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CALPHAD技术在Co基粘结层合金制备中的应用 被引量：1
1
作者 张朝 储茂友 +2 位作者 沈剑韵 刘宇阳 白雪 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第5期1657-1664,共8页
利用CALPHAD方法预测了Co基粘结层合金元素对相组成的影响,计算结果表明:Al对β′和γ相的析出量影响显著,Cr对σ相的析出量影响显著,从而确定了Al和Cr元素合适的成分范围分别于13%和22%附近。在此基础上计算了设计成分合金的相组成随... 利用CALPHAD方法预测了Co基粘结层合金元素对相组成的影响,计算结果表明:Al对β′和γ相的析出量影响显著,Cr对σ相的析出量影响显著,从而确定了Al和Cr元素合适的成分范围分别于13%和22%附近。在此基础上计算了设计成分合金的相组成随温度的变化规律,结果表明:合金于1208℃开始从基体β′相中析出γ相,974℃时,γ含量达到最高,随后将析出脆性的σ相。依据此相转变规律建议给出了合金的热处理工艺,1300℃固溶,结合1000℃时效处理。采用真空感应熔炼制备合金样品,铸态合金经上述热处理后得到β′+γ的两相组织,合金元素的偏析明显改善,非晶组织基本消除,得到较为理想的热障涂层粘结层用Co基合金靶材。 展开更多
关键词 CALPHAD Co基粘结层合金 材料设计 热处理
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正交化制备CdTe靶材试验研究 被引量：1
2
作者 李思钦 储茂友 +1 位作者 王星明 张碧田 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期215-219,共5页
以高纯超细CdTe粉体为原料,采用真空热压法,对工艺进行正交化实验设计,优化工艺参数,得到制备高致密度,晶粒度均匀CdTe靶材的工艺制度。以烧结温度、保温时间、烧结压力为因素,设计L9(3~4)正交实验表,对正交化实验数据结果进行极差和方... 以高纯超细CdTe粉体为原料,采用真空热压法,对工艺进行正交化实验设计,优化工艺参数,得到制备高致密度,晶粒度均匀CdTe靶材的工艺制度。以烧结温度、保温时间、烧结压力为因素,设计L9(3~4)正交实验表,对正交化实验数据结果进行极差和方差分析,确定了制备工艺参数对靶材致密度的影响程度:保温时间的改变对靶材致密度影响显著,其方差检验统计量F值达到86.25,靶材的致密度随保温时间的增加而增加,但超过一定时间后,会出现反致密化现象;烧结温度具有一定的影响;而烧结压力对其影响较小,其F值仅为2.5。正交化实验分析建议给出了CdTe靶材最佳制备工艺条件为:烧结温度580℃、保温时间60 min、烧结压力33 MPa。X射线衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM)和阿基米德排水法的检测结果表明:采用最优工艺制备得到了高质量的CdTe靶材,其相结构相比原料粉体不发生改变,靶材的晶粒度均匀,致密度达到99.4%。 展开更多
关键词 CdTe靶材 薄膜太阳能电池材料 真空热压 正交实验
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钇铝石榴石(YAG)透明陶瓷的研究进展 被引量：3
3
作者 李鹏杰 白雪 +3 位作者 刘宇阳 王星明 孙悦 储茂友 《中国稀土学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期214-231,共18页
钇铝石榴石(Y_(3)Al_(5)O_(12))透明陶瓷具有机械强度高、物化性质稳定,特别是覆盖紫外、可见及红外光透过等优异性能,在固体激光器、导弹穹顶、红外窗口及透明装甲领域有着广泛的应用。本文系统总结了YAG透明陶瓷的制备工艺,包括粉体... 钇铝石榴石(Y_(3)Al_(5)O_(12))透明陶瓷具有机械强度高、物化性质稳定,特别是覆盖紫外、可见及红外光透过等优异性能,在固体激光器、导弹穹顶、红外窗口及透明装甲领域有着广泛的应用。本文系统总结了YAG透明陶瓷的制备工艺,包括粉体合成、坯体成型、陶瓷烧结及烧结助剂的选用,对比了不同工艺路线制备YAG透明陶瓷的性能、规格、成本等;就不同稀土离子掺杂对YAG基透明陶瓷性能的影响规律进行了全面阐述;最后通过对现有问题的总结,展望了钇铝石榴石(YAG)透明陶瓷未来的发展趋势。 展开更多
关键词 钇铝石榴石 透明陶瓷 稀土离子掺杂 透光性能
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硅掺杂碳靶材的制备及溅射薄膜生长模式分析
4
作者 白雪 刘宇阳 +4 位作者 王星奇 桂涛 杨磊 王星明 储茂友 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第12期4207-4214,共8页
以石墨、碳化硅、硅粉体为原料,采用预处理工艺得到复合原料粉体,热压烧结制备C/Si 80/20 at%靶材。将制备的靶材在不同基片上溅射镀膜,分析薄膜的形貌及其生长模式。通过扫描电镜观察微观形貌、四探针测试电阻率、XRD结合拉曼光谱分析... 以石墨、碳化硅、硅粉体为原料,采用预处理工艺得到复合原料粉体,热压烧结制备C/Si 80/20 at%靶材。将制备的靶材在不同基片上溅射镀膜,分析薄膜的形貌及其生长模式。通过扫描电镜观察微观形貌、四探针测试电阻率、XRD结合拉曼光谱分析晶体结构,结果如下:(1)石墨和硅粉球磨混合48 h可获得Si元素均匀分布的C/Si复合粉体;该粉体在1900℃下真空热处理时,C/Si通过互扩散生成等轴晶3C-SiC;(2)不同粒径的β-SiC粉体在1900℃真空热处理时,颈部生长速率和晶体结构转变存在显著差异。在高温下,纳米β-SiC粉体蒸气压高,颈部增长速率快,通过蒸发-凝聚再结晶后可获得球形度良好的3C-SiC微米颗粒;(3)以C/Si/SiC 70/10/10 at%及C/Si 60/20 at%2种粉体为原料,采用球磨和高温真空热处理得到预处理粉体并热压制备C/Si 80/20 at%靶材,结果表明:与C/SiC 60/20 at%二元组分体系相比,三元组分预处理粉体制备靶材的均匀性好,平均电阻率3.9 mΩ·cm,极差0.59 mΩ·cm,密度2.35 g/cm^3,石墨化度0.17,石墨晶体完整性好;(4)将制备的C/Si80/20at%靶材分别在硅片、玻璃以及陶瓷基片上磁控溅射制备类金刚石薄膜,结果发现:在Si基体表面薄膜呈纵向生长模式,膜层微粒小于20nm;在玻璃基体表面膜层呈层状生长模式且结合紧密;在陶瓷基体表面薄膜呈片状生长模式,膜层由微米级颗粒结合组成,与陶瓷基体的微观组织相似。 展开更多
关键词 C/Si 靶材 Β-SIC 热处理 热压
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