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电感耦合等离子体CVD室温制备的纳米Si薄膜场电子发射研究
1
作者
贺德衍
王晓强
+4 位作者
陈强
栗军帅
尹旻
A.
v
.
karabutov
A.G.Kazanskii
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期251-254,共4页
利用电感耦合等离子体化学气相沉积在室温下制备了Si薄膜，用拉曼谱对样品的结构进行了表征，502cm^-1附近散射峰的出现说明在样品中形成了纳米结晶相．用原子力显微镜观察样品表面形貌发现，在合适的等离子体条件下制备的样品，其表面...
利用电感耦合等离子体化学气相沉积在室温下制备了Si薄膜，用拉曼谱对样品的结构进行了表征，502cm^-1附近散射峰的出现说明在样品中形成了纳米结晶相．用原子力显微镜观察样品表面形貌发现，在合适的等离子体条件下制备的样品，其表面由随机均匀排列的高密度Si锥组成，Si锥的高度为30～40nm，底面平均直径约为200nm．场电子发射测量结果显示样品具有良好的电子发射特性，开启电压为7～10V／μm．
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关键词
ICP-CVD
纳米行Si锥
场电子发射
低温生长
原文传递
题名
电感耦合等离子体CVD室温制备的纳米Si薄膜场电子发射研究
1
作者
贺德衍
王晓强
陈强
栗军帅
尹旻
A.
v
.
karabutov
A.G.Kazanskii
机构
兰州大学物理系
General Physics Institute
Moscow State University
出处
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期251-254,共4页
基金
国家自然科学基金（批准号：10175030）
甘肃省科技攻关项目（批准号：4WS035-A72-134）的资助.
文摘
利用电感耦合等离子体化学气相沉积在室温下制备了Si薄膜，用拉曼谱对样品的结构进行了表征，502cm^-1附近散射峰的出现说明在样品中形成了纳米结晶相．用原子力显微镜观察样品表面形貌发现，在合适的等离子体条件下制备的样品，其表面由随机均匀排列的高密度Si锥组成，Si锥的高度为30～40nm，底面平均直径约为200nm．场电子发射测量结果显示样品具有良好的电子发射特性，开启电压为7～10V／μm．
关键词
ICP-CVD
纳米行Si锥
场电子发射
低温生长
分类号
TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电感耦合等离子体CVD室温制备的纳米Si薄膜场电子发射研究
贺德衍
王晓强
陈强
栗军帅
尹旻
A.
v
.
karabutov
A.G.Kazanskii
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
0
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