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具有高温工作能力的1700V SPT+IGBT和二极管芯片组
被引量:
1
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作者
c
.
corvasce
A.Kopta
+5 位作者
M.Rahimo
A.Bas
c
hnagel
S.Geissmann
R.S
c
hnell
吴立成
周东海
《电力电子》
2011年第5期43-47,共5页
本文介绍一种新研制的,具有优化高温工作能力的1700V IGBT和二极管芯片组。由于引入新的终端概念和硅设计,改进了ABB公司的最新一代平面栅1700V IGBT(SPT+)性能。通过局部质子寿命控制层的引入,150℃下二极管的漏电流已显著减小,同时保...
本文介绍一种新研制的,具有优化高温工作能力的1700V IGBT和二极管芯片组。由于引入新的终端概念和硅设计,改进了ABB公司的最新一代平面栅1700V IGBT(SPT+)性能。通过局部质子寿命控制层的引入,150℃下二极管的漏电流已显著减小,同时保留了与先前SPT(软穿通)二极管工艺平台相同的电学特性。上述所有特征有望使额定值在3600A、工作在-40℃到150℃结温变化范围内的1700V模块研制成为可能。这种模块将具有低损耗和高安全工作区(SOA)。高于175℃工作温度方向的拓展,将在以后介绍。
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关键词
高温工作能力
二极管芯片
功率密度
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职称材料
具有高温工作能力的1700V SPT+IGBT和二极管芯片组
2
作者
吴立成
周东海
+5 位作者
c
.
corvasce
A.Kopta
M.Rahimo
A.Bas
c
hnagel
S.Geissmann
R.S
c
hnell
《电源世界》
2012年第3期41-45,共5页
本文介绍一种新研制的,具有优化高温工作能力的1700VIGBT和二极管芯片组。由于引入新的终端概念和硅设计,改进了ABB公司的最新一代平面栅1700V IGBT(SPT+)性能。通过局部质子寿命控制层的引入,150℃下二极管的漏电流已显著减小,同时保...
本文介绍一种新研制的,具有优化高温工作能力的1700VIGBT和二极管芯片组。由于引入新的终端概念和硅设计,改进了ABB公司的最新一代平面栅1700V IGBT(SPT+)性能。通过局部质子寿命控制层的引入,150℃下二极管的漏电流已显著减小,同时保留了与先前SPT(软穿通)二极管工艺平台相同的电学特性。上述所有特征有望使额定值在3600A、工作在-40℃到150℃结温变化范围内的1700V模块研制成为可能。这种模块将具有低损耗和高安全工作区(SOA)。高于175℃工作温度方向的拓展,将在以后介绍。
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关键词
芯片组
高温
低损耗
高安全工作区
原文传递
题名
具有高温工作能力的1700V SPT+IGBT和二极管芯片组
被引量:
1
1
作者
c
.
corvasce
A.Kopta
M.Rahimo
A.Bas
c
hnagel
S.Geissmann
R.S
c
hnell
吴立成
周东海
机构
ABB Switzerland Ltd
出处
《电力电子》
2011年第5期43-47,共5页
文摘
本文介绍一种新研制的,具有优化高温工作能力的1700V IGBT和二极管芯片组。由于引入新的终端概念和硅设计,改进了ABB公司的最新一代平面栅1700V IGBT(SPT+)性能。通过局部质子寿命控制层的引入,150℃下二极管的漏电流已显著减小,同时保留了与先前SPT(软穿通)二极管工艺平台相同的电学特性。上述所有特征有望使额定值在3600A、工作在-40℃到150℃结温变化范围内的1700V模块研制成为可能。这种模块将具有低损耗和高安全工作区(SOA)。高于175℃工作温度方向的拓展,将在以后介绍。
关键词
高温工作能力
二极管芯片
功率密度
分类号
TM561 [电气工程—电器]
下载PDF
职称材料
题名
具有高温工作能力的1700V SPT+IGBT和二极管芯片组
2
作者
吴立成
周东海
c
.
corvasce
A.Kopta
M.Rahimo
A.Bas
c
hnagel
S.Geissmann
R.S
c
hnell
出处
《电源世界》
2012年第3期41-45,共5页
文摘
本文介绍一种新研制的,具有优化高温工作能力的1700VIGBT和二极管芯片组。由于引入新的终端概念和硅设计,改进了ABB公司的最新一代平面栅1700V IGBT(SPT+)性能。通过局部质子寿命控制层的引入,150℃下二极管的漏电流已显著减小,同时保留了与先前SPT(软穿通)二极管工艺平台相同的电学特性。上述所有特征有望使额定值在3600A、工作在-40℃到150℃结温变化范围内的1700V模块研制成为可能。这种模块将具有低损耗和高安全工作区(SOA)。高于175℃工作温度方向的拓展,将在以后介绍。
关键词
芯片组
高温
低损耗
高安全工作区
Keywords
Chip set, High temperature, Loss Loss, High SOA
分类号
TN86 [电子电信—信息与通信工程]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
具有高温工作能力的1700V SPT+IGBT和二极管芯片组
c
.
corvasce
A.Kopta
M.Rahimo
A.Bas
c
hnagel
S.Geissmann
R.S
c
hnell
吴立成
周东海
《电力电子》
2011
1
下载PDF
职称材料
2
具有高温工作能力的1700V SPT+IGBT和二极管芯片组
吴立成
周东海
c
.
corvasce
A.Kopta
M.Rahimo
A.Bas
c
hnagel
S.Geissmann
R.S
c
hnell
《电源世界》
2012
0
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