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硅基锗PIN光电探测器的研究进展
被引量：
5
1
作者
刘智
成步文
《半导体光电》
CAS
北大核心
2022年第2期261-266,共6页
随着硅基锗薄膜外延技术的突破,基于硅基锗材料的光电子器件快速发展,其中以硅基锗光电探测器最为突出。由于锗可以实现近红外通信波段的光吸收,而且完全兼容硅的CMOS工艺,硅基锗探测器几乎成为硅基光探测的唯一选择。文章主要介绍了面...
随着硅基锗薄膜外延技术的突破,基于硅基锗材料的光电子器件快速发展,其中以硅基锗光电探测器最为突出。由于锗可以实现近红外通信波段的光吸收,而且完全兼容硅的CMOS工艺,硅基锗探测器几乎成为硅基光探测的唯一选择。文章主要介绍了面入射和波导耦合两类常见硅基锗光电探测器的研究进展,包括典型的器件结构,以及提升响应度和带宽等性能的主要途径。
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关键词
硅基锗探测器
面入射
波导耦合
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职称材料
中红外硅基调制器研究进展(特邀)
2
作者
牛超群
庞雅青
+1 位作者
刘智
成步文
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2022年第3期60-70,共11页
硅材料在1.1~8.5μm有非常低的吸收损耗,因此硅基光电子学有望扩展到中红外波段。并且随着通信窗口扩展、气体分子检测、红外成像等应用需求的出现,硅基中红外波段器件研发工作的开展势在必行。在中红外波段硅基光电子器件中,硅基调制...
硅材料在1.1~8.5μm有非常低的吸收损耗,因此硅基光电子学有望扩展到中红外波段。并且随着通信窗口扩展、气体分子检测、红外成像等应用需求的出现,硅基中红外波段器件研发工作的开展势在必行。在中红外波段硅基光电子器件中,硅基调制器有着举足轻重的地位:它是长波光通信链路中不可或缺的一环,还可以应用在片上传感系统中提高信噪比、实现光开关等功能。研究发现,相比于近红外波段,硅和锗材料在中红外波段有更强的自由载流子效应和热光效应,因此,基于硅基材料的中红外调制器具有独天得厚的优势。系统总结了中红外硅基调制器的发展趋势和研究现状,介绍了基于硅和锗材料的电光调制器以及热光调制器的工作原理和最新研究进展,最后对中红外硅基调制器进行了总结与展望。
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关键词
中红外
硅基光电子
调制器
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职称材料
新型硅基IV族合金材料生长及光电器件研究进展(特邀)
被引量：
1
3
作者
郑军
刘香全
+4 位作者
李明明
刘智
左玉华
薛春来
成步文
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第10期215-224,共10页
硅基IV族锗锡和锗铅合金材料带隙随组分可调,并可转变成直接带隙半导体材料,是研制硅基红外探测和发光器件的理想材料。本文首先介绍锗锡和锗铅材料外延生长工作,然后对锗锡光电器件的研究进展进行回顾和讨论。其中,随着锗锡合金中锡组...
硅基IV族锗锡和锗铅合金材料带隙随组分可调,并可转变成直接带隙半导体材料,是研制硅基红外探测和发光器件的理想材料。本文首先介绍锗锡和锗铅材料外延生长工作,然后对锗锡光电器件的研究进展进行回顾和讨论。其中,随着锗锡合金中锡组分增加,锗锡光电探测器往高响应度和长探测截止波长方向发展;锗锡激光器的研究则集中在降低激射阈值、提高激射温度和电泵浦方面。本文还对锗铅材料和光电器件的研究进展进行简要介绍和展望。随着硅基高效光源和探测器研究的不断深入,IV族合金材料在硅基红外光电集成领域将继续展现重要的应用价值。
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关键词
硅基光电子
锗锡
锗铅
探测器
激光器
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职称材料
题名
硅基锗PIN光电探测器的研究进展
被引量：
5
1
作者
刘智
成步文
机构
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
中国科学院大学材料科学与光电技术学院
出处
《半导体光电》
CAS
北大核心
2022年第2期261-266,共6页
基金
国家重点研发计划项目(2017YFA0206404,2020YFB2206103)。
文摘
随着硅基锗薄膜外延技术的突破,基于硅基锗材料的光电子器件快速发展,其中以硅基锗光电探测器最为突出。由于锗可以实现近红外通信波段的光吸收,而且完全兼容硅的CMOS工艺,硅基锗探测器几乎成为硅基光探测的唯一选择。文章主要介绍了面入射和波导耦合两类常见硅基锗光电探测器的研究进展,包括典型的器件结构,以及提升响应度和带宽等性能的主要途径。
关键词
硅基锗探测器
面入射
波导耦合
Keywords
Si based Ge PIN photodetectors
normal incidence
waveguide coupling
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
中红外硅基调制器研究进展(特邀)
2
作者
牛超群
庞雅青
刘智
成步文
机构
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
中国科学院大学材料科学与光电技术学院
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2022年第3期60-70,共11页
基金
国家重点研发计划(2018 YFB2200103)
国家自然科学基金(61774143,61975196)。
文摘
硅材料在1.1~8.5μm有非常低的吸收损耗,因此硅基光电子学有望扩展到中红外波段。并且随着通信窗口扩展、气体分子检测、红外成像等应用需求的出现,硅基中红外波段器件研发工作的开展势在必行。在中红外波段硅基光电子器件中,硅基调制器有着举足轻重的地位:它是长波光通信链路中不可或缺的一环,还可以应用在片上传感系统中提高信噪比、实现光开关等功能。研究发现,相比于近红外波段,硅和锗材料在中红外波段有更强的自由载流子效应和热光效应,因此,基于硅基材料的中红外调制器具有独天得厚的优势。系统总结了中红外硅基调制器的发展趋势和研究现状,介绍了基于硅和锗材料的电光调制器以及热光调制器的工作原理和最新研究进展,最后对中红外硅基调制器进行了总结与展望。
关键词
中红外
硅基光电子
调制器
Keywords
mid-infrared
silicon-based optoelectronics
modulator
分类号
TN214 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
新型硅基IV族合金材料生长及光电器件研究进展(特邀)
被引量：
1
3
作者
郑军
刘香全
李明明
刘智
左玉华
薛春来
成步文
机构
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
中国科学院大学材料与光电研究中心
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第10期215-224,共10页
基金
国家重点研究发展计划(No.2018YFB2200500)
国家自然科学基金(Nos.62050073,62090054)。
文摘
硅基IV族锗锡和锗铅合金材料带隙随组分可调,并可转变成直接带隙半导体材料,是研制硅基红外探测和发光器件的理想材料。本文首先介绍锗锡和锗铅材料外延生长工作,然后对锗锡光电器件的研究进展进行回顾和讨论。其中,随着锗锡合金中锡组分增加,锗锡光电探测器往高响应度和长探测截止波长方向发展;锗锡激光器的研究则集中在降低激射阈值、提高激射温度和电泵浦方面。本文还对锗铅材料和光电器件的研究进展进行简要介绍和展望。随着硅基高效光源和探测器研究的不断深入,IV族合金材料在硅基红外光电集成领域将继续展现重要的应用价值。
关键词
硅基光电子
锗锡
锗铅
探测器
激光器
Keywords
Silicon photonics
Germanium tin
Germanium lead
Photodetector
Laser
分类号
O47 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅基锗PIN光电探测器的研究进展
刘智
成步文
《半导体光电》
CAS
北大核心
2022
5
下载PDF
职称材料
2
中红外硅基调制器研究进展(特邀)
牛超群
庞雅青
刘智
成步文
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2022
0
下载PDF
职称材料
3
新型硅基IV族合金材料生长及光电器件研究进展(特邀)
郑军
刘香全
李明明
刘智
左玉华
薛春来
成步文
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
1
下载PDF
职称材料
已选择
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