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前驱体温度对激光化学气相沉积YBa2 Cu3 O7δ超导薄膜结构及性能的影响
1
作者
张琼
赵培
+3 位作者
吴慰
戴武斌
goto
takashi
徐源来
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第2期9-17,共9页
采用激光化学气相沉积法在Al2O3基底上以49μm·h-1的沉积速率高速制备了c-轴取向的YBa2Cu3O 7-δ薄膜,其中,激光功率为133 W,沉积温度1103 K,腔体压强800 Pa。研究了前驱体蒸发温度及薄膜退火温度对薄膜电学性能的影响。研究表明,B...
采用激光化学气相沉积法在Al2O3基底上以49μm·h-1的沉积速率高速制备了c-轴取向的YBa2Cu3O 7-δ薄膜,其中,激光功率为133 W,沉积温度1103 K,腔体压强800 Pa。研究了前驱体蒸发温度及薄膜退火温度对薄膜电学性能的影响。研究表明,Ba、Cu、Y前驱体加热温度分别为603、478、459 K时制备的薄膜在经813 K高温热处理12 h后,临界温度可达83 K。
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关键词
激光化学气相沉积
YBA2
Cu3
O7-δ薄膜
高速沉积
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职称材料
题名
前驱体温度对激光化学气相沉积YBa2 Cu3 O7δ超导薄膜结构及性能的影响
1
作者
张琼
赵培
吴慰
戴武斌
goto
takashi
徐源来
机构
等离子体化学与新材料湖北省重点实验室(武汉工程大学)
东北大学金属材料研究所
绿色化工过程省部共建教育部重点实验室(武汉工程大学)
出处
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第2期9-17,共9页
基金
国家自然科学基金(51972241).
文摘
采用激光化学气相沉积法在Al2O3基底上以49μm·h-1的沉积速率高速制备了c-轴取向的YBa2Cu3O 7-δ薄膜,其中,激光功率为133 W,沉积温度1103 K,腔体压强800 Pa。研究了前驱体蒸发温度及薄膜退火温度对薄膜电学性能的影响。研究表明,Ba、Cu、Y前驱体加热温度分别为603、478、459 K时制备的薄膜在经813 K高温热处理12 h后,临界温度可达83 K。
关键词
激光化学气相沉积
YBA2
Cu3
O7-δ薄膜
高速沉积
Keywords
laser chemical vapor deposition
YBa2 Cu3 O7-δfilm
high deposition rate
分类号
TM26 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
前驱体温度对激光化学气相沉积YBa2 Cu3 O7δ超导薄膜结构及性能的影响
张琼
赵培
吴慰
戴武斌
goto
takashi
徐源来
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
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