方法
1
作者
徐义亮
项光宏
杨凯
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第2期505-511,共7页
针对基于阳极溶出伏安法水质镉在线分析仪溶出峰的电流值受环境温度影响问题,提出了一种同步校正的改进方法。该方法利用样品和校正液溶出峰电流信号随温度同步变化特性,在一个样品测量周期内同时进行校正液的测定,并将两者的溶出峰电...
针对基于阳极溶出伏安法水质镉在线分析仪溶出峰的电流值受环境温度影响问题,提出了一种同步校正的改进方法。该方法利用样品和校正液溶出峰电流信号随温度同步变化特性,在一个样品测量周期内同时进行校正液的测定,并将两者的溶出峰电流线性比较而计算出样品浓度。实验结果表明,镉溶出峰电流值随温度的升高而增大,当温度从5℃上升至43℃时,溶出峰电流值增大了近2.3倍,且影响机制为镉离子在工作电极表面扩散层的迁移速率主要受温度控制。采用改进的同步校正方法,镉在线仪器在5~43℃测量值的误差均小于10%,有效解决了仪器测量值对环境温度敏感问题。
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关键词
镉在线分析仪
阳极溶出伏安法
温度影响
同步校正
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职称材料
沟槽肖特基器件Si深槽刻蚀工艺
被引量：
1
2
作者
李志栓
汤光洪
+2 位作者
於广军
杨新刚
杨富宝
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第12期933-938,共6页
深硅刻蚀工艺是制造沟槽肖特基器件的关键技术。Si深槽的深度影响肖特基反向击穿电压,深槽的垂直度影响多晶Si回填效果,侧壁平滑度及深槽底部长草现象对器件的耐压性能影响显著。采用SF6/O2常温刻蚀工艺刻蚀Si深槽。研究了工艺压力、线...
深硅刻蚀工艺是制造沟槽肖特基器件的关键技术。Si深槽的深度影响肖特基反向击穿电压,深槽的垂直度影响多晶Si回填效果,侧壁平滑度及深槽底部长草现象对器件的耐压性能影响显著。采用SF6/O2常温刻蚀工艺刻蚀Si深槽。研究了工艺压力、线圈功率、SF6/O2比例以及下电极功率等参数对沟槽深度均匀性和垂直度的影响。得到了使Si深槽形貌为槽口宽度略大于槽底,侧壁光滑,且沟槽深度均匀性为2.3%左右的工艺条件。利用该刻蚀工艺可实现沟槽多晶Si无缝回填。该工艺条件成功应用于沟槽肖特基器件制作中,反向击穿电压达到58 V,反向电压通48 V,漏电流为11.2μA,良率达到97.55%。
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关键词
沟槽肖特基器件
Si深槽刻蚀
常温刻蚀
无缝回填
SF6/O2比例
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职称材料
题名
阳极溶出镉在线分析仪的同步校正方法
1
作者
徐义亮
项光宏
杨凯
机构
国家环境保护监测仪器工程技术中心
中国环境监测总站
出处
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第2期505-511,共7页
基金
水体污染控制与治理重大专项课题(2014ZX07507001)项目资助
文摘
针对基于阳极溶出伏安法水质镉在线分析仪溶出峰的电流值受环境温度影响问题,提出了一种同步校正的改进方法。该方法利用样品和校正液溶出峰电流信号随温度同步变化特性,在一个样品测量周期内同时进行校正液的测定,并将两者的溶出峰电流线性比较而计算出样品浓度。实验结果表明,镉溶出峰电流值随温度的升高而增大,当温度从5℃上升至43℃时,溶出峰电流值增大了近2.3倍,且影响机制为镉离子在工作电极表面扩散层的迁移速率主要受温度控制。采用改进的同步校正方法,镉在线仪器在5~43℃测量值的误差均小于10%,有效解决了仪器测量值对环境温度敏感问题。
关键词
镉在线分析仪
阳极溶出伏安法
温度影响
同步校正
Keywords
cadmium on-line analyzer
anodic stripping voltammetry
temperature effect
simultaneous calibration
分类号
TH832 [机械工程—仪器科学与技术]
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职称材料
题名
沟槽肖特基器件Si深槽刻蚀工艺
被引量：
1
2
作者
李志栓
汤光洪
於广军
杨新刚
杨富宝
机构
杭州士兰集成电路有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第12期933-938,共6页
文摘
深硅刻蚀工艺是制造沟槽肖特基器件的关键技术。Si深槽的深度影响肖特基反向击穿电压,深槽的垂直度影响多晶Si回填效果,侧壁平滑度及深槽底部长草现象对器件的耐压性能影响显著。采用SF6/O2常温刻蚀工艺刻蚀Si深槽。研究了工艺压力、线圈功率、SF6/O2比例以及下电极功率等参数对沟槽深度均匀性和垂直度的影响。得到了使Si深槽形貌为槽口宽度略大于槽底,侧壁光滑,且沟槽深度均匀性为2.3%左右的工艺条件。利用该刻蚀工艺可实现沟槽多晶Si无缝回填。该工艺条件成功应用于沟槽肖特基器件制作中,反向击穿电压达到58 V,反向电压通48 V,漏电流为11.2μA,良率达到97.55%。
关键词
沟槽肖特基器件
Si深槽刻蚀
常温刻蚀
无缝回填
SF6/O2比例
Keywords
trench Schottky device
silicon deep-trench etching
etching at room temperature
void-free backfill
SF6/O2 ratio
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
阳极溶出镉在线分析仪的同步校正方法
徐义亮
项光宏
杨凯
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
0
下载PDF
职称材料
2
沟槽肖特基器件Si深槽刻蚀工艺
李志栓
汤光洪
於广军
杨新刚
杨富宝
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016
1
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职称材料
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