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高端集成电路工艺实验室管理探究 被引量：2
1
作者 张立锋 徐赛生 +2 位作者 王凡 丁士进 张卫 《实验室科学》 2020年第4期170-172,共3页
随着集成电路产业的发展,国内集成电路人才缺口很大。各高校也都加快了建设集成电路实验室的步伐。以复旦大学微电子学院的集成电路工艺实验室为样本,从团队分工,实验室安全管理制度,工艺标准化开发以及实验室的共享和开放四个方面来研... 随着集成电路产业的发展,国内集成电路人才缺口很大。各高校也都加快了建设集成电路实验室的步伐。以复旦大学微电子学院的集成电路工艺实验室为样本,从团队分工,实验室安全管理制度,工艺标准化开发以及实验室的共享和开放四个方面来研究高端集成电路工艺实验室的管理问题。为国内兄弟院校在管理集成电路实验室方面提供参考。 展开更多
关键词 集成电路 工艺实验室 工艺标准化
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水平力(H)-扭矩(T)组合受荷桩承载特性模型试验研究 被引量：5
2
作者 邹新军 丁仕进 赵灵杰 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期126-133,共8页
为探讨单桩基础在桩顶水平力(H)-扭矩(T)组合作用下的承载特性,研制了H-T组合加载装置.通过室内砂箱模型对比试验,获得了8组H-T组合工况下的桩身内力变形与承载力结果.其表明:相比于单一水平受荷或受扭桩的极限承载力(Hu或Tu),两种荷载... 为探讨单桩基础在桩顶水平力(H)-扭矩(T)组合作用下的承载特性,研制了H-T组合加载装置.通过室内砂箱模型对比试验,获得了8组H-T组合工况下的桩身内力变形与承载力结果.其表明:相比于单一水平受荷或受扭桩的极限承载力(Hu或Tu),两种荷载的不同大小组合与加载顺序(H→T或T→H)均会导致相应桩身承载力的减小,且H→T组合的影响要比T→H组合明显,如2Tu/3→T时桩身水平承载力减小约12.4%,而2 Hu/3→T组合下桩身扭转承载力减幅达48.5%,故工程设计时不宜基于叠加原理计算HT受荷桩的承载力.在此基础上,采用基于MATLAB编制的可考虑桩周土约束及H-T耦合效应的改进杆系有限元法计算程序求解了不同工况下的H-T组合受荷桩的桩顶扭转角及桩身扭矩与弯矩,并将计算结果与模型试验值进行了对比分析. 展开更多
关键词 单桩基础 承载特性 水平力 扭矩 组合作用 模型试验
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地域特色爱国主义教育载体及应用研究——以湖南高校为例
3
作者 张小刚 赵洁 丁世金 《当代教育理论与实践》 2023年第2期92-97,共6页
爱国主义是中华民族的传统美德,在新的历史时期,加强大学生的爱国主义教育是高校一项长期的系统工程,同时也具有重要的战略和现实意义。以湖南高校为例,根据当前爱国主义教育的开展现状,提出了利用校情校史、课程载体、活动载体和网络... 爱国主义是中华民族的传统美德,在新的历史时期,加强大学生的爱国主义教育是高校一项长期的系统工程,同时也具有重要的战略和现实意义。以湖南高校为例,根据当前爱国主义教育的开展现状,提出了利用校情校史、课程载体、活动载体和网络载体来打造地域特色爱国主义教育的路径,充分挖掘高校校情校史中的湖湘精神、促进校本课程与湖南红色文化的融合、在校园文化活动中加入优秀的湖湘文化以及通过发展网络思政平台进行地域特色爱国主义教育,以此进一步激发大学生的爱国热情,为培养合格的人才奠定思想基础。 展开更多
关键词 地域特色 爱国主义教育 载体研究
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TaN薄膜的等离子体增强原子层沉积及其抗Cu扩散性能 被引量：1
4
作者 王永平 丁子君 +2 位作者 朱宝 刘文军 丁士进 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期9-14,共6页
使用Ta[N(CH3)2]5和NH3等离子体作为反物用等离子体增强原子层沉积工艺生长了TaN薄膜,借助原子力显微镜、X射线光电子能谱、四探针和X射线反射等手段研究了薄膜的性能与工艺条件之间的关系。结果表明,TaN薄膜主要由Ta、N和少量的C、O组... 使用Ta[N(CH3)2]5和NH3等离子体作为反物用等离子体增强原子层沉积工艺生长了TaN薄膜,借助原子力显微镜、X射线光电子能谱、四探针和X射线反射等手段研究了薄膜的性能与工艺条件之间的关系。结果表明,TaN薄膜主要由Ta、N和少量的C、O组成。当衬底温度由250℃提高到325℃时Ta与N的原子比由46:41升高到55:35,C的原子分数由6%降低到2%。同时,薄膜的密度由10.9 g/cm3提高到11.6 g/cm3,电阻率由0.18Ω?cm降低到0.044Ω?cm。与未退火的薄膜相比,在400℃退火30 min后TaN薄膜的密度平均提高了～0.28 g/cm3,电阻率降低到0.12～0.029Ω?cm。在250℃生长的3 nm超薄TaN阻挡层在500℃退火30 min后仍保持良好的抗Cu扩散性能。 展开更多
关键词 材料表面与界面 原子层沉积 扩散阻挡层 退火 TaN薄膜
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非晶碳薄膜在芯片制程中作为硬掩模应用的特性研究
5
作者 蒋征 张亚梅 +2 位作者 李培培 叶五毛 丁士进 《微纳电子与智能制造》 2022年第1期105-109,共5页
因其化学和物理性能与其他材料的差异,非晶碳薄膜作为硬掩模来实现高深宽比结构已广泛应用于高端半导体芯片制造工艺中。三维存储器3D-NAND的复杂工艺制程和器件性能对非晶碳硬掩模的沉积速率、厚度均匀性、薄膜透明度和蚀刻速率都提出... 因其化学和物理性能与其他材料的差异,非晶碳薄膜作为硬掩模来实现高深宽比结构已广泛应用于高端半导体芯片制造工艺中。三维存储器3D-NAND的复杂工艺制程和器件性能对非晶碳硬掩模的沉积速率、厚度均匀性、薄膜透明度和蚀刻速率都提出了特殊的要求。随着国内集成电路技术快速发展,对高端制造装备和配套工艺都呈现出明显的需求,因此开发先进设备和研究新型的工艺材料已势在必行。本文研究了用拓荆科技生产的高端12寸等离子体化学气相沉积(PECVD)设备在晶圆上沉积非晶碳薄膜材料,研究了非晶碳薄膜在300、350和400℃不同沉积温度下的工艺表现,利用傅里叶变换红外光谱(FTIR)和拉曼光谱表征,并结合理论分析了多种非晶碳薄膜的沉积条件对其材料微观结构、化学和物理性能的影响,以及作为硬掩模刻蚀特性之间的关系。研究发现:随着沉积温度升高,非晶碳薄膜沉积速率下降,薄膜厚度均匀性和抗蚀刻速性能得到提高,同时非晶碳薄膜消光系数略有增加,薄膜透光性能下降。本文中机理分析、试验方法和主要结论对于在IC实际制程中开发非晶碳薄膜工艺提供指导,也在硬掩模应用中进一步提升非晶碳薄膜性能和工艺表现给出了方向。 展开更多
关键词 集成电路 PECVD设备 非晶碳薄膜 工艺研究
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