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一种基于BICMOS工艺的低温度系数带隙基准电压源 被引量：1
1
作者 郭振义 林长龙 +4 位作者 刘畅 孙帅 梁科 王锦 李国峰 《南开大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期25-28,共4页
提出了一种高精度带隙基准电压源,电路采用了与温度成正比的电压补偿二极管压降的负温度特性,得到了与温度无关的基准电压源,并且利用双二极管串联模式提高了带隙结构的精度,并给出了计算和分析.电路采用0.5μm BICMOS工艺实现,仿真的... 提出了一种高精度带隙基准电压源,电路采用了与温度成正比的电压补偿二极管压降的负温度特性,得到了与温度无关的基准电压源,并且利用双二极管串联模式提高了带隙结构的精度,并给出了计算和分析.电路采用0.5μm BICMOS工艺实现,仿真的结果表明,在3.3 V电压下,电路的功耗为25μW,在温度-40-125℃范围内,输出的电压为1.239 V,温度系数为10 ppm/℃. 展开更多
关键词 电压基准 BICMOS 低温度系数
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