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两种四噻吩并萘分子晶体电荷传输性质的理论研究 被引量：1
1
作者 王串串 朱春梅 +2 位作者 苏梦笛 陈宇飞 赵蔡斌 《分子科学学报》 CSCD 北大核心 2017年第4期265-275,共11页
采用密度泛函理论(DFT)方法结合不相干的电荷跳跃模型和随机Monte Carlo模拟,研究了2种四噻吩并萘晶体(AT1和AT2)的分子结构、电子性质及电荷载流子传输参数,并预测了这2种晶体室温下空穴和电子迁移率的各向异性.结果表明标题化合物具... 采用密度泛函理论(DFT)方法结合不相干的电荷跳跃模型和随机Monte Carlo模拟,研究了2种四噻吩并萘晶体(AT1和AT2)的分子结构、电子性质及电荷载流子传输参数,并预测了这2种晶体室温下空穴和电子迁移率的各向异性.结果表明标题化合物具有近似平面的刚性骨架结构,电荷传输过程中分子的结构弛豫相当小.基于绝热势能面法计算的AT1和AT2分子空穴/电子传输内重组能分别为9.300×10^(-2)/1.100×10^(-1)eV和1.020×10^(-1)/1.290×10^(-1) eV,外重组能分别为1.835×10^(-2)/1.711×10^(-2) eV和1.857×10^(-2)/1.747×10^(-2) eV.利用Monte Carlo随机模拟方法预测的2种分子晶体室温(300K)下空穴/电子迁移率平均值分别为4.976×10^(-3)/2.766×10^(-2) cm^2 V^(-1)s^(-1)和3.857×10^(-3)/1.478×10^(-2)cm^2 V^(-1)s^(-1).此外,迁移率的角度依赖性研究表明2种载流子在AT1和AT2晶体aob平面传输时表现出显著的各向异性,其最大值均沿着电荷传输积分最大的方向,为制备高性能场效应晶体管器件提供了参考. 展开更多
关键词 密度泛函理论(DFT) 四噻吩并萘 电荷传输 各向异性
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