文章以氧化石墨烯(GO)与苯胺单体为原料,按照GO与苯胺不同的质量比原位合成GO/聚苯胺(PANI)复合材料,经冷冻干燥后再进行热处理。将得到的样品制作成超级电容器的电极,并通过对电极进行电化学性能测试来优化GO/PANI复合材料的热处理温...文章以氧化石墨烯(GO)与苯胺单体为原料,按照GO与苯胺不同的质量比原位合成GO/聚苯胺(PANI)复合材料,经冷冻干燥后再进行热处理。将得到的样品制作成超级电容器的电极,并通过对电极进行电化学性能测试来优化GO/PANI复合材料的热处理温度和质量比,以提升其比电容。通过扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)观察GO/PANI复合材料的表面形貌,与电化学性能进行对比,以此优化实验条件,为下一步实验提供参考。展开更多
利用新型铁电材料Na 0.5 Y 0.5 TiO 3(NYTO)薄膜高介电的特点,将其作为MFIS(metal-ferroelectric-insulator-semiconductor,MFIS)电容器的绝缘层,制备出Pt/Pb(Zr 0.2 Ti 0.8)O 3/NYTO/Si结构电容器,并对其进行XRD、SEM、C-V特性测试及I-...利用新型铁电材料Na 0.5 Y 0.5 TiO 3(NYTO)薄膜高介电的特点,将其作为MFIS(metal-ferroelectric-insulator-semiconductor,MFIS)电容器的绝缘层,制备出Pt/Pb(Zr 0.2 Ti 0.8)O 3/NYTO/Si结构电容器,并对其进行XRD、SEM、C-V特性测试及I-V特性测试分析.分别对C-V存储窗口(记忆窗口,memory window)与应用电压以及绝缘层膜厚的关系进行了研究,结果表明记忆窗口数值比较理想.绝缘层厚度为40 nm、电容器的应用电压为32 V时,记忆窗口可达13 V.对制备的MFIS电容器I-V特性进行了研究,结果表明器件具备较低的漏电流密度,为1.08×10-6 A/cm 2,且其电流传导机制符合空间电荷限制电流导电机制.展开更多
文摘文章以氧化石墨烯(GO)与苯胺单体为原料,按照GO与苯胺不同的质量比原位合成GO/聚苯胺(PANI)复合材料,经冷冻干燥后再进行热处理。将得到的样品制作成超级电容器的电极,并通过对电极进行电化学性能测试来优化GO/PANI复合材料的热处理温度和质量比,以提升其比电容。通过扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)观察GO/PANI复合材料的表面形貌,与电化学性能进行对比,以此优化实验条件,为下一步实验提供参考。
文摘利用纳秒脉冲激光烧蚀(PLA)技术,在室温、真空环境中沉积制备了非晶Si薄膜,并通过热退火实现了薄膜样品的晶化.利用扫描电子显微镜(SEM)、X线衍射(XRD)仪和Raman散射(Raman)仪等技术对退火后的样品进行形貌表征和晶态成分分析,确定了非晶Si薄膜晶化的热退火阈值温度以及在该条件下所形成球状纳米Si晶粒的平均直径,结果分别为850℃和15nm.假定纳米Si晶粒为理想球体,结合固相晶化过程中的能量变化,计算得到了晶化形成直径15nm球状晶粒所需要的能量,即成核势垒阈值,量级约为10-11 mJ.
