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混合介质层类同轴垂直硅通孔的高频性能研究 被引量：3
1
作者 丁英涛 王一丁 +2 位作者 肖磊 王启宁 陈志伟 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第10期1103-1108,共6页
为了改善T/R组件中2.5 D转接板的高频特性,本文提出一种工艺简单、结构新颖的混合介质层类同轴硅通孔(through silicon via,TSV)结构,对混合介质层类同轴TSV结构的外围TSV数量、TSV直径、混合介质层厚度等参数进行了仿真研究,并与传统同... 为了改善T/R组件中2.5 D转接板的高频特性,本文提出一种工艺简单、结构新颖的混合介质层类同轴硅通孔(through silicon via,TSV)结构,对混合介质层类同轴TSV结构的外围TSV数量、TSV直径、混合介质层厚度等参数进行了仿真研究,并与传统同轴TSV的回波损耗、插入损耗、串扰等性能进行对比.结果表明优化后的混合介质层类同轴TSV结构在1~45 GHz频率范围内,具有良好的射频传输性能. 展开更多
关键词 T/R组件 硅通孔 类同轴 混合介质层
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BCB介质层同轴TSV的热力学仿真分析 被引量：3
2
作者 丁英涛 吴兆虎 +1 位作者 杨宝焱 杨恒张 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第1期65-69,共5页
穿透硅通孔(through silicon via,TSV)的热机械可靠性问题已经成为制约TSV市场化应用的重要因素.本文对BCB介质层同轴TSV的热力学特性进行了研究分析,同时对其几何参数(SiO2绝缘层厚度、屏蔽环厚度、TSV间距、中心信号线半径)进行了变... 穿透硅通孔(through silicon via,TSV)的热机械可靠性问题已经成为制约TSV市场化应用的重要因素.本文对BCB介质层同轴TSV的热力学特性进行了研究分析,同时对其几何参数(SiO2绝缘层厚度、屏蔽环厚度、TSV间距、中心信号线半径)进行了变参分析,为降低热应力提供指导意见.结果表明,在阻抗匹配的前提下,通过增加SiO2绝缘层厚度、减小屏蔽环厚度能够有效降低同轴TSV的诱导热应力;相比之下中心信号线半径和TSV间距的变化对其影响可忽略不计. 展开更多
关键词 同轴TSV BCB介质层 热应力 有限元分析
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混合介质层类同轴硅通孔等效电路模型的建立与验证
3
作者 王晗 蔡子孺 +2 位作者 吴兆虎 王泽达 丁英涛 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期640-648,共9页
混合介质层类同轴硅通孔(coaxially-shielded through-silicon-via with mixed dielectric layer,MD CSTSV)结构由于其电学性能优良、制备工艺简单和成本低廉的特点,在高密度射频封装领域中具有极大的应用前景.本文基于多导体传输线理... 混合介质层类同轴硅通孔(coaxially-shielded through-silicon-via with mixed dielectric layer,MD CSTSV)结构由于其电学性能优良、制备工艺简单和成本低廉的特点,在高密度射频封装领域中具有极大的应用前景.本文基于多导体传输线理论和引入比例因子λ的环形介质层的复电容的计算公式,提取了该结构的单位长度RLGC电学参数,并建立了相应的等效电路模型.在0.1~40 GHz的频率范围内,利用MD CSTSV的等效电路模型仿真计算得到的S参数结果与基于HFSS全波仿真得到的S参数结果之间匹配良好,最大误差不超过7%.相关结果表明,所提取的MD CSTSV的单位长度RLGC电学参数以及相应的等效电路模型较为准确且可以很好地模拟其信号传输性能. 展开更多
关键词 硅通孔 类同轴 混合介质层 传输线理论
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一种12位100 MS/s流水线ADC的设计 被引量：4
4
作者 郭英杰 王兴华 +1 位作者 丁英涛 赵洪明 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期721-725,共5页
设计了一种12位100 MS/s流水线型模数转换器。采用3.5位/级的无采保前端和运放共享技术以降低功耗;采用首级多位数的结构以降低后级电路的输入参考噪声。采用一种改进型的双输入带电流开关的运放结构,以解决传统运放共享结构所引起的记... 设计了一种12位100 MS/s流水线型模数转换器。采用3.5位/级的无采保前端和运放共享技术以降低功耗;采用首级多位数的结构以降低后级电路的输入参考噪声。采用一种改进型的双输入带电流开关的运放结构,以解决传统运放共享结构所引起的记忆效应和级间串扰问题。在TSMC 90nm工艺下,采用Cadence Spectre进行仿真验证,当采样时钟频率为100 MS/s,输入信号频率为9.277 34MHz时,信干噪比(SNDR)为71.58dB,无杂散动态范围(SFDR)为86.32dB,电路整体功耗为220.8mW。 展开更多
关键词 A/D转换器 无采样/保持前端电路 运放共享
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